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1、1.6 本章小结,（1）半导体中有两种载流子：电子和空穴。载流子有两种运动方式：扩散运动和漂移运动。本征激发使半导体中产生电子-空穴对，但它们的数目很少，并与温度有密切关系。 （2）在纯半导体中掺入不同的有用杂质，可分别形成P型和N型两种杂质半导体。它们是各种半导体器件的基本材料。 （3）PN结是P型和N型半导体结合后扩散运动和漂移运动达到动态平衡而形成的，它是各种半导体器件的基础，具有单向导电性和电容效应。当外加反向电压增加到一定限度时，反向电流猛增，出现反向击穿现象。电容效应限制了PN结的工作频率，当工作频率超过某一限度后，PN结将失去单向导电性。 （4）二极管是由一个PN结加引线组成的，
2、它的特性与PN结基本相同。常用伏安特性曲线、等效电路和参数分别以不同的方式，从不同的侧面描述二极管的特性。 二极管的伏安特性是非线性的，所以它是非线性器件。为分析计算电路方便，在特定条件下，常把二极管的非线性伏安特性进行分段线性化处理，从而得到几种简化的模型，如理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。在实际应用中，应根据工作条件选择适当的模型。,为合理选择和正确使用各种半导体器件，必须熟悉它们的参数。这些参数大至可分为两类，一类是性能参数，如稳压管的稳定电压uZ、稳定电流IZ等；另一类是极限参数，如二极管的最大整流电流、最高反向工作电压等。必须结合PN结特性及应用电路，逐步领会这些参数的意
3、义。 （5）半导体三极管是由两个PN结组成的三端有源器件。有NPN型和PNP型两大类，两者电压、电流的实际方向相反，但具有相同的结构特点，即基区宽度薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区面积大，这一结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内部条件。 三极管是一种电流控制器件，即用基极电流来控制集电极电流，故所谓放大作用，实质上是一种能量控制作用。放大作用只有在同时满足内部条件和外部条件（三极管发射结正向偏置、集电结反向偏置）时才能实现。 三极管的特性曲线是指各极间电压与各极电流间的关系曲线，最常用的是输出特性曲线和输入特性曲线。 在三极管的众多参数中，电流放大系数、极间反向饱和电流和几个极限参
4、数是三极管的主要参数， 它们直观地表明了器件性能的好坏和适应的工作范围，是人们选择和正确使用器件的依据，使用中应予以重视。 温度变化将引起三极管的极间反向电流、发射结电压、电流放大系数随之变化，使用时应当予以注意。,（6）按照结构的不同，场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，MOS管属于绝缘栅型。每一类型均有两种沟道,N沟道和P沟道，两者的主要区别在于电压的极性和电流的方向不同。MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。 正确理解场效应管工作原理的关键在于掌握电压uGS及uDS对导电沟道和电流iD的不同作用，并掌握预夹断与夹断这两个状态的区别和条件。转移特性曲线和输出特性曲线描述了uGS、uDS和iD三者之间的关系。与三极管相类似，场效应管有截止区（即夹断区）、恒流区（即放大区）和可变电阻区三个工作区域。在恒流区，可将iD看成受电压uGS控制的电流源。gm、UP（或UT）、IDSS、IDM、PDM、U(BR)DS和极间电容是场效应管的主要参数。 由于结构和工作原理的不同，使得场效应管具有一些不同于三极管的特点，如1-2表所示。将两者结合使用，取长补短，可改善和提高放大电路的某些性能指标。,表1-2 双极型三极管和场效应三极管性能比较,
