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1、三极管的命名和参数,半导体器件的命名方式,第一部分,数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼),电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号,3 三极管,第二部分,第三部分,X 低频小功率管,G 高频小功率管,D 低频大功率管,A 高频大功率管,第四部分,第五部分,例：,3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管,D 硅材料 NPN,C 硅材料 PNP,A 锗材料 PNP,B 锗材料 NPN,2.1.6 半导体三极管的型号,国家标
2、准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,1. 电流放大系数 ，,当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数,当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为 IC 。 IC 与 IB的比值称为动态电流(交流)放大系数,在输出
3、特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,可近似认为 ，但二者含义不同。,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,(1)直流参数,极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。,指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称为反向饱和电流。,EC,2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极
4、间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。,EC,1.集电极 基极反向饱和电流ICBO。,反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。,二、极间反向饱和电流,2.集电极 发射极反向饱和电流ICEO。 (2.1.7),1. 电流放大系数 ，,当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数,当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为
5、 IC 。 IC 与 IB的比值称为动态电流(交流)放大系数,在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,可近似认为 ，但二者含义不同。,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,(2)交流参数,1,2,7,3,4,5,返回,特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。,(2)交流参数,当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流 ICM 。,1. 集电极最大允许电流ICM,(3
6、)极限参数,基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集射反相击穿电压 U(BR)CEO 。,2.V(BR)CEO发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极B开路。,管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。,2. 集电极 发射极间反向击穿电压V(BR)CEO,当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。,由 ICM 、 U(BR)CEO 、 PCM 三者共同确定晶体管的安全工作区。,返回,正常工作时，IC流过集电结要消耗功率，而使三极管发热，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应该使集电极消耗的功率PCPCM,3. 集电极最大允许耗散功率PCM,3. 集电极最大允许功耗PCM,集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为：,PC =ICUCE,必定导致结温 上升，所以PC 有限制。,PCPCM,ICUCE=PCM,安全工作区,上一页,首 页,
