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1、IGBT的驱动电路已有多种产品和实用电路出现，这里选用IR公司的IR2132。IR2132是美国国际整流器公司即IR2110后推出的并至今独家生产的MOS功率器件专用栅极驱动集成电路。GDSCQ3-2Q2-2Q1-2Q3-1Q2-1Q1-1BASDGSDGSDGSDGSDGSDGIR2132和功率MOS管的连接原理图电容Cl-C3是自举电容，通过内部电路获得三路驱动高压侧IGBT的输出驱动器的电源;Dl-D3选用快速恢复二极管，作用是为了防止Cl-C3的两端电压的放电。由于IR2132内部的6个驱动器输出阻抗较低，直接驱动IGBT会引起IGBT的快速开通和关断，这样可能造成IGBT的漏源极间电
2、压的震荡，一则会引起射频干扰，二则造成IGBT遭受过高的du/dt，因此在IGBT的栅极和IR2132的输出间串一无感电阻，如Rl、R3、R5、R7R9。自举电容为0.1F，快速恢复二极管选用FR107。当电路中发生如欠电压、过流和直通时，IR2132内部检测电路检测到后，立即封锁所有输出，使所有IGBT截止，同时经8脚输出信号，经光耦送入CPU。IR2132和IGBT的连接原理图GDSIR2110驱动三相逆变桥C4 0.1A+15VC2 0.47R2 100891011121314IR2110NCVDDHINSDLINVSSNCHOVBVSNCVCCCOMLO7654321C1 0.1uFC3 4.7D1 FR107R1 100+5VC4 0.1+15VC2 0.47R2 100891011121314IR2110NCVDDHINSDLINVSSNCHOVBVSNCVCCCOMLO7654321C1 0.1uFC3 4.7D1 FR107R1 100+5VSC4 0.1C+15VC2 0.47R2 100891011121314IR2110NCVDDHINSDLINVSSNCHOVBVSNCVCCCOMLO7654321C1 0.1uFC3 4.7D1 FR107R1 100+5VBGDSSIR2110驱动三相桥444
