《【2017年整理】大学物理第十八章试题 固体物理》由会员分享，可在线阅读，更多相关《【2017年整理】大学物理第十八章试题 固体物理（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1第 18 章 固体物理简介一、选择题1. 从能带观点来看, 金属导电的原因主要是 (A) 有禁带存在 (B) 有满带存在(C) 价带形成满带 (D) 满带与导带交迭2. 按照能带理论, 绝缘体不导电的主要原因是 (A) 价带与空带之间存在着较宽的禁带 (B) 价带是导带(C) 价带是未满带 (D) 满带与导带交迭3. n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级) 产生于 (A) 满带中 (B) 禁带中但靠近于导带底(C) 导带中 (D) 禁带中但接近于满带顶4. p 型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级) 产生于 (A) 满带中 (B) 禁带中但靠近于导带底(C) 导带
2、中 (D) 禁带中但接近于满带顶5. 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是 (A) 导带只能是空带 (B) 满带与导带重合 (C) 满带中总是有空穴，导带中总是有电子 (D) 禁带宽度较窄6. 下述说法中，正确的是 (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n 型或 p型)只有一种载流子 (电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好 (B) n 型半导体的导电性能优于 p 型半导体，因为 n 型半导体是负电子导电，p 型半导体是正离子导电 (C) n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带) 的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空
3、带中去，大大提高了半导体导电性能 (D) p 型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动7. 下图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度 T = 0K 时的能带结构图。其中属于绝缘体的能带结构是 导带(空带)导带(未满)满 带空 带导带(未满)禁带禁带 禁带禁带重合(A) (B) (C) (D)满 带满 带 满 带导带(空带)28. 如果(1)锗用锑(五价元素) 掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导体属于下述类型： (A) (1)、(2)均为 n 型半导体(B) (1)为 n 型半导体， (2)为 p 型半导体(C) (1)为 p 型半导体， (2)为 n 型半导体(D) (1)
4、、(2)均为 p 型半导体二、填空题1. 本征半导体硅的禁带宽度是 1.14 eV，它能吸收的辐射的最大波长是_ 2. 若锗用铟(三价元素)掺杂，则成为 _型半导体请在所附的能带图中定性画出施主能级或受主能级3. 硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为 2.42eV，要使这种晶体产生本征光电导，则入射到晶体上的光的波长不能大于_4. 若在四价元素半导体中掺入三价元素原子，则可构成 型半导体，参与导电的载流子多数是 。5. 若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成 型半导体，参与导电的载流子多数是 。6. 纯硅在 T = 0K 时能吸收的辐射最长的波长是 1.09m，故硅的禁带宽度为 eV。7. 下面两图(a)与( b)中，(a)图是 型半导体的能带结构图， (b)图是 型半导体的能带结构图。8. 在常温下，_半导体比_半导体具有较强的导电性。9. 绝缘体和半导体的能带结构是类似的，但两者的_宽度不同。导 带 （ 空 带 ） 禁 带 满 带 E 施 主 能 级导 带满带禁 带 。 。 导 带。满 带 。 受 主 能 级禁 带abE E
