晶体管及其基本放大电路 自测题 习题 解案 08.8.29

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1、第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN、PNP两种类型,它们均有三个工作区:放大区、饱和区和截止区。主要有三种工作状态:放大状态(发射结正向偏置、集电结反向偏置)、饱和状态(发射结正向偏置、集电结正向偏置)、截止状态(发射结反向偏置、集电结反向偏置)。(1)根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示表2-1 根据管脚电流判断晶体管的工作状态 工作状态管脚电流 截止状态放大状态饱和状态IBIB =0IB 0IBIBS=ICS/bICIC =0IC =bIBICICS(2)根据工作电压判别NPN管的工作状态方法如表2-2所示。PNP管工作

2、电压的极性和各极电流方向与NPN管相反。表2-2 根据结电压判断NPN硅管的工作状态 工作状态结名称截止状态放大状态饱和状态发射结UBE0(反偏)UBE0(正偏)UBE0(正偏)集电结UBC0(反偏)UBC0(反偏)UBC0(正偏)或UCE0.3V2. 晶体管的电流关系及放大作用(1) 晶体管的电流关系 晶体管三个电极的电流关系为: 工作于放大状态时、其中最小、居中、最大。对于NPN管:流出晶体管,、流入晶体管。对于PNP管:流入晶体管,、流出晶体管。(2) 两种极间反向电流:集电极-基极反向饱和电流ICBO与集电极-发射极反向穿透电流ICEO的关系ICEO = (1+)ICBO(3) 两种电

3、流放大系数:共基极交流电流放大系数与共发射极交流电流放大系数的关系 ,(4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件,它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外,还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。此时,各电极电位之间的关系:NPN管 UCUBUEPNP管 UCUBUE硅管的约为0.60.8V,锗管的约为0.20.4V。3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区,即满足发射结正向偏置,集电结反向偏置的外部条件。(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。

4、4. 放大电路的分析(1) 静态分析无外部输入信号时,放大电路的工作状态称为静态,此时,晶体管各极电流、电压值为静态工作点Q。静态分析:即求解静态工作点。(2) 动态分析动态分析,是指对放大电路加上输入信号后ui0时的工作状态进行分析,确定晶体管在静态工作点Q处各极电流和极间电压的变化量,进而求出放大电路的各项交流指标。即求解放大电路的动态性能指标,主要有放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro等。5. 放大电路的主要分析方法:图解法、微变等效电路法(1) 图解法:首先确定静态工作点Q,然后根据电路的特点,做出直流负载线,进而画出交流负载线,最后,画出各极电流电压的波形。求出最大不失真输出电压。(

5、2) 微变等效电路法是放大电路分析中的基本方法,其分析步骤如下 首先用直流通路分析静态工作点Q。 画出交流通路,用晶体管的微变模型代替交流通路中的晶体管,即得放大电路的微变等效电路。 通过微变等效电路求解动态性能指标:放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。6. 三种组态基本放大电路的判别及各自特点三种组台基本放大电路有:共发射极、共集电极和共基极放大电路(1) 三种组态基本放大电路的判别方法见表2-3表2-3 三种组态基本放大电路的判别方法 组态输入、输出、地 共发射极CE共集电极CC共基极CB输入端(接信号源)基极b基极b发射极e输出端(接负载)集电极c发射极e集电极c交流公共端(地)发射极

6、e集电极c基极b(2) 三种基本放大电路的特点见表2-4。表2-4 晶体管三种组态基本放大电路的比较射极偏置稳定静态工作点电路属于共发射极电路。 三种基本放大电路可以根据各自的特点相互组合成多种组合单元放大电路,从而获得更优的性能。 2.2 自 测 题 及 解 答2.1 判断题,用“”表示正确,“”表示错误,判断结果填入空内。1. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其具有放大作用; ( )2.可以说任何放大电路都有功率放大作用; ( )3.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的; ( )4.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的; ( )5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作

7、; ( )6.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化; ( )7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。 ( )【解2.1】: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.2.2 单项选择题1. 晶体管能够实现放大的内部结构条件是 ( )。A.两个背靠背的PN结 B.空穴和电子都参与了导电 C.有三个掺杂浓度不一样的域 D.发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,并且基区很薄,集电结面积比发射结大 2. 晶体管能够实现放大的外部条件是 ( )。 A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结正偏,集电结反偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电

8、结反偏 3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的为( )。A A.60 B.61 C.100 D.504. 射极输出器的特点是( )。 A.l,输入电阻小,输出电阻大 B.1,输入电阻大,输出电阻小 C.1且 l,输入电阻大,输出电阻小 D. l,输入电阻小,输出电阻大5. 有两个放大电路A1和A2分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时,A1和A2输出电压相同。而接入相同的负载电阻后,Uo1Uo2。由此可知,A1比A2的( )。A.输出电阻大 B.输出电阻小 C.输入电阻大 D.输入电阻小6. 在图T2.2.6所示NPN管放大偏置电路中,若V

9、CC增加,则IB( )。A.几乎不变 B.略有减小 C.略有增大 D.无法判定 图T2.2.6 图T2.2.77. 图T2.2.7中微安表测得的电流是( )。A.穿透电流ICEO B.集电结反向饱和电流 C.集电极最大允许电流 D.工作点电流8. 关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的( )不正确。A.判断晶体管的质量 B.估算晶体管的一些参数 C.计算放大电路的一些指标 D.分析放大器的频率特性 9.工作在放大区的某晶体管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为 。 A.83 B.91 C.100 10.分析放大电路时,常常采用交流分析和直流分析分别进行的方法

10、,这是因为( )。A.晶体管是非线性器件 B.电路中有电容 C.交流成分与直流成分变化规律不同 D.在一定条件下电路可视为线性电路,因此可用叠加定理【解2.2】: 1.D 2.B 3.A 4.C 5.B 6.B 7.A 8.D 9.C 10.D5. B 选择理由:由通用模型知,A1,A2的负载开路电压增益相同,接上相同负载RL时,Uo1Uo2,从关系式,可知A1的输出电阻Ro较小。6. B 选择理由:集电结反偏电压VC增加时,根据基区宽度调制效应,IC和IE增加,而IB减小。8. D选择理由:晶体管频率特性是内部电抗效应所致。此时静特性曲线不再适用。2.3 纠错题(指出下面各题论述中的错误之处

11、)1. 放大电路某点为交流地电位,即在放大电路工作时,该点电压为零。纠错:某点为交流地电位,指该点对地交流电压为零,但可以有直流电压。2. 若两个放大电路的电压增益相同,则接相同的信号源时,输出电压一定相同。纠错:当两个放大电路的电压增益和信号源相同时,输入电阻大的放大器因从信号源得到的输入电压大,故输出电压较大。3. 输出电阻是放大电路输出电压与输出电流之比。纠错:放大电路对负载等效为一个信号源,该等效信号源的内阻即输出电阻。4. 采用共射-共基(CE-CB)和共集-共基(CC-CB)级联放大电路后,因为是二级放大电路,故电压增益会比一级放大电路(如共射(CE)放大电路)增益高。纠错:CE-

12、CB放大电路的电压增益由CB级获得。由于CE级负载是CB级输入电阻,该输入电阻很小,使得CE级的很小;CC-CB级电压增益由CB级提供。因为CC级的小于1。 5. 射极输出器的电压增益小于1,因此不宜用来放大信号。纠错:射极输出器不具有电压放大能力,但是具有电流放大能力,因此具有功率放大能力,可用来放大信号。6. 由共射(CE)放大电路的电压增益公式可知,当加倍时,电压增益也会加倍。纠错:rbe=+(1+)re,故加倍时(设IC调整为不变),rbe也会明显增大,故不会加倍。只有增大IC,才能有效地增大。7.若测得一只晶体管的电流IB=50A,IC=2.5mA,则该管的IC/IB=50。纠错:I

13、C/IB适用条件必须是晶体管工作在放大区。8.静态工作点Q是指晶体管的电流和电压在其特性曲线上对应的点。纠错:静态工作点应是在无信号输入状态下,晶体管上的直流电流、电压在其特性曲线上的对应点。9. 晶体管在放大区满足ICIB,且1,故晶体管适用于电流放大,不适用于电压放大。纠错:只要输出电流在负载上的电压能大于输入电压,就实现了电压放大。因此电流放大能力不能反映电压放大能力。10.PNP或NPN晶体管都是一种对称结构。因此将晶体管的发射极与集电极对调使用,晶体管仍然能正常放大信号。纠错:由于发射区比基区掺杂浓度高,而集电区不具有此特性,故C极和E极不能交换使用。2.3 习 题 及 解 答2.1

14、 工作在放大状态中的晶体管两个电极的电流如图P2.1所示。 (1)求另一个电极的电流,并在图中标出实际方向。 (2)判断e、b、c极,并画出该晶体管的符号。(a) (b)图P2.1【解2.1】:根据,、电流方向相同,而与他们方向相反。从而可判断出另一极电流的大小及方向。图P2.1(a)中已知两个管脚的电流为流入晶体管,则另一管脚必为发射极,电流必为流出晶体管,且大小为0.01+1.0=1.01mA,该管为NPN型晶体管,如图解2.2(a)所示。图P2.1(b)中一个管脚的电流为3.1mA流入、另一个管脚的电流为100A流出晶体管,根据,则第三只管脚为集电极,其电流必为流出晶体管,且大小为3.1-0.1=3.0mA,该管为P

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