模电复习题幻灯片

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1、复习题 1.1 在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为A和5mV,输出端接k电阻负载，测量到正弦电压信号峰-峰值为V。试计算该放大电路的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap,并分别换算成dB数表示。,解,1.2 当负载电阻RL=1k时，电压放大电路输出电压比负载开路（RL=）时输出电压减少20，求该放大电路的输出电阻Ro。 解,2.1电路如图所示,运放均为理想运放， 求uO与uI1、uI2和uI3的运算关系。,解:,2.2如图,运放为理想运放，求uO与uI的运算关系。,解 利用虚地VN=0和虚断iN=iP=0的概念，列出节点N和M的电流方程为 解上述方程组得,2.3

2、画出积分运算电路并写出输出表达式,2.4画出微分运算电路并写出输出表达式,2.5电路如图所示,运放为理想运放。求输出电压与各输入电压的运算关系。,2.6 电路如图所示,运放为理想运放。 求输出电压的表达式。,解:,3.1二极管具有什么特性？理想二极管的正向电阻为多少？反向电阻为多少？稳压二极管应工作在什么状态？(单向导电性、0、反向击穿) 3.2PN结加反向电压时，空间电荷区将变宽还是变窄 ？（变宽） 3.3二极管的正向电阻为5K，反向电阻为500K，该二极管的性能为(正常)。 3.4PN结中扩散电流的方向是从（ P ）区（ N ）区，漂移电流的方向是从（ N ）区到（ P）区。 3.5在 N

3、 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） 3.6因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 3.7PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) 3.8设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是( ),3.9写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。 解：UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO42V，UO51.3V， UO62V。,四、已知稳压管的稳压值 UZ6V，稳定电流的最小值 IZmin5mA。求下图所示电路中 UO1 和 UO2 各为多少伏。 解：UO16V，UO25V。,4.1BJT放大电路包括共射哪三

4、种组态，其中哪种组态输出电阻最小？哪种组态无电压放大能力？ 共基(CB)、共集(CC)、共射(CE) 、共集、共集,4.2测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别VA=8V ,VB=5V ,VC=5.7V, 试判断BJT 的三个电极和管型。 （A是集电极，B是发射电极，C是基电极；NPN型） 4.3测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为VA=V ,VB=V,VC= .2V,试判断BJT 的三个电极和管型 （A是集电极，B是发射电极，C是基电极；PNP型） 4.4测得NPN三极管的管脚电位分别为VB=3.7V，VE=3V, VC=3.3V，则三极管工作什么状态？

5、(饱和） 4.5测得NPN三极管的管脚电位分别为VB=3.7V，VE=3V，VC=7V，则三极管工作状态为( )。 放大,4.6常用的BJT具有 作用，此时应工作在 状态；而FET管是一种 的有源器件，其二种特性曲线为 。 (电流放大、放大、压控型、转移特性和漏极特性) 4.7BJT电路中，输出电压与输入电压同相且有放大能力的组态是哪种？ CB 4.8多级放大电路的输出电阻等于( )。 最后一级的输出电阻 各级输出电阻之和 第一级的输出电阻 4.9二个NPN管组成的复合管，其电流放大倍数 分别为80和50，则该复合管的电流放大倍数为多少？ 4000,4.10半导体三相管工作在放大状态时，测的二

6、个极的电流如图所示。另一极电流的大小为 ；管脚 分别是 极 极和 极 （0.03 mA、集电、发射、基） 4.11NPN管组成的共射放大电路，Q点设置太低，输出电压的波形会出现什么？ 截止失真 4.12 NPN管共射放大电路中，输入为正弦波，输出为顶部失真，即 ( )失真，原因是( )，可采用( )和 ( )进行调节。 截止、Q点太低、减小Rb、增大Rc 4.13NPN管组成的共射放大电路，Q点设置太高，输出电压的波形会出现什么失真？ 饱和失真,4.14BJT特性曲线常用 和 来表达。 (输入特性曲线、输出特性曲线) 4.15对于单管共射放大电路，当f=fH时，uO与ui的相位关系是( )；当

7、f=fL时，uO与ui的相位关系是( )。 4.16当信号频率等于放大电路中的fL时，增益将比中频时下降多少？ db,4.17电路如下图所示，已知BJT的=40,VBE=0。 （1）估算Q点；（2）画出简化H参数小信号等效电路图；（3）估算电路的电压放大倍数AV。,解（1）IBVCC/Rb=12/300=0.04mA IC=IB=400.04=1.6mA VCE=VCC-ICRC=12-1.64=5.6V (2) (3)rbe=200+（1+）26/IE=200+(1+40)26/1.6 =0.866K AV=-RC/rbe=-404/0.866=- 185,4.18如图，RC=2K,Re=6

8、00, Rb=200K,VCC=15V, =40 ,UBE=0.7V,rbe=800, 试估算放大电路的Q点 画出微变等效电路 计算Au、Ri和R0。,解（1）由VCC=IBRb+VBE+(1+)IBRe得： IB=(VCC-VBE)/Rb+（1+）Re=(15-0.7)/ 200+（1+40）0.6=0.063mA IC=IB=400.063=2.54mA VCE=VCC-IC(RC+Re)=15-2.54(2+0.6)=8.4V (2) (3)AV=-RC/rbe+（1+）Re=-402/0.8+（1+40）0.6 =-3.1 Ri=Rbrbe+（1+）Re=2000.8+（1+40）0.

9、6=22.5K Ro=RC=2 K,4.19如图,T管放大倍数为=80 ,VBE=0, =200.（1）用估算公式法求Q点（2）求电压增益Av、Ri和Ro,解：（1）VB=2016/(20+60)=4V ICIE=4/2=2mA IB=2/800=0.025mA=25A VCE=16-2(3+2)=6V Ri=60201.251.15K Ro=Rc=3K,4.20如图：T管放大倍数为=80 ,rbe=1K. (1)求电压增益Av、Ri和Ro (2)如电容C开路，定性分析Av、Ri和Ro如何变化？,解： Ri=Rb1Rb2rbe+（1+）Re1 = 2551+（1+80）0.3=3.4K Ro=

10、RC=5 K (2)Av减小；Ri增大；Ro不变。,4.21 BJT工作在放大区时，发射结（ ）偏置，集电结（ ）偏置；工作在饱和区时，发射结（ ）偏置，集电结（ ）偏置。 正向 反向 正向 正向,4.22某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM200mW，试画出它的过损耗区。 解：根据 PCM200mW 可得：UCE40V 时 IC5mA，UCE30V 时 IC6.67mA，UCE20V 时 IC10mA，UCE10V 时 IC20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。,5.1为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？为什么MOSF

11、ET的输入电阻比JFET还高？,答：这是由于BJT的发射极处于正向偏置状态，JFET栅源间的PN处于反向偏置状态，MOSFET的栅极处于绝缘状态。,5.2场效应管的输入电阻很(大)。 5.3 UGS0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( A C )。 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 5.4测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如 表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作 状态。(恒流区、截止区、可变电阻区）,5.5结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受(反向)电压，才能保证其 RGS 大的特点。 5.6已知放大电路中一只 N 沟道场

12、效应管三个极、的电位分别为 4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型),并说明 、与 G、S、D 的对应关系。 解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极、与 G、S、D 的对应关系如图所示。,6.7已知某结型场效应管的 IDSS2mA，UGS（ off） 4V，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。 解：根据方程 逐点求出确定的 uGS 下的 iD，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上 uGDUGS（ off） 的点连接起来，便为预夹断线,6.8当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA

13、变为 4mA 时，它的低频跨导 gm 将(增大)。 6.9已知场效应管的输出特性曲线如图所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。,解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线如图（a）所示，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及 UGS 值，建立 iDf（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如图（b）所示。,6.1. 集成运放采用直接耦合方式是因为什么？ 集成工艺难于制造大容量电容 6.2.为增加电压放大倍数，集成运放的中间级多采用( )放大电路。 CE CB CC,7.1欲增大电路的输入电阻，增大带负载能力，放大电路中应引入( )负反馈。 电压串联 7.2引入负反馈的原则是：为了增大输入电阻，引

14、入 负反馈，稳定输出电压，应引入 负反馈；负反馈能 频带和 放大倍数的稳定性。 串联、电压、拓宽、增大 7.3为了减小输入电阻，稳定输出电压，放大电路应引入( )负反馈。 电压并联 7.4欲从信号源获得更小电流，并稳定输出电流，电路应引入( )负反馈。 电流串联,7.5如图,已知R120K，R2120 K，R34 K， RL6 K。求解在深度负反馈条件下的AUf.,解： 反馈通路： T、 R3、 R2与R1 电路引入电流串联负反馈,7.6判断如图所示的放大电路级间引入什么反馈？并计算在深度负反馈下，反馈系数和闭环电压放大倍数？,RC,Re,（1）电流并联负反馈 （2）,7.7电路如下图所示，已知A为高增益运放， 电路如下图所示，已知A为高增益运放，R2=30K，R1=4K，RS=2K，RL=6K。（1）分析电路引入何种反馈；（2）计算该电路的电压增益A