《电力电子与电机系统集成分析基础 教学课件 ppt 作者 赵争鸣 袁立强 第3章 电力电子器件与变换器》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电力电子与电机系统集成分析基础 教学课件 ppt 作者 赵争鸣 袁立强 第3章 电力电子器件与变换器（101页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、第3章 电力电子器件与变换器,3.1 电力半导体器件的分类 3.1.1 按照电力半导体器件发展来分类 3.1.2 按照电力半导体器件控制方式来分类 3.1.3 按照电力半导体器件驱动方式分类 3.1.4 按照电力半导体器件中载流子性质分类 3.2 电力半导体器件的工作原理及特性 3.2.1 单PN结器件(二极管)的工作原理与特性 3.2.2 多PN结器件的工作原理 3.2.3 多PN结器件的特性 3.3 电力电子变换器的拓扑结构 3.3.1 变换器理想开关的定义 3.3.2 变换器的基本拓扑单元,第3章 电力电子器件与变换器,3.3.3 基于器件特性的变换器基本拓扑单元 3.3.4 两电平拓扑
2、结构 3.4 多电平电力电子变换器 3.4.1 多电平变换器基础 3.4.2 二极管钳位式多电平变换器 3.4.3 电容悬浮式多电平变换器 3.4.4 级联式多电平变换器 3.4.5 多电平统一变换拓扑及瞬态换流回路,图3-1 一个典型的电力电子变换器装置结构示意图,3.1 电力半导体器件的分类,根据器件所用半导体材料、制造工艺、工作机理及器件开通和关断的控制方式的不同，电力半导体器件有许多种类和不同的分类方式。,3.1.1 按照电力半导体器件发展来分类,1.第一代器件 2.第二代器件 3.第三代器件,1.第一代器件,主要以功率二极管(Power Diode)和晶闸管(Thyristor，也称
3、之为Silicon Controlled Rectifier，SCR)为代表，是电力电子技术发展早期的主要器件，是传统电力电子技术的标志。,2.第二代器件,主要以可关断晶闸管(Gate Turn-off Thyristor，GTO)、大功率晶体管(Giant Transistor，GTR)和功率场控晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)为代表。随着电力电子的发展，对器件的可控性提出了更高的要求，这些器件相对于第一代器件最明显的区别是能够进行可控关断，这也是现代电力电子技术的标志。,3.第三代器件,主要以高性能的
4、绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)、集成门极换流晶闸管(Integrated Gate Commutated Thyristor，IGCT)和智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)等器件为代表。其中，IGBT成为第三代电力电子器件的典型代表。,3.1.2 按照电力半导体器件控制方式来分类,1.不控型 2.半控型 3.全控型,1.不控型,这类器件为两端器件，一般其中一端为阳极，另一端为阴极。其开关操作仅取决于施加于器件阳、阴极间的电压，正导通，负关断，流过其中的电流是单方向的。由于其开通和关断不能通
5、过器件本身进行控制，故这类器件称为不控型器件，这类器件主要为各种不同类型的功率二极管，比如大功率二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管等。,2.半控型,这类器件是三端器件，除阳极和阴极外，还增加了一个控制门极。半控型器件也具有单向导电性，其开通不仅需在其阳、阴极间施加正向电压，而且必须在门极和阴极间输入正向可控功率，称之为“开通可控”。然而这类器件一旦开通，就不能再通过门极控制关断，只能从外部改变加在阳、阴极间的电压极性或强制阳极电流变成零，所以把它们称为半控型器件。这类器件主要指晶闸管及其派生器件，如双向型晶闸管、逆导型晶闸管等。,3.全控型,这一类器件也是带有控制端的三端器件，其控制端不仅可
6、控制其开通，而且也能控制其关断，故称全控型器件。由于不需要外部提供关断条件，仅靠自身控制即可关断，所以这类器件常被称为自关断器件。这类器件种类多，工作机理也不尽相同，包括GTR、GTO、功率MOSFET、IGBT等。,3.1.3 按照电力半导体器件驱动方式分类,1.电流控制型器件 2.电压控制型器件,1.电流控制型器件,电流控制型器件必须有足够的驱动电流才能使器件通断，因而一般情况下需要较大的驱动功率，这类器件有SCR、GTR、GTO等。,2.电压控制型器件,电压控制型器件的通断只需要有足够的电压和很小的驱动电流就可以，因而电压控制型器件只需很小的驱动功率。这类器件有IGBT、MOSFET等。
7、,3.1.4 按照电力半导体器件中载流子性质分类,1.双极型器件 2.单极型器件 3.混合型器件,1.双极型器件,双极型器件是指在器件内部电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件，这类器件的通态压降低、阻断电压高、电流容量大，适用于中大容量的变流装置。常见的有GTR、GTO、GCT(IGCT中的门极换流晶闸管，不包括门极电路)、SITH等。,2.单极型器件,单极型器件是指器件内只有一种载流子(即多数载流子)参与导电过程的电力半导体器件，典型器件有功率场控晶体管(MOSFET)和静电感应晶体管(SIT，Static Induction Transistor)两种。功率MOSFET为电压控制
8、器件，具有驱动功率小，开关速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽等显著特点。这种器件还具有电流负温度系数、良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和较高的抗干扰能力等优点。其缺点是通态电阻大、导通压降较高。另外，由于导电机理和结构的特点，其电流容量和耐压提高难度较大。它常用于中小功率、开关频率较高的变流装置中。,3.混合型器件,图3-2 部分电力半导体器件结构示意图,3.2 电力半导体器件的工作原理及特性,1)不同杂质半导体材料的PN结特性。 2)器件内部各PN结相互之间的作用关系。 3)器件内部PN结与外界条件之间的作用关系。,3.2 电力半导体器件的工作原理及特性,图3-3 部分电力电子开关器
9、件符号示意图,3.2.1 单PN结器件(二极管)的工作原理与特性,1.能级与能带 2.电子与空穴 3.电离与复合 4.少子与多子 5.扩散与漂移 6.空间电荷区 7.正偏与反偏 8.少子注入与少子抽出 9.电导调制效应 10.通态压降与阻态漏电流 11.PN结的电击穿 12.PN结的热击穿,3.2.1 单PN结器件(二极管)的工作原理与特性,13.PN结的电容效应 14.PN结的电路外特性,1.能级与能带,图3-4 半导体原子内部的电子所处的能级与能带示意图,2.电子与空穴,图3-5 半导体晶体内的自由电子与空穴形成示意图,3.电离与复合,在本征半导体中，由于晶体本身原子的热运动而不断使价带中
10、的价电子激发到导带，这一过程称之为电子与空穴的“电离”；另一方面，处于导带的自由电子在运动过程中又有可能与空穴相遇，这时，如果它以一定的方式放出原来吸收的能量，就可以返回价带，这称之为电子与空穴的“复合”。在平衡情况下，半导体内部具有确定数目的电子和空穴，这就意味着在单位时间内，电离的载流子数目与复合的数目相等，即电离率与复合率相等，使载流子保持一定的浓度，处于一种动态平衡之中。,4.少子与多子,图3-6 P型半导体和N型半导体,5.扩散与漂移,图3-7 PN结示意图,6.空间电荷区,扩散运动和漂移运动互相联系又互相矛盾。在一定温度下，当两者达到动态平衡时，正、负空间电荷量达到稳定值，总量不再
11、变化，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，称为空间电荷区。在整个空间电荷区范围内，正、负电荷数量相等，仍保持电中性，这就是PN结。,7.正偏与反偏,图3-8 PN结的正偏置和反偏置,8.少子注入与少子抽出,当PN结处于正偏置时，在外加电场作用下，扩散运动大于漂移运动，形成扩散电流。由于中和的结果使空间电荷量减少，即使PN结变窄，这种现象称为“少子注入”。在外电路上形成一个流入P区的电流，称为正向电流IF。当外加电压D升高时，PN结内电场被进一步削弱，扩散电流随之增加。正向的PN结表现为一个很小的电阻，可以流过较大的正向电流，称为正向导通。,9.电导调制效应,少子注入效应是在正偏置时，外电场削
12、弱了内电场，破坏了PN结原有的平衡。从电路的角度，表现为改变了PN结的电阻，即电流增大，电阻减小，该现象称之为“电导调制效应”。少子注入效应也称为非平衡载流子注入效应。双极性器件的电导调制效应是其主要特点之一。,10.通态压降与阻态漏电流,在PN结正向导通时，可以流过较大的正向电流，表现为短路的状态，但是PN结两端仍存在一定的压降，该压降与PN结的体电阻和势垒都有关系，称之为通态压降，一般用u0表示，约为0.53V。在PN结反向截止时，表现为少子抽出，但由于少数载流子的浓度很小，在一定温度下，漂移电流的数值趋于恒定，表现在外电路上是一个流入N区的反向电流，该电流称为反向饱和电流，也称阻态漏电流
13、，用IS表示，一般为微安级。,11.PN结的电击穿,图3-9 PN结雪崩击穿示意图,12.PN结的热击穿,PN结的反向电流会随着结温T的上升而增加，这与中性区少数载流子的浓度和空间电荷区产生的电流都会随着温度的上升而加大有关。另外，温度的升高还会对PN结的雪崩击穿电压有影响。为了避免这些热效应严重影响结型器件的稳定性，必须对器件采取有效的散热措施，因而电力电子装置中的电力半导体器件大多安装在散热器上。,13.PN结的电容效应,图3-10 势垒电容和扩散电容 随外加电压的变化,14.PN结的电路外特性,图3-11 二极管稳态特性等效电路,14.PN结的电路外特性,图3-12 二极管的伏安特性曲线
14、,14.PN结的电路外特性,图3-13 二极管的正、反向恢复过程,3.2.2 多PN结器件的工作原理,1.大功率晶体管的基本工作原理 2.MOSFET的基本工作原理 3.IGBT的基本工作原理 4.IGCT的基本结构和工作原理,3.2.2 多PN结器件的工作原理,图3-14 三种电力半导体器件的结构示意图,1.大功率晶体管的基本工作原理,图3-15 一个PNP型晶体管的结构示意图和符号示意图,2.MOSFET的基本工作原理,图3-16 MOSFET的模拟结构,3.IGBT的基本工作原理,图3-17 IGBT等效电路,3.IGBT的基本工作原理,表3-1 HVIGBT模块CM900HB-90H的
15、基本性能参数,4.IGCT的基本结构和工作原理,图3-18 三种不同类型的IGCT符号表示,4.IGCT的基本结构和工作原理,图3-19 GTO和GCT的剖面示意图,4.IGCT的基本结构和工作原理,图3-20 IGCT的等效示意图,4.IGCT的基本结构和工作原理,图3-21 IGCT的开通和阻断示意图,3.2.3 多PN结器件的特性,1.转移特性 2.伏安特性 3.擎住效应(又称锁住效应) 4.开通与关断过程 5.器件的du/dt耐量和di/dt耐量,1.转移特性,图3-22 IGBT的转移特性,2.伏安特性,伏安特性是指以门射极电压UGE作为参变量，IGBT的集电极电流与集发极之间电压关
16、系的曲线族，如图3-23所示。其中第一象限为通态特性和正向阻态特性，第三象限为反向阻态特性。在一些实际应用中，IGBT中有反并联的二极管，则其反向阻态特性为二极管的通态特性。同样，理想化的IGBT伏安特性如图3-24所示。,3.擎住效应(又称锁住效应),图3-23 IGBT的伏安特性曲线,3.擎住效应(又称锁住效应),图3-24 理想化的IGBT 伏安特性曲线,4.开通与关断过程,图3-25 IGBT开通与关断的电压电流示意图,4.开通与关断过程,表3-2 多种多PN结电力电子开关器件特性的比较,5.器件的du/dt耐量和di/dt耐量,在电力半导体器件特性中，不仅要考虑流经器件的最大电流和器件承受的最大电压，电压和电流的变化率也是非常重要的性能参数。,3.3 电力电子变换器的拓扑结构,图3-26 具有相同拓扑，但不同器件的逆变电路,3.3.1 变换器理想开关的定义,1)通态时，看成是一个阻值极低的电阻，可以认为阻值为零。 2)阻态时，看成是一个阻值极大的电阻，可以认为阻值为无穷大。 3)开通和关断，即通态和阻态之间切换时，切换时间为零。 4)通态时，至少在一个方向上能流通电流；阻
