《数字电子技术 教学课件 ppt 作者 王秀敏主编11 11.4》由会员分享，可在线阅读，更多相关《数字电子技术 教学课件 ppt 作者 王秀敏主编11 11.4（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、,数字逻辑电路,11.4 随机存储器RAM,断电后存储的数据随之消失，具有易失性。,特点： 可随时读出，也可随时写入数据；,根据存储单元的工作原理不同，RAM分为静态RAM和动态RAM。,静态RAM: 优点:数据由触发器记忆,只要不断电,数据就能永久保存。,缺点:存储单元所用的管子数目多,功耗大,集成度受到限制。,动态RAM:,优点:存储单元所用的管子数目少,功耗小,集成度高。,缺点:为避免存储数据的丢失,必须定期刷新。,一、SRAM的基本结构,SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成.,SRAM的基本结构,存储容量字数位数 2nm位,二、SRAM静态存储单元,基本RS触发
2、器,无论读出还是写入操作，都必须使行选线X和列选线Y同时为“1”.,PMOS管,三、动态随机存储器(DRAM),动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”。 刷新之间的时间间隔一般不大于 20ms。,动态MOS存储单元有四管电路、三管电路和单管电路等。,写入数据：,X=Y=“1”,0,1,1,0,1,0,0,1,读出数据：,Q=0时，读出D=0；,Q=1时，读出D=1；,X=Y=“1”,1,0,CO1、CO2预充电,0,1,D=1时，C2充电，写入Q=1；,D=0时，C1充电，写入Q=0。,写入信息时，字线为高电平，VT导通，位线上的数据经过VT存入CS。,读出信息时，字线为高电平，VT管导通，这时CS经VT向CO充电，使位线获得读出的信息。这是一种破坏性读出。因此每次读出后，要对该单元补充电荷进行刷新，同时还需要高灵敏度读出放大器对读出信号加以放大。,四、单管动态MOS存储单元,
