《光子学与光电子学 教学课件 ppt 作者 原荣 第7章 电光磁光声光效应及应用》由会员分享，可在线阅读，更多相关《光子学与光电子学 教学课件 ppt 作者 原荣 第7章 电光磁光声光效应及应用（53页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,1,第7章 电光/磁光/声光效应及应用,7.1 电光效应及器件 7.2 热电效应及热光开关 7.3 磁光效应及其器件 7.4 声光效应及其器件,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,2,7.1 电光效应及器件,7.1.1 电光效应 7.1.2 电光调制器工作原理 7.1.3 电光强度调制器 7.1.4 电光相位调制器 7.1.5 马赫-曾德尔幅度调制器 7.1.6 QPSK光调制器 7.1.7 电光开关,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,3,7.1.1 电光效应,电光效应是外加电场引起各向异性晶体材料折射率改变的效应。 对于一个入射偏振光，施加的电场强度E对
2、折射率n的影响可用E的泰勒级数表示 （7.1.1） 式中， 和分别表示线性电光效应和二阶电光效应系数，由于高阶项的影响很小，所以可以略去不计。由于第一项E引起n的变化 （7.1.2） 称为珀克（Pockel）效应，珀克电光效应是各向异性的，并严格取决于输入光相对于材料轴线的取向。对于某个方向， = 0，称为线性电光效应或珀克效应。只有某些晶体材料表现为珀克效应。只有中心非对称晶体，如GaAs晶体，表现为珀克效应。 而由于第二项引起n的变化 （7.1.3） 称为克尔（Kerr）效应。式中，K是克尔系数。如果取向选择 = 0 ，称为二阶电光效应或克尔效应，所有的材料都表现为克尔效应。,光子学与光电
3、子学 原荣 邱琪 编著,4,图7.1.1 外加电场对各向同性晶体和 各向异性晶体折射率的影响,事实上，我们必须考虑沿晶体某个方向施加的电场，对光在给定传输方向上的折射率的影响。 在LiNbO3晶体中，沿z方向（光轴）传输的光波，不加外电场时，x方向和y方向经历相同的折射率（nx= ny = no），不管偏振态如何变化，如图7.1.1（a）所示。 然而，在外加平行于y轴的电场Ea时，如图7.1.1（c）所示，外加电场引入沿z轴传播的双折射，即光以平行于x和y轴的两个正交偏振态经历不同的折射率（和）沿着z轴方向传播,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,5,珀克电光效应调制器,很显然，改变外加电场（
4、电压），就可以控制折射率，进而改变相位，实现相位调制。 如果外电场与光传播的方向相同，这种调制器叫做纵向珀克电光效应调制器，如图7.1.1（b）所示； 反之，如果外电场与光传播的方向垂直，这种调制器就叫做横向珀克电光效应调制器，如图7.1.1（c）所示，施加的外电场与y方向相同，光的传输方向沿着z方向，外电场在光传播方向的横截面上。 调制器通常利用线性电光效应。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,6,7.1.2 电光调制器工作原理,电光调制基于晶体和各向异性聚合物中的线性电光效应，即电光材料的折射率n随施加的外电场E而变化，n = n(E)，例如LiNbO3、InGaAsP 、GaAs和聚合
5、物这样的电光材料，它的折射率明显随施加的外电场而改变，从而实现对激光的调制。基于InP材料的高速光调制器受到人们的重视，因为它的珀克（Pockel）电光效应虽然比LiNbO3的弱，但是它的折射率n约为3.5，却是较大的。 电光调制器是一种集成光学器件，即它把各种光学器件集成在同一个衬底上，从而增强了性能，减小了尺寸，提高了可靠性和可用性。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,7,图7.1.2 横向线性电光效应相位调制器,当EY沿横轴传输距离 L 后，引起相位变化，于是Ex 和 Ey 产生的相位变化为：,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,8,横向线性电光效应相位调制器,施加的外电压在两个电场分
6、量间产生一个可调整的相位差，因此出射光波的偏振态可被施加的外电压控制。 可以调整电压来改变介质从四分之一波片到半波片，产生半波片的半波电压U = U/2对应于 。 横向线性电光效应的优点是我们可以分别独立地减小晶体厚度 d 和增加长度 L，前者可以增加电场强度，后者可引起更多的相位变化。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,9,7.1.3 电光强度调制器,在图7.1.2（a）所示的相位调制器中，在相位调制器之前和之后分别插入5.2.2节介绍的起偏器（polarizer）和检偏器（Analyzer），我们就可以构成强度调制器，如图7.1.3所示，起偏器和检偏器的偏振方向相互正交。起偏器偏振方向与
7、y轴有45o角的倾斜，所以进入晶体的Ex和Ey光幅度相等。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,10,图7.1.3 横向线性电光效应强度调制器,（a）在相位调制器之前和之后分别插入起偏器和检偏器可构成强度调制器 （b）探测器检测到的光强和施加到晶体上的电压的传输特性，虚线表示插入/4波片后的特性 图中调制器的工作点已用光学的方法（在起偏器之后插入一个四分之一波片）偏置到Q点。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,11,横向线性电光效应强度调制器工作原理,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,12,利用横向线性电光效应 制成的行波马赫-曾德尔调制器PIC,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,13,
8、7.1.4 电光相位调制器,目前，大多数调制器是由铌酸锂（LiNbO3）晶体制成的，这种晶体在某些方向具有非常大的电光系数。根据式（7.1.5）可以构成相位调制器，它是电光调制器的基础，通过相位调制，可以实现幅度调制和频率调制。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,14,图7.1.4 x切割集成相位调制器,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,15,7.1.5 马赫-曾德尔幅度调制器,最常用的幅度调制器是在晶体表面用钛扩散波导构成的马赫-曾德尔（M-Z）干涉型调制器，如图7.1.5所示。 在这种调制器中，使用两个频率相同但相位不同的偏振光波，进行干涉，外加电压引入相位的变化可以转换为幅度的变化。
9、在图7.1.5（a）表示的由两个Y形波导构成的结构中，理想的情况下，输入光功率在C点平均分配到两个分支传输，在输出端D干涉，所以该结构扮演着一个干涉仪的作用，其输出幅度与两个分支光通道的相位差有关。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,16,图7.1.5（a） 马赫-曾德尔 幅度调制器,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,17,商用相位调制器,工作波长15251575 nm，插入损耗2.53.0 dB，消光比 25 dB，回波损耗45dB，半波电压3.5 V。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,18,图7.1.5(b) 马赫-曾德尔幅度调制器,根据式（3.1.2），当两臂间的相位差是0或2
10、的整数倍时，在D点发生相长干涉，输出光强最大； 当两臂间的相位差等于时，在D点出现了相消干涉，输入光强为零。 当调制电压引起A、B两臂的相位差在0时，输出光强将随调制电压而变化。由此可见，加到调制器上的电比特流在调制器的输出端产生了波形相同的光比特流复制。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,19,鈦扩散鈮酸锂电光效应调制器，工作频率16 GHz, 波长1550 nm,最大调制电压 20V,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,20,7.1.6 QPSK光调制器,高速光纤传输系统面临的最大挑战是，采用传统的调制方式时，高速比特速率传输导致的物理损害非常突出。以色散为例，采用传统的非归零（NRZ）
11、调制，色散随着速率呈指数增长，40 Gb/s线路的色散是10 Gb/s的16倍，100 Gb/s串行线路的色散将达到10 Gb/s的100倍。 一项被广泛视为40 Gb/s，乃至串行100 Gb/s的先进的调制方式是差分正交相移键控（DQPSK）。这种调制技术同时调制信号的强度和相位，以尽可能减轻色散的影响。 但DQPSK调制方式在实现的过程中需要一种QPSK光调制器。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,21,图7.1.6 马赫-曾德尔单边带调制器（MZM）,QPSK光调制器由4个如图7.1.6（c）所示的马赫-曾德尔调制器（MZM）构成。它们是在0.1 mm厚的铌酸锂（LiNbO3）基板上
12、制作的参数相同的双平行马赫-曾德尔调制器（DP-MZM）。 DP-MZM DQPSK光调制器包含两个主MZ干涉仪，每一个主干涉仪又内嵌两个子干涉仪。对于DQPSK调制，两个二进制数据流分别加到两个子MZI（MZA和MZB）插拔电极，以便控制同相I成分和正交Q成分。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,22,图7.1.6（c） 使用双平行马赫-曾德尔调制（DP-MZM）的DQPSK光调制器,参数相同指的是均为单边带调制器、均采用频移键控（FSK）和行波共平面波导电极等。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,23,图7.1.6 双平行马赫-曾德尔调制器（DP-MZM）DQPSK光调制器,QPSK光
13、调制器由4个如图7.1.6a（即图7.1.5b）所示的马赫-曾德尔调制器（MZM）构成，如图7.1.6c所示。 /2相移可用5.2.1节介绍的相位延迟片实现。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,24,7.1.7 电光开关,7.1.1节已介绍了电光效应，利用其原理也可以构成波导光开关。 开关时间短（毫秒到亚毫秒量级）； 体积非常小，而且易于大规模集成； 但插入损耗、隔离度、消光比和偏振敏感性指标都比较差。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,25,图7.1.7 马赫-曾德尔11光开关,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,26,图7.1.7马赫-曾德尔11光开关,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编
14、著,27,7.2 热电效应及热光开关,在图7.1.7表示的电光波导开关中，用一个薄膜加热器代替加控制电压的电极，就可构成热光开关（TOS），如图7.2.1a所示。 它具有马赫-曾德尔干涉仪（M-ZI）结构形式，包含两个3 dB定向耦合器和两个长度相等的波导臂。波导芯和包层的折射率差较小，只有 0.3%。波导芯尺寸为8 m 8 m， 包层厚50 m。每个臂上具有Cr薄膜加热器，其尺寸为50 m宽，5 mm长。该器件的尺寸为 303 mm。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,28,图7.2.1 热光波导开关,在电光波导开关中，用一个薄膜加热器代替加控制电压的电极，就可构成热光开关（TOS）； 其
15、交换原理是基于是基于马赫-曾德尔干涉滤波器原理（见3.1.11节），在硅介质波导内的相位变化由热-电效应引起。 不加热时，器件处于交叉连接状态； 但在通电加热Cr薄膜时，引起它下面波导的折射率和相位变化，切换到平行连接状态。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,29,图7.2.1c 表示热电光开关的输出特性和驱动功率的关系。 热驱动功率由0变为0.5 W时，可引起输出状态的切换,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,30,7.3 磁光效应及其器件,7.3.1 磁光效应 7.3.2 磁光开关 7.3.3 光隔离器 7.3.4 磁光波导光隔离器 7.3.5 光环行器,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编
16、著,31,7.3.1 磁光效应,把非旋光材料如玻璃放在强磁场中，当平面偏振光沿着磁场方向入射到非旋光材料时，光偏振面将发生右旋转，这种效应就称作法拉第（Faraday）效应； 它由Michael Faraday在1845年首先观察到。旋转角 和磁场强度H与材料长度L的乘积成比例： （7.3.1）,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,32,图7.3.1 法拉第磁光效应,磁场由包围法拉第介质的稀土磁环产生； 起偏器由双折射材料如方解石担当； 法拉第介质可由掺杂的光纤或者具有大的维德常数的材料构成，如钇铁石榴石晶体。 如果反射光再一次通过介质，则旋转角增加到2。,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,33,法拉第旋转器,它能使光纤上任意一点出射光的偏振态与入射光的偏振态正交,光子学与光电子学 原荣 邱琪 编著,34,7.3.2 磁光开关,当线圈施加电压+5 V时，电磁铁对Gd：YIG晶体施加磁场，因为法拉第介质和石英介质对光束偏振面的旋转分别为
