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1、主要内容链接,4.4 场效应管放大电路 1. FET的直流偏置电路及静态分析 2. FET放大电路的动态分析,1. FET的直流偏置电路及静态分析 (1) 自偏压电路,4.4 场效应管放大电路,FET和BJT一样，工作时要有合适的静态工作点。根据FET的输出特性，电路应给FET提供合适的VGS 和VDS才会有合适的静态工作点。,对FET进行静态分析时，将栅极g和沟道之间视为断路处理,直流偏压VGS不是靠电压源提供，而是由源极电阻R上的直流压降提供，称为自偏压电路。 该电路只适用于耗尽型FET，而且静态工作点调节不方便。,静态分析,(2) 分压器式自偏压电路,耗尽型、增强型FET均适用；而且静态
2、工作点可通过调节Rg1、 Rg2和R确定，比较方便,2. FET放大电路的动态分析,(1) FET的交流小信号模型,rgs：栅极和源极间的电阻，极大，常作开路处理 gm：低频互导(跨导) rd：交流输出电阻，比较大，常作开路处理,小信号模型的简化,(2) 用小信号模型分析FET放大电路,(a) 共源放大电路,共源电路属于反相(倒相)电压放大器，其增益较大，输入电阻较高，输出电阻由Rd决定,(b) 共漏放大电路(源极输出器),共漏电路又称源极输出器，其输出电压和输入电压同相，电压增益接近1，输入电阻高，输出电阻小。,共栅极和共源极连接示意图,例 题 1,判断下列电路能否正常工作。,不能，因为VG
3、S0,能,N沟道JFET VDS0 VGS0,P沟道耗尽型MOSFET VDS0,不能，因为VGS=0，没有导电沟道,不能，因为VDS0,N沟道增强型MOSJFET VDS0 VGS0,N沟道耗尽型MOSJFET VDS0,在如图所示的放大电路中已知VDD20V， VGSQ2V，管子参数IDSS4mA， VP4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R1和静态电流IDQ(191页，4.4.3),例 题 2,在如图所示的放大电路中已知VDD20V， VGSQ2V，管子参数IDSS4mA， VP4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。 (2)求正常放大条件下R2可能的最大值,(3) 设rd可忽略，在上述条件下计算AV和Ro,作 业,192页：4.4.5，4.4.6,
