模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管

上传人:w****i 文档编号:94794929 上传时间:2019-08-11 格式:PPT 页数:36 大小:2.10MB
返回 下载 相关 举报
模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管_第1页
第1页 / 共36页
模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管_第2页
第2页 / 共36页
模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管_第3页
第3页 / 共36页
模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管_第4页
第4页 / 共36页
模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管_第5页
第5页 / 共36页
点击查看更多>>
资源描述

《模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[03]三极管(36页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、03 三极管相关概念,电气信息学院 陈 永 强 一二年四月制,三极管的学习重点,基本结构 工作原理 结构特点 连接方式,伏安特性 工作状态 主要参数 温度影响,引入 学前思考,三极管具有放大作用,这促使电子技术飞跃发展。,引入 学前思考,三极管具有放大作用,这促使电子技术飞跃发展。,三极管,?,三极管常见的外观,一、基本结构,NPN型,PNP型,一、基本结构(电路符号),E,B,C,B,C,E,EB,RB,EC,进入基区的电子少部分与基区的空穴复合,形成基极电流IB ,多数扩散到集电结。,发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。,二、工作原理(多数载流子运动),+,到达集电结

2、的电子被拉入(漂移到)集电区,形成集电极电流IC 。,EB,RB,EC,二、工作原理(电流关系),+,IE=IB+IC,NPN型三极管,PNP型三极管,二、工作原理(电流关系),注意: 1. 要使三极管能放大电流,必须使发射结正 偏,集电结反偏。 2.这种放大作用实质上是载流子在运动过程 中的一种分配关系。,二、工作原理(电流放大系数),三极管的直流电流放大系数定义为:,三、结构特点,电流放大系数体现了三极管的放大能力,从结构上讲的如何才能提高三极管的电流放大系数呢?,我们可以从如下几个方面去考虑: (1)发射区;(2)基区;(3)集电结,EB,RB,EC,三、结构特点(提高值),+,?,基区

3、:较薄 掺杂浓度低,集电结:面积较大,发射区:掺杂浓度较高,思考:硅平面型三极管,硅衬底,N,P,N,B,E,C,解惑,E,解惑,E,输入,输出,?,?,解惑,E,四、连接方式,1、共射 2、共集 3、共基,四、连接方式,1、共射 2、共集 3、共基,四、连接方式,1、共射 2、共集 3、共基,五、伏安特性(共射连接),1、输入特性(数学定义),五、伏安特性(共射连接),1、输入特性(测试电路),五、伏安特性(共射连接),1、输入特性(特性曲线),五、伏安特性(共射连接),2、输出特性(数学定义),五、伏安特性(共射连接),2、输出特性(测试电路),五、伏安特性(共射连接),2、输出特性(特性曲线),六、工作区(截止),六、工作区(放大),六、工作区(截止),七、主要参数,1、电流放大系数直流,七、主要参数,1、电流放大系数交流,七、主要参数,2、极间反向电流集基电流,七、主要参数,2、极间反向电流集射电流,七、主要参数,2、极间反向电流集射电流,七、主要参数,其它参数见书,八、温度影响,随温度升高而增加。 输出特性随温度升高而上移。,

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 高等教育 > 大学课件

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号