半导体概论92第二学期第二次段考试卷(解答)

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1、國立臺南高級海事水產職業學校 91 學年度第2學期第二次段考試卷科 別:電子科 科目:半導體概論 本卷共2頁第2頁命題老師: 李 昌 杰 班 級 : 電子一甲、乙 座號: 姓名: 註:本次測驗可使用非程式型工程計算器壹、選擇題 (每題3分,共20題,合計60分)(答案請作答於下附答案格中) 1、( D )若有一交流電壓通過半波整流電路後的有效值是 ()3.18V ()6.36V ()7.07V ()5V解析:()已知半波 2、( B )某中間抽頭式全波整流電路有100 V直流輸出,其二極體耐壓為 ()157 V ()314 V ()100 V ()141 V解析:()中間抽頭式全波整流電路中二

2、極體的則PIV值 3、( D )超大型積體電路(VLSI)是指一個晶片中含有的元件數在 ()100個以下 ()100個1000個 ()1000個10000個 ()10000個以上解析:()VLSI是指一個晶片中含有10000個以上的零件數目。 4、( D )將脈動直流電壓轉換成一較平穩的直流電壓的電路稱為 ()放大電路 ()截波電路 ()整流電路 ()濾波電路解析:()濾波電路可以將脈動直流電壓轉換成一較平穩的直流電壓。 5、( C )電子學未來發展的趨勢是 ()電腦與通訊分離 ()元件與通訊分離 ()電腦、通訊與消費性電子產品結合 ()通訊與工業分離解析:()未來電子學發展的趨勢是電腦(co

3、mputer)、通訊(communication)、消費性電子產品(consumerelectronics)結合的3C時代。6、( B )如圖所示,半波整流電路,求輸出的平均功率約為 ()15mW ()25mW ()35mW ()40mW解析:()已知,(有效值),求(有效值)。即(有效值)變壓器次級圈的峰值電壓為又7、( C )下列何者非真空管的特性? ()工作時會產生大量的熱 ()消耗大量的功率 ()體積小 ()可靠度不佳解析:()真空管的缺點為工作時會產生大量的熱、消耗大量的功率、可靠度不佳。8、( D )橋式整流電路中,二極體之最大逆向電壓(PIV)為電源峰值的 ()2倍 ()3倍 (

4、)倍 ()1倍解析:()橋式整流電路中二極體的9、( D )電子學就是研究荷電質點在 ()絕緣體 ()導體 ()非導體 ()半導體內移動的科學與工程學解析:()電子學係研究荷電質點在真空、氣體或半導體中移動的科學與工程學,但它並不包括荷電質點在金屬導體內的移動,此乃電工學的領域。10、( C )通常用來測量110V電壓的交流電壓表,其實際所測量的電壓為 ()峰值 ()平均值 ()有效值 ()峰對峰值11. 若將微量的銻雜質(五價元素)摻入矽晶體中,所形成的半導體稱為(A)P型半導體 (B)N型半導體 (C) 本質半導體 (D) 以上皆非。12. 在同一材料中,電子與電洞移動的速度何者較快? (

5、A) 電子 (B) 電洞 (C) 相同 (D) 不一定。13. P型半導體的多數載子是電洞,少數載子是自由電子,因此P型半導體所帶電性為(A) 負電 (B) 正電 (C) 中性電 (D) 不一定。14. P型半導體是在純半導體中摻入幾價元素? (A) 三價元素 (B) 四價元素 (C) 五價元素 (D) 以上皆可。15. 一般外質半導體之本質與雜質摻雜濃度比約為 (A)108:1 (B)107:1 (C)l06:1 (D)105:1。16. PN接面的空乏區中,只有(A) 自由電子(B)電洞(C)正負離子(D)自由電子與電洞。17. 常溫時,鍺二極體的切入電壓約為(A) 0.3V (B)0.7

6、V (C) 1V (D)2V。18. 當二極體接上逆向偏壓時,其空乏區寬度會(A) 變小 (B) 變大 (C) 不一定 (D)不變。19. 二極體加上逆向偏壓時,其逆向飽和電流與下列何者有關?(A) 外加逆向偏壓大小(B)外加順向偏壓大小 (C)工作溫度(D) 外加逆向偏壓的時間。20.二極體不適合做 (A) 放大(B)整流(C)檢波 (D) 截波。答案格: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20B A C A A C A B C A貳、簡答與計算題 (每題10分,共5題,合計50分) 1、如圖所示之全波整流電路,試計算在負載電阻上

7、的(1)平均電壓,(2)平均電流,(3)平均功率,(4)二極體的PIV值。答案:已知,(最大值),求V2(最大值)。(1)(2)(3)(4)二極體的2、試以第三近似等效電路來分析圖示電路,若二極體的分佈電阻,試求(1)二極體的電流ID,(2)負載電壓VL,(3)二極體兩端電壓VD,(4)二極體的直流電阻。(若此二極體為矽製二極體)答案:畫第三近似等效電路,再以基本電學觀念來解題。(1)(2)(3)(4)3. 設有一矽二極體,在常溫25時的順向電壓降為0.7V,試計算溫度升高至65時之順向電壓。Ans: VBE(65) =VBE(25) + (-2.5mV/) (65-25) = 0.7 + 0.1 =0.64.設有一鍺二極體,在常溫25時的逆向飽和電流Is為1A,試計算溫度升高至45時之逆向飽和電流。Ans: t = 45 - 25 =20 溫度上升10,Is增加一倍,故增加22 Is(45) = Is(25) 22 = 4A5、欲使中間抽頭全波整流電路產生10V的直流電壓,試求(1)輸出的有效值電壓,(2)二極體的PIV值。答案:已知,求與PIV值(須先求出)。(1)又(2)二極體的

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