《电子技术基础 第2版 中国通信学会普通高等教育“十二五”规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 姜桥 邢彦辰 第1章 常用的半导体器件》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电子技术基础 第2版 中国通信学会普通高等教育“十二五”规划教材立项项目 教学课件 ppt 作者 姜桥 邢彦辰 第1章 常用的半导体器件（48页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、第1章 常用半导体器件,1.1 PN结,光敏性：当收到光照时，导电能力明显变化。,参杂性：往纯净的半导体中参入某种杂质，导电能力明显 改变。,1.1.1半导体的导电特性 1.半导体的特点,热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。,2、本征半导体,本征半导体纯净的、不含其他杂质的半导体,本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。,1.1.1半导体的导电特性,形成： 在本征半导体中掺入微量三价元素。,(1) P型半导体,3.杂质半导体,1.1.1半导体的导电特性,多数载流子空穴,少数载流子电子,3.杂质半导体,形成： 在本征半导体中
2、掺入微量五价元素。,(2) N型半导体,1.1.1半导体的导电特性,多数载流子电子,少数载流子空穴,1. PN结的形成,1.1.2 PN结,动态平衡,形成空间电荷区,PN结形成,P型和N型 半导体结合,扩散运动,内电场建立,阻碍扩散运动 促使漂移运动,多子浓度差,2. PN结的单向导电特性,（1）PN结正向偏置,正偏P区接电源正极，N区接电源负极。,PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大。,1.1.2 PN结,（2）PN结反向偏置,反偏N区接电源正极，P区接电源负极。,PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。,2. PN结的单向导电特性,1.1.2 PN结,（1）热击穿
3、：不可逆，应避免。 （2）电击穿：可逆。又分为雪崩击穿和齐纳击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。,3. PN结的反向击穿特性,1.1.2 PN结,1.2 半导体二极管,1.2.1 二极管的结构,1.结构与符号,（a）点接触型,（b）面接触型,1.2 半导体二极管,1.2.1 二极管的结构,1.结构与符号,在PN结的两端各引出一根电极引线，然后用外壳封装起来就构成了半导体二极管（或称晶体二极管，简称二极管）。,1.2.1 二极管的结构,2.分类,（a）点接触型 （b）面接触型 （c）平面型,材料：硅二极管和锗二极管 用途：整流、稳压、开关、普通二极管 结构
4、、工艺：点接触型、面接触型、平面型,1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型,1. 二极管的伏安特性,伏安特性是指二极管两端的电压u与流过二极管电流i的关系。,反向饱和电流,1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型,（1）正向特性 当外加正向电压小于死区电压Uth 时，正向电流i0。Uth 又称开启电压或门坎电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 当正向电压继续增大至二极管完全导通后，两端电压基本为定值，称为二极管的正向导通压降。硅管约为0.60.8V（通常取0.7V），锗管约为0.20.3V（通常取0.2V）。,1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型,（2）反向特性 外加反向电压时，反向电流
5、很小（IIS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。在室温下，硅管的反向饱和电流比锗管的小得多，小功率硅管的IS小于0.1A，锗管为几十微安。 当反向电压达到U（BR）时，反向电流急剧增大，二极管击穿。U（BR）称为反向击穿电压，二极管一旦击穿，便失去单向导电性，使用时要注意。,1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型,2. 温度特性 温度对二极管伏安特性的影响很大，如图1.2.3中虚线部分为温度升高时的特性。特点概括如下： （1）当温度升高时，二极管的正向特性曲线向左移动 二极管的导通压降降低。 （2）当温度升高时，二极管的反向特性曲线向下移
6、动 反向饱和电流IS增大。 （3）当温度升高时，反向击穿电压U(BR)减小。,结论： 二极管是非线性元件；二极管具有单向导电性。,3二极管的等效电路模型,1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型,（1）理想电路模型,（2）恒压降模型,（3）二极管的小信号模型,二极管的电压和电流在微小变化范围内，将二极管近似看成线性器件，等效为一个动态电阻rD。,1.2.3 二极管的主要参数,1. 最大整流电流IFM,2. 反向击穿电压UBM,3. 反向电流IR,4. 最高工作频率fM,1.2.4 二极管的应用及测试,1二极管的应用,利用二极管的单向导电特性，常用作整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿
7、等。,【例1.2.1】图1.2.6所示是利用二极管构成的正向限幅器。所谓限幅器就是削波电路，用来限制输出电压的幅度。设ui=12sint V，US=3V。试分析工作原理，并作出uo的波形（VD为理想元件）。,1.3 特殊二极管,1.3.1 稳压二极管,稳压二极管是一种特殊工艺制造的面接触型硅二极管，通常工作在反向击穿状态。 稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。,1. 基本概念,2. 主要参数,(1) 稳定电压VZ,1.3.1 稳压二极管,UZ是指稳压管在正常工作（流过的电流在规定范围内）时，稳压管两端的电压值。,（2）稳定电流IZ和最大稳定电流IZM,IZ是指稳压管在正常
8、工作时的参考电流值，通常为工作电压等于UZ时所对应的电流值。当工作电流低于IZ时，稳压效果变差。若工作电流低于IZmin将失去稳压作用。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大反向电流，若工作电流高于IZM稳压管易击穿而损坏。,（3）最大耗散功率PZM PZM是指稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积，它是由管子的温升所决定的参数。 IZM和PZM是为了保证管子不发生热击穿而规定的极限参数。,发光二极管(LED) 是一种将电能转化为光能的特殊二极管。 根据材料的不同可发出红、绿、兰、黄光泽。其工作电压一般为(1.53V),工作电流为(10mA30mA)。,1.3.2 发光二极管,又称
9、为光敏二极管，反向偏置时光照导通。反向电流随光照强度的增加而上升。 是一种将光信号转化为电信号的特殊二极管,如影碟机中的激光二极管.,1.3.3 光电二极管,1.4 双极型三极管,双极型半导体三极管（简称BJT），又称为双极型晶体三极管或三极管、晶体管等。之所以称为双极型管，是因为它由空穴和自由电子两种载流子参与导电。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。,1.4.1 三极管的基本结构及类型,1.结构与符号,1.4.1 三极管的基本结构及类型,2. 三极管的分类,按材料可分为：硅管和锗管两类。 按工作频率高低可分为：低频管（3MHz以下）和高频管（3MHz以上）两类。 按功率分为：大、
10、中、小功率等。 根据特殊性能要求可分为开关管、低噪声管、高反压管等等。,3. 三极管结构特点, 发射区的掺杂浓度最高。, 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大。, 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。,1. 电流放大条件,三极管的电流放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置,1.4.2 晶体三极管的电流分配关系及电流放大作用,图1.4.2 晶体三极管特性测试电路,（1）电流分配关系,（2）IEICIB,电流放大作用基极电流较小的变化引起集电极电流较大的变化，即小量控制大量的作用。,2. 晶
11、体三极管的电流分配关系及电流放大作用,（3）电流放大作用,. 输入特性曲线,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。,（3）uCE 1V再增加时，曲线右移很不明显。不同的UCE输入曲线几乎重合。,（2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,. 输入特性曲线,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,输出特性是只在基极电流IB一定的情况下，集电极与发射极之间的电压uCE与集电极电流iC之间的关系，即,2. 输出特性曲线,
12、通常把输出特性曲线分成截止、饱和、放大三个工作区来分析半导体三极管的工作状态。,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,总结三极管三个工作区的特点，见表1.4.2,表1.4.2 晶体管在不同工作状态下的特点,【例1.4.1】测得工作在放大电路中两个晶体管管脚对地的电位分别如下表所列。试判断管型、电极及所用材料。,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,晶体管1 晶体管2,（1）晶体管1中，3脚电位最高，它是集电极C，且为NPN型管。1脚和2脚之间的电压为0.6V，可确定1脚是基极、2脚是发射极，且为硅管。,（2）晶体管2中，1脚电位最低，它是集电极C，且为PNP型管。2脚和3脚之间的电压为0.3V
13、，可确定2脚是基极、3脚是发射极，且为锗管。,【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,（a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图,（1）在（a）图中，晶体管为NPN型。因为UBE=0.7V，发射结正偏，为硅管。又因为VBVC，集电结也正偏，故工作在饱和状态。,【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,（a) (b) (c) 图1.4.6
14、例1.4.2图,（2）在（b）图中，晶体管为NPN型。因为UBE=0.3V，发射结正偏，为锗管。又因为VBVC，集电结反偏，故工作在放大状态。,【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？,1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线,（a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图,（3）在（c）图中，晶体管为PNP型。因为UBE0.600.6V，发射结反偏（PNP型），又因为VBVC ，集电结也反偏，故工作在截止状态。此时无法判别是硅管还是锗管。,ICEO=(1+)ICBO,1.4.4 晶体三极管的主要参数,1.
15、4.4 晶体三极管的主要参数,4.温度对三极管参数的影响,3.极限参数,（1）集电极最大允许电流ICM,（2）集电极最大允许耗散功率PCM,（3）集电极击穿电压U(BR)CEO,（1）对IEBO 、ICBO的影响温度每升高10，ICBO增大一倍。 （2）对的影响温度每升高1，增加0.5%1.0%左右 （3）对发射结导通电压UBE的影响温度每升高1，UBE 减小22.5 mV。,晶体三极管（BJT）是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,1.5 场效应管,场效应管分类,1.5 场效应管,1.5.1 绝缘栅场效应管,1. N沟道增强型MOS管,（1）结构及符号,栅源电压uGS的控制作用,（2）工作原理, 当uGS=0V时， 管子截止。ID0, 当uGS0V时 纵向电场将靠近栅极下方的空穴向下排斥耗尽层。,1.5.1 绝缘栅场效应管,1. N沟道增强型MOS管,再增加UGS 纵向电场将P区少子电子聚集到P区表面形成导电沟道，如果此时加有
