2011届物理高考复习最新6年高考4年模拟分类汇编：磁场

《2011届物理高考复习最新6年高考4年模拟分类汇编：磁场》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2011届物理高考复习最新6年高考4年模拟分类汇编：磁场（76页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 6 年联考年联考 4 年模拟之磁场年模拟之磁场 第一部分第一部分 六年高考题荟萃六年高考题荟萃 20102010 年高考新题年高考新题 20102010重庆重庆如题 21 图所式，矩形 MNPQ 区域内有方向垂直于纸面的匀强磁场，有 5 个带点粒子从 图中箭头所示位置垂直于磁场边界进入磁场，在纸面内做匀速圆周运动，运动轨迹为相应的圆弧，这些粒子 的质量，电荷量以及速度大小如下表所示。 由以上信息可知，从图中 abc 处进入的

2、粒子对应表中的编号分别为 A.3,5, 4 B.4,2,5 C.5,3,2 D.2,4,5 【答案】D 【解析】根据半径公式 Bq mv r 结合表格中数据可求得 15 各 组粒子的半径之比依次为 0.52332，说 明第一组正粒子的半径最小，该粒子从 MQ 边界进入磁场逆时针运动。由图 a、b 粒子进入磁场也是逆时针运动， 则都为正电荷，而且 a、b 粒子的半径比为 23，则 a 一定是第 2 组粒子，b 是第 4 组粒子。c 顺时针运动，都 为负电荷，半径与 a 相等是第 5 组粒子。正确答案 D 2.2.20102010全国卷全国卷1717 某地的地磁场磁感应强度的竖直分量方向向下，大小

3、为 5 4.5 10T。一灵敏电压表连接 在当地入海河段的两岸，河宽 100m，该河段涨潮和落潮时有海水（视为导体）流过。设落潮时，海水自西向东 流，流速为 2m/s。下列说法正确的是 A河北岸的电势较高 B河南岸的电势较高 C电压表记录的电压为 9mV D电压表记录的电压为 5mV 【答案】BD 【解析】海水在落潮时自西向东流，该过程可以理解为：自西向东运动的导体棒在切割竖直向下的磁场。根据 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 右手定则，右岸即北岸是正极电势

4、高，南岸电势低,D 对 C 错。根据法拉第电磁感应定律 35 1092100105 . 4 BLvEV, B 对 A 错 【命题意图与考点定位】导体棒切割磁场的实际应用题。 3.3. 20102010江苏物理江苏物理99 如图所示，在匀强磁场中附加另一匀强磁场，附加磁场位于图中阴影区域，附加磁场区 域的对称轴 OO与 SS垂直。a、b、c 三个质子先后从 S 点沿垂直于磁场的方向摄入磁场，它们的速度大小相等， b 的速度方向与 SS垂直，a、c 的速度方向与 b 的速度方向间的夹角分别为、，且。三个质子经过附 加磁场区域后能达到同一点 S，则下列说法中正确的有 A三个质子从 S 运动到 S的时

5、间相等 B三个质子在附加磁场以外区域运动时，运动轨迹的圆心均在 OO轴上 C若撤去附加磁场，a 到达 SS连线上的位置距 S 点最近 D附加磁场方向与原磁场方向相同 答案：答案：CDCD 4.4. 20102010上海物理上海物理1313 如图，长为2l的直导线拆成边长相等，夹角为60o的V形， 并置于与其所在平面相垂直的匀强磁场中，磁感应强度为B，当在该导线中通以电流强 度为I的电流时，该V形通电导线受到的安培力大小为 （A）0 （B）0.5BIl （C）BIl（D）2BIl 答案答案：C C 解析：导线有效长度为 2lsin30=l，所以该 V 形通电导线收到的安培力大小为BIl。选 C。

6、 本题考查安培力大小的计算。 5 520102010安徽安徽2020 如图所示，水平地面上方矩形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场， 两个边长相等的单匝闭合正方形线圈和，分别用相同材料，不同粗细的导线绕制 （为细导线）。两线圈在距磁场上界面h高处由静止开始自由下落，再进入磁场，最 后落到地面。运动过程中，线圈平面始终保持在竖直平面内且下边缘平行于磁场上边界。 设线圈、落地时的速度大小分别为v1、v2，在磁场中运动时产生的热量分别为 Q1、Q2。不计空气阻力，则 Av1 Q2 Dv1 =v2，Q10 表示电场方向竖直向上。t=0 时， 一带正电、质量为m的微粒从左边界上的 N1点以水平速度v射入该

7、区域，沿直线运动到 Q 点后，做一次完整的 圆周运动，再沿直线运动到右边界上的 N2点。Q 为线段 N1N2的中点，重力加速度为 g。上述 d、E0、m、v、g 为 已知量。 (1)求微粒所带电荷量 q 和磁感应强度 B 的大小； (2)求电场变化的周期 T； (3)改变宽度 d，使微粒仍能按上述运动过程通过相应宽度的区域，求 T 的最小值。 O 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 电场变化的 周期 12 2 dv Ttt vg （3）若微粒能完成题述的运动过

8、程，要求 2dR 联立得： 2 2 v R g 11 设 N1Q 段直线运动的最短时间 t1min，由得 11 1min 2 v t g 因 t2不变，T 的最小值 min1min2 (21) 2 v Ttt g 9.9. 20102010全国卷全国卷2626 图中左边有一对平行金属板，两板相距为 d，电压为 V;两板之间有匀强磁场，磁场应 强度大小为，方向平行于板面并垂直于纸面朝里。图中右边有一边长为 a 的正三角形区域 EFG(EF 边与金属 板垂直)，在此区域内及其边界上也有匀强磁场，磁感应强度大小为 B，方向垂直于纸面朝里。假设一系列电荷 量为 q 的正离子沿平行于金属板面，垂直于磁场

9、的方向射入金属板之间，沿同一方向射出金属板之间的区域， 并经 EF 边中点 H 射入磁场区域。不计重力 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 （1）已知这些离子中的离子甲到达磁场边界 EG 后，从边界 EF 穿出磁场，求离子甲的质量。 （2）已知这些离子中的离子乙从 EG 边上的 I 点（图中未画出）穿出磁场，且 GI 长为 3 4 a，求离子乙的质 量。 若这些离子中的最轻离子的质量等于离子甲质量的一半，而离子乙的质量是最大的，问磁场边界上什么区域内 可能有离

10、子到达。 【答案】aR 3 32 0 3 2 Btm q 速度与 y 轴的正方向的夹角范围是 60到 120 4粒子发射到全部离开所用 时间 为 0 2t 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 10.10. 20102010福建福建2020 如图所示的装置，左半部为速度选择器， 右半部为匀强的偏转电场。一束同位素离子流从狭缝 1 S射入速度 选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝 2 S射出的离子， 又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场， 最

11、后打在照相底片D上。已知同位素离子的电荷量为q(q0)，速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为 0 E的匀强电场和磁感应强度大小为 0 B的匀强磁场，照相底片 D 与狭缝 1 S、 2 S连线平行且距离为 L，忽略重力 的影响。 （1）求从狭缝 2 S射出的离子速度 0 V的大小； （2）若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度 0 方向飞行的距离为x，求出x与离子质量m之间 的关系式(用 0 E 、 0 B 、E、 q 、m、L 表示)。 答案：答案： 11.11. 20102010新课标新课标2525 如图所示，在 0xa、oy 2 a 范围内有垂直于 xy 平面向外的匀强磁场，磁感应强

12、 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 度大小为 B。坐标原点 O 处有一个粒子源，在某时刻发射大量质量为 m、电荷量为 q 的带正电粒子，它们的速度 大小相同，速度方向均在 xy 平面内，与 y 轴正方向的夹角分布在 0 0 90范围内.己知粒子在磁场中做圆周运动 的半径介于 2 a 到 a 之间，从发射粒子到粒子全部离开磁场经历的时间恰好为粒子在磁场中做圆周运动周期的四 分之一.求最后离开磁场的粒子从粒子源射出时的(1)速度大小；(2)速度方向与 y 轴正方

13、向夹角正弦。 12.12. 20102010北京北京2323 利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。 如 图 1， 将一 金属 或半 导体 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学业水平测试各科资源下载 状元源打造最全的免费高考复习、学业水平考试复习资料，更多资料请到状元源下载。 薄片垂直至于磁场 B 中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象 称霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用相一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场 ，同时产生霍尔电势差。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时

14、，和达到稳定值，的大 小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式 HH IB UR d ，其中比例系数称为霍尔系数，仅与材料性 质有关。 （） 设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出和的关系式；若半导体材料是电子导电的，请 判断图中c、f哪端的电势高； （） 已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为，电子的电荷量为，请导出霍尔系数的表达式。 （通过横截面积的电流InevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）； （） 图 2 是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着个永磁体，相 邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉 冲信号图像如图所示。 .若在时间内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式。 .利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程。除除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实 例或设想。 解析：解析：（1）由 HH IB UR d 得 当电场力与洛伦兹力相等时 e H EevB 得 H EvB 将 、代入， 得 1 H ddld RvBlvl IBnevSneSne （2） a.由于在时间 t 内，霍尔元件输出的脉冲数目为 P，则 P=mNt 圆盘转速为 N= P N mt b.提出的实例或设想 状元源 http:/ 免注册、免费提供中学高考复习各科试卷下载及高中学