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1、申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的内 容。 一、选择填空题 1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。 3、N 型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。 4、P 型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。 5、PN 结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止） 。除了 单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 6、PN 结的伏安特性方程式： ) 1( T S = V V eII 正偏时： T S V V eII 反偏时： S II 其中：热电压 q kT V = T 26mV（室温）
2、；温度每升高 10， Is 约增加一倍。 7、硅 PN 结：VD（on）=0.7V 锗 PN 结：VD（on）=0.3V 8、PN 结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复） ，齐纳击穿 （可恢复） 。 9、PN 结的电容特性：势垒电容、扩散电容。 10、三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积 大。 11、三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏； 截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 12、三极管工作在放大模式下： 对 NPN 管各极电位间要求：VeVbVc 例：测得某三极管的三个极的电压分别为 U1=10V，
3、U2=3V， U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其 B C E 极。 解：电压值都为正，可判断为 NPN 管；假设三极管工作在放大状 态，根据电位间要求：Ve0.3V,由此可判断此三极管为 NPN 型三极管，且工 作在放大状态，假设成立。 13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ 14、公式： 1= EcEcn IIII EC II = 1 + = 1 BCEOBCBOBC IIIIII+=+=）（ 1 BE II)1 (+= 15、三极管的三种组态： 16、混合型小信号电路模型： CQ Q E EB B E Q B EB 26 )1 ()1 ( I r i v i
4、 i i v r eeb +=+= = = rce 三极管输出电阻，数值较大。RL 1 或 F 1 称为深度负反馈条件。 39、深度负反馈条件下 Avf 的估算： （1）根据反馈类型确定 kf 含义，并计算 kf 若串联反馈：将输入端交流开路 若并联反馈：将输入端交流短路 （2）确定 Afs(= xo / xs) 含义，并计算 Afs = 1 / kf （3）将 Afs 转换成 Avfs = vo / vs 40、 虚短虚断： 虚短路不能理解为两输入端短接， 只是 (v - v+) 的 值小到了可以忽略不计的程度。实际上，运放正是利用这个极其微小 的差值进行电压放大的。同样，虚断路不能理解为输
5、入端开路，只是 输入电流小到了可以忽略不计的程度。 41、重点 42、反向放大器： 二、计算题 1、第一章：习题 1-13 2、第二章：习题 2-12 3、第三章： （1）习题 3-6 （2）习题 3-11 4、第四章： （1）习题 4-15 共发型放大器： （2）习题 4-19 共基型放大器： （3）习题 4-20 共集型放大器： （4）习题 4-35 差分放大器： 五、第六章 （1）反向放大器、同向放大器的计算记公式就可以了。 反向放大器： s 1 f o v R R v= 同向放大器： + +=+=v R R v R R v)1 ()1 ( 1 f s 1 f o （2）加减法器：习题 6-1
