【2017年整理】浙江大学硅材料国家重点实验室

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1、浙江大学硅材料国家重点实验室State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University硅材料国家重点实验室（原名高纯硅及硅烷国家重点实验室）于 1985年由原国家计委批准投资建设，1987年通过国家验收，1988 年正式对外开放，是国内最早建立的国家重点实验室之一。以重点实验室为依托的浙江大学材料物理与化学学科（原半导体材料学科）一直是全国重点学科，早在上世纪 80年代初就成为国内第一批半导体材料硕士点，86 年建立了国内第一个半导体材料工学博士点。目前，重点实验室坚持长期、系统、稳定地工作，在以硅为核心的半导体材料领域，包括半

2、导体硅材料、半导体薄膜材料以及复合半导体材料等研究方向，已成为国家在硅材料及半导体材料方面的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一，也是对外学术交流的重要窗口。上世纪 50年代初，浙江大学就开始了半导体硅材料的研究，从研究室、研究所到国家重点实验室，不断发展壮大，并取得了一系列重要成果。在硅烷法制备多晶硅提纯技术、直拉硅单晶生长技术、探测器级高纯硅单晶、硅单晶的电学测量、减压充氮直拉硅单晶技术、微氮直拉硅单晶缺陷基础研究等方面取得了重大成果，曾获国家自然科学二等奖 1项（2005 年）、国家发明二等奖 l项（1989 年）、三等奖 2项，浙江省重大科技进步贡献奖 1项，何梁何利科技奖 1项，

3、中国青年科技奖 1项，以及省部级科技进步奖10余项。国家重点实验室一直坚持“产、学、研”紧密结合。在微电子用半导体材料领域，从 70年代开始就建立了产业基地，将科技成果成功地转化为生产力，培育出宁波立立电子、浙江海纳半导体等国内硅材料的龙头企业，取得显著经济效益。目前，在大直径硅单晶生长、加工和缺陷工程等基础研究方面，在国际硅材料学术界占有独特的地位。在上世纪 90年代初，重点实验室研究领域开始拓宽，建立了半导体薄膜材料研究方向。92 年研制了国内第一台超高真空 CVD外延设备，开辟了一个利用超高真空 CVD新技术低温生长优质半导体薄膜材料的研究领域。在利用超高真空 CVD低温外延技术生长优质

4、薄硅外延片和新颖锗硅合金材料方面取得很大进展。在宽禁带 GaN、ZnO 单晶薄膜异质结构生长、ZnO 的 P型掺杂关键技术解决及 ZnO紫外探测器的制备等方面已取得了突破性进展，获得国家自然科学二等奖 1项（2007 年）、浙江省科技进步奖 2项（2006 年，2007年），为研发新一代半导体材料作出了重要的基础研究工作。在 90年代末，重点实验室开拓了复合半导体光功能材料、纳米材料、玻璃表面功能薄膜制备等新功能材料与结构构造等方面的新研究方向，并在有机半导体材料、有机光导鼓和有机无机复合激光材料与器件、玻璃在线镀膜、纳米材料与电子陶瓷器件产业化方面取得重要进展。获得了国家科学技术进步二等奖

5、1项（2008 年），省部级科技进步奖 8项，为相关领域的基础研究和技术进步做出了重要贡献。近 5年来，重点实验室共承担国家与省部级纵向科研项目 173项，总经费 1.1亿，实到经费 5200万元。其中，包括国家“973”首席项目 1项，二级课题 4项，共 5项；国家自然科学基金 55项，其中重点项目6项；国家 863项目 10项，省部级项目 79项，国际合作项目多项。5年来，重点实验室共有 17项科研成果获得奖励，其中国家自然科学二等奖 2项；浙江省科技一等奖 6项，省部级科技二等奖 7项；国际学术奖励 2项。发表学术论文 1192余篇，被 SCI收录 867篇，国际公认权威期刊（IF3.0

6、）120 余篇，论文被 SCI累积他引用 4000余次；授权发明专利 111项。实验室拥有一系列先进的半导体材料生长、加工和性能测试分析的大型设备与仪器。在晶体生长和薄膜制备方面，拥有先进的 CG6000 大直径硅单晶生长炉、超高真空 CVD 外延设备以及 MOCVD、液相外延炉、磁控溅射和热蒸发薄膜生长设备等。在半导体分析测试方面，拥有 Bede D1 光衍射仪器、SSM350 扩展电阻仪，傅立叶红外光谱仪、CM200 型超高分辨透射电子显微镜、Hitachi S4800 场发射扫描电镜、Edinburgh FLS920 荧光光谱测量系统和 HL5500半导体材料霍尔参数测试仪等大型测试设备

7、。主要研究方向及特色 重点实验室主要从事硅单晶材料及半导体材料的基础科学与应用基础研究，己形成自己的特色，主要研究方向如下：(l)半导体硅材料的晶体生长，晶体加工和缺陷工程；(2)半导体薄膜生长、物性评价及器件应用研究；(3)复合半导体光电功能材料研究；研究队伍和人才培养实验室现有骨干固定研究人员 30人，其中中国科学院院士 2人，教授、研究员共 28人(具博士学位28人)，优秀中青年人才 10人次。国家“杰出青年科学基金”获得者 7名，“特聘教授”4 名，国家“百千万”人才工程计划 3名，国家教育部“跨世纪、新世纪优秀人才”7 名。另外，实验室有管理人员 3人，有流动的研究人员 20多人。目

8、前，重点实验室学术委员会主任是褚君浩院士，副主任是张泽院士。实验室主任是杨德仁教授，副主任是钱国栋、朱丽萍教授，主任助理是洪樟连副教授。在学科带头人阙端麟院士指导下，实验室拥有一支以中青年骨干为主，老、中、青相结合的精干科技队伍。实验室重视人才培养和研究队伍建设。5 年来培育和引进了 4位国家杰出青年基金获得者，晋升了 5位教授，培养了 10位优秀中青年学者和一个教育部“创新团队”。已为国家培养了博士生 98名（其中全国百篇优秀博士论文 1篇，提名奖 3篇），硕士生 246人，博士后出站 14人，实验室除了在学术上关心研究生外，还在生活上提供一定的帮助。未来的发展方向重点实验室将坚持长期、系统

9、、稳定的工作。以硅为核心的半导体材料的基础研究和应用领域：在坚持微电子用大直径硅单晶晶体生长、加工和缺陷工程研究的基础上，着重拓展硅外延、太阳能硅材料、硅基光电子材料以及纳米硅材料的研究；半导体薄膜领域：在坚持 ZnO薄膜生长和掺杂特色的基础上，重点开展半导体薄膜在 LED照明领域的应用；复合半导体领域：在坚持有机无机复合光电子材料和器件研究的同时，重点开展有机有机，无机无机复合光电子、光功能材料的基础研究和应用。在此基础上，围绕信息和能源材料的功能构造，进一步拓宽学科领域，加强电子信息材料、磁性材料、太阳能电池材料以及其它能源与环境材料等一批国民经济发展迫切需要的新型功能材料的研究。以国际前

10、沿的基础科学问题，国家重大需求的关键技术攻关等为导向，提高基础研究水平，做出创新成果。硅材料国家重点实验室 研究方向主要研究方向及研究特色重点实验室主要从事硅单晶材料及半导体材料的基础科学与应用基础研究，己形成自己的特色，主要研究方向如下：（1）半导体硅材料的晶体生长，晶体加工和缺陷工程；（2）半导体薄膜生长、物性评价及器件应用研究；（3）复合半导体光电功能材料研究；未来的发展方向重点实验室将坚持长期、系统、稳定的工作。以硅为核心的半导体材料的基础研究和应用领域：在坚持微电子用大直径硅单晶晶体生长、加工和缺陷工程研究的基础上，着重拓展硅外延、太阳能硅材料、硅基光电子材料以及纳米硅材料的研究；半

11、导体薄膜领域：在坚持 ZnO薄膜生长和掺杂特色的基础上，重点开展半导体薄膜在 LED照明领域的应用；复合半导体领域：在坚持有机无机复合光电子材料和器件研究的同时，重点开展有机有机，无机无机复合光电子、光功能材料的基础研究和应用。 在此基础上，围绕信息和能源材料的功能构造，进一步拓宽学科领域，加强电子信息材料、磁性材料、太阳能电池材料以及其它能源与环境材料等一批国民经济发展迫切需要的新型功能材料的研究。以国际前沿的基础科学问题，国家重大需求的关键技术攻关等为导向，提高基础研究水平，做出创新成果。扩展电阻仪编辑：admin 日期：2010-07-08 14:02 访问次数：30仪器中文名称扩展电阻

12、仪仪器英文名称规格型号 SSM-350生产厂商 SSM CO.产地 美国仪器原值 1913663.00启用日期 1998-08-01使用方式 对外开放运行状态 正常应用领域 半导体材料所在单位 硅材料国家重点实验安放地点 硅材料国家重点实验室楼 2-207仪器负责人 樊瑞新联系电话与e-mail13186986112；仪器主要用途 载流子浓度、电阻率等 主要技术指标 主要附件 功能特色 样品要求 硅片及部分半导体材料收费标准 500.00/件高分辩 X射线衍射仪编辑：admin 日期：2010-07-08 14:02 访问次数：27仪器中文名称高分辩 X 射线衍射仪仪器英文名称规格型号 DI

13、系统生产厂商 英国 BEDE 公司产地 英国仪器原值 180 万启用日期 2003使用方式 内部使用运行状态 正常应用领域 材料学、半导体薄膜、纳米材料所在单位 硅材料国家重点实验室安放地点 曹光彪 A 楼 335仪器负责人 张银珠联系电话与e-mail87952128仪器主要用途 晶体结构分析 主要技术指标 样品轴范围 235；分辨率 0.00005 旋转轴范围 205；分辨率 0.00005 主要附件 功能特色 可用于单晶外延膜，多晶薄膜； 高分辨 XRD，三轴 XRD，掠入角，小角 X 射线衍射和反射 样品要求 大于 1cm2收费标准 氧化锌 MOCVD编辑：admin 日期：2010-

14、07-08 11:11 访问次数：24仪器中文名称氧化锌 MOCVD仪器英文名称ZnO MOCVD规格型号 MOCVD-II生产厂商 中科院沈阳科学仪器有限公司产地 中国仪器原值 启用日期 使用方式 内部使用运行状态 正常应用领域 材料学、半导体薄膜、纳米材料所在单位 硅材料国家重点实验室安放地点 曹楼 338仪器负责人 卢洋藩联系电话与e-mail87953139仪器主要用途 生长制备 ZnO 薄膜及 ZnO 纳米结构 主要技术指标 主要附件 等离子射频发生器 功能特色 能够采用等离子体辅助生长制备 ZnO 薄膜及纳米结构 样品要求 收费标准 霍尔效应测量系统编辑：admin 日期：2010

15、-07-08 11:11 访问次数：36仪器中文名称霍尔效应测量系统仪器英文名称HL规格型号 HL5500生产厂商 美国 BIO-RAD产地 美国仪器原值 49 万启用日期 1999使用方式 对外开放运行状态 正常应用领域 材料学所在单位 硅材料国家重点实验室安放地点 玉泉校区 曹光彪 336仪器负责人 汪雷联系电话与 0571887952124e-mail仪器主要用途可测：Si，- 族和-族化合物红外半导体材料半导体材料电阻率、迁移率和浓度参数,半导体高阻 GaAs 材料。主要技术指标 1、面电阻率测量范围展宽至 1011/cm22、测量温度可供选择：室温 主要附件 功能特色 样品要求 样品

16、小于 1cm2，半导体块体、薄膜收费标准 Compex准分子激光器编辑：admin 日期：2010-07-08 11:11 访问次数：24仪器中文名称Compex 准分子激光器仪器英文名称Compex excimer laser 规格型号 Compex 102生产厂商 Lambda Physik产地 德国仪器原值 85 万启用日期 2003使用方式 对外开放运行状态 正常应用领域 材料学所在单位 硅材料国家重点实验室安放地点 玉泉校区曹光彪 346仪器负责人 张银珠联系电话与e-mail057187952118仪器主要用途半导体薄膜材料的制备主要技术指标 工作介质：KrF（波长：248nm） 能量：150350mJ 频率：110Hz 主要附件 功能特色 样品要求 收费标准 场发射扫描电子显微镜编辑：a