微电子器件工艺课程设计

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1、课 程 设 计 课程名称 微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院_ 材料与能源学院_ _ 专业班级 08微电子学1班 学 号 学生姓名_ 张又文 _ _ 指导教师 魏爱香、何玉定 _ 2011 年 7 月 6 日 广东工业大学课程设计任务书题目名称pnp双极型晶体管的设计学生学院材料与能源学院专业班级微电子学专业08级1班姓 名张又文学 号一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。二、课程设计

2、的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。4根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件

3、，制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、课程设计进程安排序号设计各阶段内容地点起止日期1教师布置设计任务，讲解设计要求和方法教1-3102011.6.272学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定图书馆工三3112011.6.283设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆工三3112011 .6.294.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题教1-3022011.

4、6.305晶体管工艺参数设计，实验室教1-3022100.7.1-2011.7.26绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教1-3022011.7.32011.7.48教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教1- 3012011.7.59总结设计结果，写设计报告实验室教1-3012011.7.610写课程设计报告图书馆，宿室2011.7.711教师组织验收，提问答辩实验室2011.7.8五、应收集的资料及主要参考文献1半导体器件基础Robert F. Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2半导体物理与器件 赵毅强等译，电子工业出版社，2005年. 3硅集成电路工艺

5、基础，关旭东编著，北京大学出版社，2005年.发出任务书日期： 2011 年 6 月 27 日 指导教师签名：计划完成日期： 2011年 7月8日 基层教学单位责任人签章：主管院长签章： 目录广东工业大学课程设计任务书2一、设计任务及目标5二、 晶体管的主要设计步骤和原则52.1.晶体管设计一般步骤52.2晶体管设计的基本原则6三、晶体管物理参数设计73.1. 各区掺杂浓度及相关参数的计算73.2.集电区厚度Wc的选择103.3. 基区宽度WB103.4.扩散结深133.5.杂质表面浓度143.6.芯片厚度和质量143.7. 晶体管的横向设计、结构参数的选择14四、工艺参数设计164.1. 工

6、艺参数计算思路164.2. 基区相关参数的计算过程164.3.发射区相关参数的计算过程184.4. 氧化时间的计算20五、设计参数总结21六、 工艺流程图22七、 生产工艺说明247.1 硅片清洗247.2 氧化工艺267.3. 光刻工艺277.4 磷扩散工艺（基区扩散）297.5 硼扩散工艺(发射区扩散)31八.心得体会32九.参考文献33 PNP双极型晶体管的设计一、设计任务及目标微电子器件与工艺课程设计是继微电子器件物理、微电子器件工艺和半导体物理理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节

7、。目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结构参数设计晶体管的图形结构设计材料参数的选取和设计制定实施工艺方案晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电子器件设计、集成电路设计打下必要的基础， 设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。2、 晶体管的主要设计步骤和原则2.1.晶体管设计一般步骤第一，根据预期指标要求选定主要电学参数，确定主要

8、电学参数的设计指标。第二，根据设计指标的要求，了解同类产品的现有水平和工艺条件，结合设计指标和生产经验进行初步设计，设计内容包括以下几个方面：（1）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，如集电极厚度Wc，基极宽度Wb和扩散结深Xj等。（2）根据结深确定氧化层的厚度，氧化温度和氧化时间；杂质预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间。（3）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出光刻版图。（4）根据设计指标选取材料，确定材料参数，如电阻率p，位错，寿命，晶向等。（5）根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。（6）根据晶体管的类型进行热学设计，选择封装形式，选用合适的管壳和散热

9、方式等。第三、根据初步设计方案，对晶体管进行电学验算，并在此基础上对设计方案进行综合调整和修改。第四，根据初步设计方案进行小批测量试制，暴露问题，解决矛盾，修改和完善设计方案。双极晶体管的电学参数可分为直流参数，交流参数和极限参数三大类。下面将电学参数按三大类进行汇总 表3.1主要电学参数与结构和材料参数间的关系结构和材料参数电学参数WBWCNCNENBAeAcbfTICMGPVCESBVCBO2.2晶体管设计的基本原则（1）全面权衡各电学参数间的关系，确定主要电学参数尽管晶体管的电学参数很多，但对于一类型的晶体管，其主要电学参数却只有几个，如对高频大功率管，主要的电学参数是fT ， BVCB

10、O， P CM和ICM等；而高速开关管的主要电学参数则为to n，toff，UBES和UCES。因此，在进行设计时，必须全面权衡各电学参数间的关系，正确处理各参数间的矛盾。找出器件的主要电学参数，根据主要电学参数指标进行设计，然后再根据生产实践中取得的经验进行适当调整，以满足其他电学参数的要求。（2） 正确处理设计指标和工艺条件之间的矛盾，确定合适的工艺实施方案。任何一个好的设计方案都必须通过合适的工艺才能实现。因此，在设计中必须正确处理设计指标和工艺条件之间的矛盾。设计前必须了解工艺水平和设备精度，结合工艺水平进行合理设计。（3） 正确处理技术指标的经济指标间的关系。设计中既要考虑高性能的技

11、术指标，也要考虑经济效益。否则，过高的追求高性能的技术指标，将使成本过高。同时，在满足设计指标的前提下，尽可能降低参数指标水准，便于降低对工艺的要求，提高产品成品率。（4） 在进行产品设计时，一定要考虑器件的稳定性和可靠性。三、晶体管物理参数设计3.1. 各区掺杂浓度及相关参数的计算 由设计题目可知，晶体管的设计指标是： 300K时，基区掺杂浓度为NB=1016cm-3,共发射极电流增益=50，BVCEO=60V。对上表参数进行仔细分析后可发现，上述参数中，只有击穿电压主要由集电区电阻率决定。因此，集电区电阻率的最小值由击穿电压决定，在满足击穿电压要求的前提下，尽量降低电阻率，并适当调整其他参

12、量，以满足其他电学参数的要求。对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压V时，集电结可用突变结近似，对于Si器件击穿电压为 ， 由此可得集电区杂质浓度为： 根据公式,可算出集电区杂质浓度： 一般的晶体管各区的浓度要满足NENBNC，故， 图1 室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系（器件物理55页）查图1得到少子迁移率： 根据公式可知： 图2 掺杂浓度与电阻率的函数关系（器件物理59页）根据图2，可得到不同杂质浓度对应的电阻率：（即衬底选用的电阻率） 图3 少子寿命与掺杂浓度的函数关系（半导体物理177页） 由图3

13、或者取器件物理287页的经验值，为了方便得到较合理的基区准中性宽度，所以这里的少子寿命取值如下： 根据公式有：3.2.集电区厚度Wc的选择（1）集电区厚度的最小值集电区厚度的最小值由击穿电压决定。通常为了满足击穿电压的要求，集电区厚度WC必须大于击穿电压时的耗尽层宽度，即WC XmB（XMb是集电区临界击穿时的耗尽层宽度）。对于高压器件，在击穿电压附近，集电结可用突变结耗尽层近似，因而根据公式求出集电区厚度的最小值为：可见，为了提高击穿电压，改善二次击穿特性，希望集电区厚度WC厚一些好。（2） 集电区厚度的最大值WC的最大值受串联电阻rcs的限制。增大集电区厚度会使串联电阻rcs增加，饱和压降VCES增大，因此WC的最大值受串联电阻限制。所以，有 综合考虑这两方面的因素，WC尽量取大，故选择WC=8m3.3. 基区宽度WB（1）基区宽度的最大值对于低频管，与基区宽度有关的主要电学参数是b，因此低频器件的基区宽度最大值由b确定。当发射效率g1时，电流放大系数，因此基区宽度