《半导体的导电能力a与导体相同b与绝缘体相同c》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体的导电能力a与导体相同b与绝缘体相同c（32页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1半导体的导电能力（）。(a) 与导体相同(b) 与绝缘体相同(c) 介乎导体和绝缘体之间2当温度升高时，半导体的导电能力将（）。(a) 增强(b) 减弱(c) 不变3P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。(a) 带正电(b) 带负电(c) 不带电4N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。(a) 带负电(b)带正电(c)不带电5将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。(a)变宽(b) 变窄(c) 不变6将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。(a) 变窄(b) 变宽(c) 不变7若将 PN结短接，在外电路将（）。(a) 产生一定量的恒定电流(b) 产生一冲
2、击电流(c) 不产生电流8普通半导体二极管是由（）。(a) 一个PN结组成(b) 两个PN结组成(c) 三个PN 结组成9半导体二极管的主要特点是具有（）。(a) 电流放大作用(b) 单向导电性(c) 电压放大作用10理想二极管的正向电阻为（）。(a) 零(b) 无穷大(c) 约几千欧11理想二极管的反向电阻为（）。(a) 零(b) 无穷大(c) 约几百千欧12在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。(a) 很高(b) 很低(c) 等于N型或P型半导体的电阻率13二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）。(a) 正向电压大于PN 结的死区电压(b) 正向电压等
3、于零(c) 必须加反向电压14二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为（）。(a) 导通(b) 截止(c) 击穿15如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（）。(a) 击穿(b) 电流为零(c) 电流正常(d) 电流过大使管子烧坏16电路如图所示，二极管D 为理想元件，US=5V，则电压uO=（）。(a) Us (b) US/ 2 (c)零17电路如图所示，二极管D、D为理想元件，则在电路中（）。(a) D起箝位作用，D起隔离作用(b) D起隔离作用，D起箝位作用(c) D、D均起箝位作用(d) D、
4、D均起隔离作用18电路如图所示, 所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。(a) D导通，D、D截止(b) D、D截止， D3 导通(c) D、D截止， D导通(d) D、D、D均截止19电路如图所示，二极管D、D为理想元件，判断D、D的工作状态为（）。 (a) D导通，D截止(b) D导通，D导通(c) D截止，D导通(d) D截止，D截止20先后用万用表的“R10”挡和“R100”挡测量同一只二极管的正向电阻，设两次测量值分别是R和R，则二者相比为（）。(a) RR(b) R=R (c) RR21若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ( )。
5、(a)正、反向电阻相等(b)正向电阻大，反向电阻小(c)反向电阻比正向电阻大很多倍(d)正、反向电阻都等于无穷大22在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是（）。序号正向电流（正向电压相同）反向电流（反向电压相同）反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V23型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。(a) 1V(b) 0.2 V(c) 0.6 V24二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。(a) 增大(b) 不变(c)减小25二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而（）。(a) 增大(b
6、) 减小(c) 不变26电路如图所示，二极管D 的正向压降为0.6V，反向工作峰值电压URWM =100V，反向峰值电流IRM =10A，电源US =100V，负载电阻RL =10 k，则电压uO 为（）。(a) 0.6 V (b) 10 V (c) 0.1 V27电路如图所示，设电压表V的内阻为无穷大，R=10kW，二极管D的型号为2CP10，则V的读数约为（）。(a)0.7V(b) 0.3V (c) 1V28电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R = 5 kW，则电压表V 的读数约为（）。(a) 0.7V(b) 0V (c) 10V29二极管 D和灯泡HL 相串
7、联，电路如图所示。设电源电压u =Usinwt，且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略，则灯泡两端的电压平均值UAB为（）。(a) 0.5U (b) 0.707U (c) 0.45U (d) U30电路如图所示，二极管 D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为（）。(a) 5 V (b) 10 V (c) 2 V (d) 7 V31电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4 k，电位uA=1V，uB =3V，则电位uF等于（）。(a) 1 V(b) 3 V(c) 12 V32电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，uA=3sint V，uB=3V ，
8、R = 4 k，则uF等于（）。(a) 3 V (b) 3sint V (c) 3V+3sint V33电路如图所示，二极管为理想元件，ui=6sint V，U=3V，当t =瞬间，输出电压uO等于（）。(a) 0 V (b) 6 V (c) 3 V34电路如图所示，二极管为理想元件，=3sint V，U=3V，当= 0瞬间，输出电压uO 等于（）。(a) 0 V(b) 3 V(c) 3 V35电路如图所示，D为理想二极管，= 6sint V，则输出电压的最大值uOM = （）。(a) 6 V (b) 3 V (c) 3 V36电路如图所示，输入信号= 6sint V时，二极管D承受的最高反向
9、电压为（）。(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V37电路如图所示，二极管D为理想元件，当输入信号=12sintV时，输出电压的最大值为（）。(a) 12 V (b) 6 V (c) 0 V (d) 6 V 38电路如图1所示，二极管D 为理想元件，ui = 6 sintV如图2 所示，U=3V，则输出电压uO的波形图为图3中（）。39电路如图1 所示，已知U = 6V，u =18sintV，波形如图2，二极管正向导通时的压降可忽略不计，则二极管两端电压uD的波形为图3中（）。40电路如图1 所示，二极管D为理想元件，=6sintV，则输出电压uO的波形为图2中（）。41电路如图1 所
10、示，二极管D 为理想元件，ui = 6sintV如图2所示，U = 3V，则输出电压uO 的波形为图3中（）。42电路如图1所示，二极管D为理想元件，ui =10sintV如图2所示，U=5V，则输出电压uo的波形为图3中（）。43电路如图1所示，各电路中二极管 D 均为理想元件，输入波形相同，即ui = 6sintV, 其中一个电路输出波形如图2所示，则该电路应为图1中（）。44电路如图所示，设二极管 D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（）。(a) 2V (b) 0V (c) 6V (d) 12V45电路如图所示，二极管 D1，D2，D3均为理想元件，则输出电压uO（）。
11、(a) 0V (b) 6V (c) 18V46电路如图所示，全部二极管均为理想元件，输出电压uO为（）。(a) 8V (b) 0V (c) 12V (d) 6V47电路如图1所示，二极管 D为理想元件，当输入电压为矩形脉冲信号如图2所示，且RC 6V 时，则uO=（）。(a) 6V(b) 3V(c) ui 50电路如图所示，D2均为硅管（正向压降0.7V)，D为锗管（正向压降0.3V)，U6V，忽略二极管的反向电流，则流过D1、D2的电流分别为（）。(a) 2mA，2mA (b) 0 ，2mA (c) 2mA，0 51电路如图所示，二极管 D1，D2均为理想元件，则电压uAO=（）。(a) 1
12、2V (b) 0V (c) 15V52电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设, U1的值小于6V，则uO=( )。(a) +12V (b) +6V (c) U153电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1 =10 V，ui = 40 sintV, 则输出电压uO应为( )。(a) 最大值为40V，最小值为0V (b) 最大值为40V，最小值为+10V(c) 最大值为10V，最小值为40V (d)最大值为10V，最小值为0V54电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，当输入信号ui = 6 sintV 时，输出电压uO 的最大值为( )。(a) +1V (b) +4V (c) +6V 55电路如图所示，若忽略二极管D的正向压降和正向电阻，则输出电压uO为（）。(a) +12V (b) +6V (c) +2V56电路如图1 所示，二极管D1，D2为理想元件，ui = 6 sintV，如图2所示，则输出电压uO的波形为图 3中( )。57电路如图所示，D为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为( )。(a) 正
