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1、坑爹的模电试卷编号 01 一、填空（本题共20分，每空1分）：1 整流电路的任务是_；滤波电路的任务是_。2 在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于_而产生的，漂移运动是_作用下产生的。3 放大器有两种不同性质的失真，分别是_失真和_失真。4 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是_的影响。5 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_；引入交流负反馈的作用是_。6 正弦波振荡电路一般由_、_、_、_这四个部分组成。7 某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为_，总的
2、放大倍数为_。8 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re对_信号的放大无影响，对_信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比KCMR为_之比。9 某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为_dB。 图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打，错误的打）：1、（ ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。2、（ ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。3、（ ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。4、（ ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。5、
3、（ ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。6、（ ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。7、（ ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。8、（ ）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。9、（ ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。10、（ ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）：1在放大电路中
4、，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则此三极管是（ ）A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管；2为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小3典型的差分放大电路中Re（ ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用4在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（ ）。A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V5电流源的特点是（ ）。A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻
5、小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。6影响放大电路高频特性的主要因素是（ ）。A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在；7关于理想运算放大器的错误叙述是（ ）。 A输入阻抗为零，输出阻抗也为零； B输入信号为零时，输出处于零电位； C频带宽度从零到无穷大； D开环电压放大倍数无穷大8 有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的200，ICEO200A；T2的100，ICEO10A；T3的10，ICEO100A，其它参9 数基本相同，则实用中应选（ ）A. T
6、1管； B. T2管； C. T3管9交流反馈是指（ ）A只存在于阻容耦合电路中的负反馈； B变压器耦合电路中的负反馈； C交流通路中的负反馈； D放大正弦信号时才有的负反馈；10RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ ）A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）：1(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 图22 (本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值Uo的数值各为多少？（1）正常情况时
7、；（2）电容虚焊时；（3）RL开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 图3 3 (本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc16V，RL8，R110k，R2100k，三极管的饱和管压降UCES0V，Uo10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率Pom；（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。 图44(本小题18分) 电路图5中，C1、C3和CE的容量足够大，晶体管的50，rbb200，VBEQ0.7V，RS2k，RB125k，RB25k，RC5k，RL5k，RE11.7k，RE2300，VCC12V。计算：（1）电路的静态工作
8、点；（2）电压放大倍数A uS、输入电阻Ri和输出电阻RO。 图5试卷编号 02 一、填空（本题共18分，每空1分）：1本征半导体中，自由电子浓度_空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度_空穴浓度。2放大电路中，测得三极管三个电极1，2，3的电位为；则该三极管是_型，电极为_，为_，为_。3射极输出器的特点是：电压放大倍数_，输入电阻_，输出电阻_。 4半导体三极管属_控制器件，而场效应管属_控制器件。5正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是_，+=_。6若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用_反馈。7文氏电桥正弦波振荡器用_网络选频，当这种电路
9、产生振荡时，该选频网络的反馈系数=_，=_。二、简答（本题共10分,每小题5分）：1什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？2 什么是交越失真，如何克服交越失真？三、分析与计算（本题共72分）：1(本小题15分) 放大电路如图示，R=8.7k，=1.3K，+V=+15V，=20，U=0.7V，电容容量足够大，求：静态工作点；电压放大倍数；输入电阻和R；若=1k，求；若开路，求。2(本小题12分) 电路如图所示， 和的性能一致，；，；试求： ：求，；：电路改成从的集电极与地之间输出时 3 (本小题15分) 电路如图所示，已知：，输入电压，和的性能一致，死区影响和均可忽略
10、。试求：输出功率，电源消耗功率及能量转换效率，每管功耗。4(本小题15分) 反馈电路如图所示，试回答：该电路引入了何种反馈（极性和组态）；：该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小）；：在深度负反馈条件下，求电压增益。 图3 图45(本小题15分) 电路如图所示，集成运放均为理想运放，试写出输出电压的表达式。 图5试卷编号 03 一、填空（本题共20分，每空1分）：1、构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有 和 特性。2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 击穿和 击穿。3、三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是 和 。4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 耦合、 耦合和
11、 耦合。5、在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的 电路来代替。6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现 ，在整个信号周期内，三极管的导通角等于 。7、在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服 现象。8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的 ，要消除它，则必须采用 的方法来破坏电路自激振荡的条件。9、在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于 ，而与开环增益基本无关。10、正弦波振荡电路主要由 、 、 和 这四个部分组成。二、单项选择（本题共20分，每小题2分）：1当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）。A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（ ）。A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿 C 反向偏置且被击穿 D 正向偏置且被击穿3直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ ）。A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4差动放大电路的主要特点是（ ）。 A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，
