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1、数字电子技术基础,内容回顾,概念：自由电子、空穴、N型半导体、 P型半导体 扩散运动、漂移运动、PN结、空间电荷区（耗尽层）。 PN结的单向导电性,导通压降： Si : 0.60.8V 一般取0.7V Ge : 0.10.3V 一般取0.2V,二极管的单向导电性及等效电路,p67-68 三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。,Uo1= 1.3V ; Uo2= 0V; Uo3= -1.3V; Uo4= 2V; Uo5= 1.3V; Uo6= -2V,内容回顾,1.3 晶体三极管,中功率管,大功率管,晶体三极管又称双极型晶体管，半导体三极管等，简称晶体管。,多子浓度高
2、,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,1.3.1 晶体管的结构及类型,1.3.2 晶体管的电流放大作用,晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。,输入回路,输出回路,共射放大电路,一、晶体管内部载流子的运动,1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE,2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB,3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC,二、晶体管的电流分配关系,三、晶体管的共射电流放大系数,共射直流电流放大系数,一般情况下，IBICBO,1,共射交
3、流放大系数,在近似分析中,不对二者加以区分,共基直流电流放大系数,共基交流电流放大系数,1.3.3 晶体管的共射特性曲线,一、输入特性曲线,输入特性曲线描述了在管压降一定的情况下，基极电流与发射结压降之间的函数关系。,二、输出特性曲线,输出特性曲线描述基极电流为一常量时，集电极电流与管压降之间的函数关系。,1.截止区 发射结电压小于开启电压，集电结反偏。,电压关系：,电流关系：,2. 放大区 发射结正偏，集电结反偏。,电压关系：,电流关系：,3. 饱和区 发射结正偏，集电结正偏。,电压关系：,电流关系：,对于小功率管，可以认为当uCE=uBE，即uCB=0时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临
4、界放大状态。,在模拟电路中，绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。,在数字电路中，晶体管工作在截止状态或饱和状态。,直流参数： 、 、ICBO、 ICEO,c-e间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率，PCMiCuCE,安全工作区,交流参数：、fT（使1的信号频率）,极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO,1.3.4 晶体管的主要参数,1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响,一、温度对ICBO的影响 温度升高时， ICBO增大。,二、温度对输入特性的影响,三、温度对输出特性的影响,温度升高时， IC增大,温度升高时， 特性曲线左移,【例1 】判断以下三极管的工作状态。,放大,
5、饱和,截止,倒置,例2 现已测得某电路中几只NPN晶体管三个极的直流电位如下，各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。,放大,放大,饱和,截止,放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。,饱和区：发射结和集电结均正向偏置。,截止区：发射结电压小于开启电压，集电结 反向偏置。,例3（p70 1.9) 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。,三极管均处于放大状态,(1)找出相差0.2V或0.7V的两个极，为基极和发射极； 并确定三极管为硅管还是锗管。,(2)根据第三极是最高还是最低确定为NPN型还是PNP型。,(4)正确画出三极管。,硅管ube=0.7V,锗管ueb=0.2V,硅管,硅管,硅管,锗管,锗管,锗管,1、掌握三极管的电流分配关系。 2、掌握三极管的外特性曲线。 3、掌握三极管三种工作状态的 电压和电流关系及工作状态的判别。,小结：,
