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1、1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO,2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO,(a)ICBO测量电路,(b)ICEO测量电路,值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。,+ UCE -,1.3.3 三极管的特性曲线,特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。,UCE,图 1.3.6 三极管共射特性曲线测试电路,输入特性：,输出特性：,+ UCE -,+ UCE -,UBE,(2) UCE 0 时的输入特性曲线,当 UCE 0 时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。,二.输出特性曲线 是指iB为某一常数时，三极管的输出电流iC与输出电压uCE之间的关系
2、曲线。,O,IB 减小,IB增加,UCE,IC,IB = 20A,IB =60A,IB =40A,此区域中 : IB=0,IC0,UBE 死区电压，称为截止区。,此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,IC(mA ),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。,1、截止区 发射结和集电结均为反偏， 各电极电流很小，相当于一个断开的开关。,截止区,ICEO,饱和区 输出特性曲线中，UCEUBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。饱和区的特点是：发射结和集电结均为正偏。 工作在此区的三极管相当于一个闭
3、合的开关，没有电流放大作用。,饱 和 区,放大区：,放大区,截止区,条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔,ICEO,此时IC受控于IB；同时IC与UCE基本无关，可近似看成恒流。此区内三极管具有电流放大作用。,（2）标出e、b、c极，并判断出该管是NPN型还是PNP型管。 （3）估算其值。,例 测得工作在放大状态的三极管两个电极的电流如图2.4所示。,（1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。,（1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。,4.1mA,由于管脚的发射极电流为流出，故该管为NPN型管。,（2）标出e、b、c极，并判断出该管是NPN型还是PNP型管。,4.
4、1mA,e,c,b,（3）由于IB = 0.1mA，IC = 4mA，故：,例 若测得放大电路中工作在放大状态的三个三极管的三个电极对地电位U1、U2、U3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？并确定c、b、e极。 (1) U1 = 2.5V U2 = 6V U3 = 1.8V (2) U1 = -6V U2 = -3V U3 = -2.7V (3) U1 = -1.7V U2 = -2V U3 = 0V,硅管,b,e,c,NPN,锗管,c,e,b,PNP,锗管,b,c,e,NPN,（a） （b） （c） （d）,（a）发射结、集电结均反偏，管子截止。,（b）发射结
5、反偏、集电结正偏，管子截止。,（c）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。,（d）发射结、集电结均正偏，管子饱和。,二、输出特性,图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性曲线,划分三个区：截止区、放大区和饱和区。,放 大 区,放 大 区,1. 截止区 IB 0 的区域。,两个结都处于反向偏置。,IB= 0 时，IC = ICEO。 硅管约等于 1 A，锗管约为几十 几百微安。,截止区,截止区,2. 放大区：,条件：发射结正偏 集电结反偏,特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。,二、输出特性,放 大 区,集电极电流和基极电流体现放大作用，即,放 大 区,放 大 区,对 NPN 管
6、UBE 0，UBC 0,图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性曲线,3. 饱和区：,条件：两个结均正偏,对 NPN 型管，UBE 0 UBC 0 。,特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C IB。,当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时称为过饱和。,饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管),饱和区,饱和区,1.3.4 三极管的主要参数,三极管的连接方式,图 1.3.10 NPN 三极管的电流放大关系,一、电流放大系数,是表征管子放大作用的参数。有以下几个：,1. 共射电流放大系数 ,2.
7、 共射直流电流放大系数,忽略穿透电流 ICEO 时，,3. 共基电流放大系数 ,4. 共基直流电流放大系数,忽略反向饱和电流 ICBO 时，, 和 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为：,二、反向饱和电流,1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO,2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO,(a)ICBO测量电路,(b)ICEO测量电路,小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。,当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。,值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。,图 1.3.11 反向饱和电流的测量电路,三、 极限参数,1. 集电极最大允许电流 I
8、CM,当 IC 过大时，三极管的 值要减小。在 IC = ICM 时， 值下降到额定值的三分之二。,2. 集电极最大允许耗散功率 PCM,将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。,ICUCE PCM 为安全工作区,ICUCE PCM 为过损耗区,图 1.3.11 三极管的安全工作区,3. 极间反向击穿电压,外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。,U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。,U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。,安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。,图 1.3.11 三极管的安全工作区,1.3.5 PNP 型三极管,放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。,图 1.3.13 三极管外加电源的极性,图2.2 三极管放大的外部偏置条件,3、在三极管输出特性上作直流负载线,VCC,输出回路线性部分的电压、电流关系： UCE=VCCICRC,2个特殊点：,MN称放大电路的直流负载线，斜率为1/RC。,
