功率mos器件uis失效及其改善

上传人:101****457 文档编号:90616052 上传时间:2019-06-14 格式:PPT 页数:16 大小:2.14MB
返回 下载 相关 举报
功率mos器件uis失效及其改善_第1页
第1页 / 共16页
功率mos器件uis失效及其改善_第2页
第2页 / 共16页
功率mos器件uis失效及其改善_第3页
第3页 / 共16页
功率mos器件uis失效及其改善_第4页
第4页 / 共16页
功率mos器件uis失效及其改善_第5页
第5页 / 共16页
点击查看更多>>
资源描述

《功率mos器件uis失效及其改善》由会员分享,可在线阅读,更多相关《功率mos器件uis失效及其改善(16页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、功率MOS器件UIS失效及其改善,2014.10,主要内容,UIS基本介绍,1,2,UIS失效机理,3,4,UIS改善方向,UIS测试原理,UIS简介,UIS:Unclamped Inductive Switching,非嵌位感性负载开关过程。 UIS是模拟 MOS器件在系统应用中遭遇极端电热应力情况,在回路导通时储存在电感中的能量必须在关断瞬间全部释放,此时高电压大电流极易引起器件失效。 UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指标。 UIS失效机理以及其改善的研究一直是功率MOS器件研究的重点热点。,主要内容,UIS基本介绍,1,2,UIS失效机理,3,4,UIS改善方向,UIS测试原理,UI

2、S测试电路,A 测试设备,B 测试电路,UIS测试流程,对所有UIS测试电路,测试流程都一样,分有三步: 关断状态,此时漏源电压 VDS=VDD,电感 L 中没有储存能量。 开启状态,栅电极加适当脉冲,器件导通,电压源对电感充电,在回路中满足 关断状态,栅电极电压为0,电感开始将储存的能量通过MOS器件泄放,在回路中满足,UIS测试波形,参考测试电路,在第三步关断过程中,通常VDD接地,所以 定义单次脉冲雪崩能量值,A 常见测试波形,另一种较常见的测试电路与波形,雪崩能量表达式: 雪崩时间表达式:,主要内容,UIS基本介绍,1,2,UIS失效机理,3,4,UIS改善方向,UIS测试原理,电流相

3、关的失效:关断时大电流引起寄生NPN管的开启。 能量相关的失效:功率耗散带来的器件温升到达了材料的本征温度。,UIS失效机理,实际应用中多由大电流引起UIS失效。 重点关注大电流引起NPN管开启。 条件:RB*I0.7V,A 开启前电流路径,B 开启后电流路径,UIS失效机理,当NPN管开启后具体失效模式体现以下两点: NPN开启,经三极管放大后电流进一步增大,温度升高,高温又使电流再升高,形成正反馈,使得器件过热失效。 NPN开启,发生二次击穿,BVCEO取代BVCBO,也使得器件耐压能力急剧减小,器件更容易被击穿甚至烧毁。,A 理论曲线,B 仿真曲线,主要内容,UIS基本介绍,1,2,UI

4、S失效机理,3,4,UIS改善方向,UIS测试原理,UIS改善方向,抑制NPN管开启,尽量保证器件关断时 流经P基区的电流与电阻之积小于PN结开启电压:RB*I0.7V 改善思路: 减小P基区和P plus区电阻 RB 减小流经基区的电流 I 具体方法: 减小电流法 减小电阻法,减小电流法,优化思路:减小雪崩时流经体基区电阻的电流。 RB*I0.7V 核心思想:改变雪崩时电流的流经通道,使得关断电流规避基区电阻,避免NPN开启发生 优化结构不能影响器件的其他性能参数。,Fig 传统结构关断时电流流径,减小电阻法,Fig 传统结构关断时电流流径,优化思路:减小雪崩电流流经体基区的电阻。 RB*I0.7V 核心思想:减小体基区的横向电阻,可以极大提高器件关断时的雪崩电流。 优化结构不能影响器件的其他性能参数。,Thank you,

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 中学教育 > 其它中学文档

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号