电工电子技术 习题答案 作者 孙余凯 韦雪洁 23460 电工电子技术 习题答案

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1、电工电子技术习题答案第1单元习题11.填空题(1)直流,交流,基本相同。(2)电源,负载,连接导线。(3)图形符号,电路连接情况。2.选择题(1)(b),(d)。(2)(b),(d)。3.问答题(1)串联使用时第二个电阻可以忽略不计,并联使用时第一个电阻作用可忽略不计。(5)VAB分别为0V、500V、900V、999V;VBC分别1000V、500V、100V、1V。(6)I1分别1A,0.5A,0.1A,0.001A;I2分别0A,0.5A,0.9A,0.999A。(7)电压表内阻(1K/V级量程50V的电压表内阻为150=50K)压降所致。(8)采用图1-22(a)电路可得到6V电压,可

2、使电珠点亮。(9)绞接处的接触电阻较大。(10)灯丝电阻变小所致。(11)图1-23(a)V=IR+E;图1-23(b)V=IRE;图1-23(c)V=-IR-E;图1-23(d)E2=IR+E1。(12)(a)25W的灯丝电阻大,(b)100W灯泡较亮,(c)25W灯泡较亮,(d)如果灯丝材料相同,25W灯泡的灯丝要长一些和细一些。第2单元习题21.填空题(1)大小,方向,周期性,电压,电流。(2)瞬时,重复。(3)有效值,长度,夹角,初相角。2.选择题(1)(b)。(2)(b)。(3)(c)。(4)(c)。(5)(b),(c)。(6)(b),(f)。(7)(b),(e)。(8)(c),(f

3、)。(9)(b)。3.问答题(1)VP-P=10V,有效值为=3.54V,半周平均值为5=3.18V。(2)发光效率相同,同样可以使用。(3)A1曲线初相为1,A2曲线初相为-2,1超前于2或2滞后于1角,相位差=1+2。(4)三角函数表达式,指数式,代数式。A1=V1msin(t+1), A2= V2msin(t2)。(5)也可应用于正弦电路。(6)提示:从功率因数接近1时,总电流与电压接近同相来考虑。(7)不能取得预期的效果。(8)转速和以前一样。第3单元3.1 (2)。不是3.2 (1)三部分,对称三相负载。(2)(a)。3.3 (1)铭牌上的功率是指在额定频率和额定电压下的额定输出机械

4、功率。习题31.填空题(1)三个单相交流电,三个单相交流电,120。(2)对称三相电压,三相发电机,三相变压器。2.选择题(1)(c)。(2)(b)。(3)(a)。(4)(d)。(5)(a)。(6)(c)。3.问答题(1)三相负载平衡时,中线断开时各相负载不受影响;三相负载不平衡时则灯泡不能正常发光,甚至可能烧断灯丝。(3)电灯开关打开后,灯头不再带电,保证安全。(4)中线一般都是接地的。(6)过大的容量反而降低了总的功率因数。(7)不能取得预期的效果。(9)采用星形连接方法,功率:3KW, 线电流:4.56A。采用三角形连接方法,功率:3KW, 线电流:4.56A。三根220V的电热丝采用星

5、形连接方法,三根380V的电热丝采用三角形连接方法,功率:6KW, 线电流:9.12A。第4单元4.2 (1)提示:可从芯式铁芯空气隙容易调整,壳式铁芯空气隙不容易调整考虑。(2)如不计铁损和铜损,则对,计铁损和铜损,则不对。(3)不能变换直流电压。原绕组可能被烧毁。4.3 (1)不能。(3)会使线圈过热,甚至烧毁。4.4 (1)第二问:变压器两个绕组并联或串联时需要应用同名端。(3)铁损几乎不变,铜损增大。习题41.填空题(1)感应电流,磁通量。(2)心式,壳式。2.选择题(1)(e)。(2)(d)。3.问答题(1)铁心不用在饱和状态时,空载电流的波形接近正弦波,否则为非正弦波。(2)理想变

6、压器时为等效纯电阻,实际变压器时为电感性负载。(4)节省绝缘层。(5)只有外加电压符合该绕组的额定电压即可使用。(6)总电流I不变。(7)在4.545A9.09A范围内变化。(8)(b)灯泡更亮些。(9)图(a)A正B负,C负D正;(b)A负B正,C负D正。(10)提示:可从输送功率一定,电压愈高,则电流愈小方面来考虑。第5单元5.2 (1)定子,转子。(2)始,末。5.3 (1)较大,较差,较低。习题51.填空题(1)定子,转子,端盖,轴承。(2)电刷,滑环,电刷,换向器。(3),等于。(4)一致,相序。(5)对调任意2根电源线。2.选择题(1)(d)。(2)(c),(a)或(d)。(3)(

7、b),(a)。(4)(b)。(5)(a)。(6)(d)。(7)(a),(b),(a)。3.问答题(2)提示:可从起动时转子导线切割旋转磁场的相对速度比运行时大得多来考虑。(3)提示:可从衔铁吸合不牢方面来考虑。(5)提示:可从旋转磁场的形状来考虑,正常旋转磁场为圆形,一相错接到电源中线上时旋转磁场为椭圆形。(6)能使电动机产生启动转矩,但比正常三相供电时的启动转矩小得多。第6单元6.1 (1)(c)。(2)两种不同类型。(3)(b)。6.4 (3)(c)。习题61.填空题(1)电压,电流。(2)反向击穿,电压,电流。(3)LED,电能,光能,一个PN。(4)两个PN,两种载流子。(5)源极,栅

8、极,漏极,一种载流子。2.选择题(1)(a),(c)。(2)(b)。(3)(c)。(4)(a)。3.问答题(1)不行。(5)管流大的管子较好。(6)选=50,Iceo=10A的管子比较可靠。(7)(a)是NPN型高频小功率硅管,处于放大状态。(2)是PNP型低频小功率锗管,处于放大状态。(c)是NPN型小功率开关管,处于饱和状态。(d)是PNP型高频小功率锗管,处于截止状态。(10)(a)UO=8+6=14V;(b)UO=6V;(c)UO=8+0.7=8.7V;(d)UO=0.7V。(11)提示:结合二极管的正向特性来分析。第7单元7.1 (2)提示:可从电容器具有隔断直流、通交流作用方面考虑

9、;先找出直流电源对电容的充电回路,充电电流流进电容器的一端为正极。7.2 (1)提示:可从晶体管的电流放大系数以及晶体管参数的分散性两个方面来考虑。7.3 (1)非线性,线性,交流。7.4 (1)提供足够的输出电压和电流以驱动输出执行机构;第2问提示:可从电路功能、电路形式、管子管子状态、管子工作范围、波形情况、分析工具、研究重点几个方面来考虑。(2)对。可从推挽功率放大器工作在乙类状态,两个晶体管轮流导电,电源供给的是单方向的脉动电流方面来考虑。习题71.填空题1 (1)信号功率,大信号。(2)负,正。(3)基本放大器,反馈网络。2.选择题(1)(b)。(2)(c)。(3)(c)。(4)(c

10、)。3.问答题(1)(a)缺RC,不起放大作用;(b)EC应为12V,Ce极性画反,不起放大作用;(c)C1错画在Rb1与Rb2右边,不能不失真地放大信号。(2)(a)IBQ=0.106mA,ICQ=5.3mA,UCEQ=6.7V,放大区;(b)e结反偏,截止区;(c)IBQ=0.24mA,ICQ=9.6mA,UCEQ=0.5V,饱和区。(3) ICQ=1.3mA,UceQ=4.41V;min=35。(4)(a)饱和失真,增大RP1;(b)截止失真,减小RP1;(a)截止失真,减小RP1;(b)饱和失真,增大RP1。(6)第2问:它具有对称性好,波形失真小的优点。(8)输出耦合电容太小会产生低

11、频失真。(9)单管甲类放大的管耗PC=POm;双管乙类推挽放大总管耗PC=0.27 POm。(10)甲类功放的收音机不对,乙类功放的收音机对。第8单元习题81.填空题(1)高增益直流。(2)差分输入,中间放大,输出,偏置。(3)开环增益,输入阻抗,输出阻抗。(4)双端,单端,高,高输入,低输出。(5)输出,复振幅,输入,复振幅。(6)3dB,通频带,3dB。2. 问答题与计算题(2)200。第9单元习题91.填空题(1)逻辑运算功能。(2)全部,与。2.选择题(1)(b)。(2)(a)。(3)(b)。(4)(b)。3. 问答题(4)F=D。F=BBC。F=ABDBCD。F=AB。F=B。F=A

12、BC。(5)F=ACB。F=ABCB。F=C。F=。F=A。F=A。F=ABBCD。第10单元10.4(1)双极型(TTL),互补金属氧化物半导体型(CMOS)。习题101.填空题(1)置位,复位。(2)复位,置位。(3)128。2.选择题(1)(c)。(2)(a)。(3)(b)。(4)(d)。(5)(c)。(6)(a)。(7)(d),(8)(a)。3. 问答题(6)f=217KHz。(7)根据周期、频率关系式计算。(9)改变定时电容或电阻值。第11单元习题111.填空题(1)记忆,存放。(2)磁,半导体,光。(3)只读,随机。(4)固定存放,可编程序。(5)RAM,随时将信息存放进去或取出,写入,读出。(6)双极,MOS。2.选择题(1)(c)。(2)(c)。第12单元习题121.填空题(1)数字,数字,电流,电压。(2)DAC,数字,模拟。(3)ADC,模拟,数字。2.选择题(1)(c)。(2)(b)。(3)(c)。3.问答题(1)。(2),。(4)第4问:不是数字量。(5)2.44mV。(6)最少选10位。(7)。(8)不能克服,有舍有入的方法。

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