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1、第五章 FET三极管及其放大管一、判断题结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（ ）。 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（ ） 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（ ） IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（ ） 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）前往 互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。( )IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。(
2、)结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。( )与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ）场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（ ）二、填空题场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。源，栅场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。VGS（栅源电压），ID（漏极）场效应管是控制半导体器件，参与导电的载流子有种。电压，1 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。耗尽型，
3、增强型 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力等特点。大，强 输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是。共射（共源）共源极放大电路的性能与半导体三极管的电路相似。共射共漏极放大电路的性能与半导体三极管的电路相似。共集图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是沟道MOS管。耗尽型,N沟道下图中的FET管处于工作状态。截止下图中的FET管工作于状态。可变电阻区下图中的FET管工作于状态。饱和三、单项选择题UGS0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 。A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管D、NEMOS BUGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。A、PEMOS
4、B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管 D、NEMOS CUGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。A、PEMOS B、增强型MOS管 C、JFET D、NEMOS C场效应管用于放大时，应工作在（ ）区。A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和）D已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOSB 下面的电路符号代表（ ）管。A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、增强型NMOSD 下图为（ ）管的转移曲线图。A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增
5、强型PMOS D、增强型NMOSB 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 （ ）。A、增大 B、不变 C、减小 D、增大或者减小A UGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（ ）。A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管 D、耗尽型FET都可能D 四、计算分析题改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。（d）在Rg支路加VGG，VDD改为VDD改正电路如下图所示。未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正
6、常放大。要求给出两种方案。解：分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。 a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。b)无放大作用。因N沟通MOS管的漏极电流应为,将改为c）无放大作用。因,直流工作状态不正常，应将接在b极与端d）无放大作用。因对交流而言输入短路，加不到e结上。应在b极和间加电阻.已知共源极电路如图所示。其中，管子的0.7ms, ，。（1）求和；（2）求。解：（1）由等效电路图可得 =1000+=1M根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得 （2）因 =55=2.5K所以 =10、场效应管电路如图所示，已知，场效应管的 试求该电路的交流输出电压uo的大小。解： （3分） =-
7、0.58mS*12k (1分)v0=-0.58mS*12k*=-139.2mV (2分)电路如图所示，设R=0.75k，Rg1 = Rg2 = 240k，Rs=4k，场效应管的gm=11.3mS，rds=50k，试求源极跟随器的源电压增益Avs、输人电阻Ri和输出电阻Ro。 （2分） （4分） （2分）电路如图所示，设场效应管的参数为gm1=0.8mS，1 = 2 = 0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID = 0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。如图为场效应管放大电路的等效图， （3分） （2分） （1分）电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。解：、Ri和Ro的表达式分别为 场效应管放大电路如图所示。（1）画出电路的交流通路；（2）画出电路的交流等效电路；（3）若静态点处的跨导=2mA/V，试计算、。（4）2.2M电阻影响静态点吗？其作用是什么？解：（1） （2）（3） （4）电阻不影响静态工作点。因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。解：、Ri和Ro的表达式分别为 五、设计题12
