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1、 3-6 基极电阻,已知 要使 增加，应使 减小与 增大。但 的减小受重掺杂效应的限制，而 的增大受厄尔利效应与基区穿通的限制，此外 ， 的增大还会使基极电阻 增大，影响晶体管的功率、频率与噪声特性。以下的分析以 PNP 管为例。,1、方块电阻,对于均匀材料:,对于沿厚度方向 ( x 方向 ) 不均匀的材料:,对于矩形的薄层材料，总电阻就是 乘以电流方向上的方块个数，即:,晶体管中各个区的方块电阻分别为:,发射区：,有源基区： 指正对着发射区下方的在 WB = xjC - xjE 范围内的基区，也称为 工作基区 或 内基区 。,无源基区：指在发射区下方以外从表面到 xjC 处的基区，也称为 非
2、工作基区 或 外基区 。,( 1 ) 内基区电阻 rb,基极电阻 rbb 由 4 部分组成 ：,( 2 ) 内基区边缘到基极接触孔边缘下的电阻 rb,( 3 ) 基极接触孔边缘下到基极接触处的电阻 rcb,( 4 ) 基区与基极金属的欧姆接触电阻 rcon,2、 rcon 与 rb,式中 C 为 欧姆接触系数，单位为 cm2 ， 随半导体类型，掺杂浓度及金属种类不同而不同，参见表 3-2 ( p .122 ) 。 通常掺杂浓度越高， 则 C 越小。,1）单基极条,2）双基极条,在发射区左右对称地设置两个基极接触孔。,E,B,d,L,B,d,Se,Sb,Sb,3）圆环形基极条,dS,dB,Se,
3、3、 rb 与 rcb,3、 rb 与 rcb,1）单基极条,采用 等效电阻 的概念: 总电流IB 在等效电阻rb上消耗的功率IB2rb与分布电流Ib(y)在有源基区消耗的实际功率Pb 相等。,分布电流为,段上的电阻为,在 段电阻上消耗的功率,于是有：,为：,y,Se,0,IB,Ib ( y),dy,令:,得：,为了降低 rcon 与 rcb ，通常在基极接触孔下进行重掺杂，就是对部分无源基区进行重掺杂。,用类似于求 rb 的方法，,无源基区的方块电阻为:,得：,2) 双基极条,3）圆环形基极,圆环形基极的 rcb 很小，可以忽略。,圆环行基极:,降低 rbb 的措施: （1）减小 R口B1 与 R口B2 ，即增大基区掺杂与结深， 但这会降低 ，降低发射结击穿电压与提高发射结势垒电容。 （2）无源基区重掺杂, 以减小 R口B3 和 C 。 （3）减小 Se 、Sb 与 d ，增长 L ， 即采用细线条，并增加基极条的数目， 但这受光刻工艺水平和成品率的限制。,单基极条:,双基极条:,
