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1、一周总结,陈益敏,2015.10.31,Reference 1,可以看到不管是Ge-S还是Ge-Se玻璃的玻璃转变温度大致是呈现出线性增加的，这和Ge-Te薄膜是一致的。本文所用的拉曼激光波长作用于Ge-Se和Ge-S玻璃分别是647.1和514.5nm,所以我认为用于Ge-Te薄膜研究的拉曼激光波长785比488nm更合适，实验结果验证也时如此。,a, b两个图给出的分别是随着Ge含量增加，Ge-S和Ge-Se玻璃的共角结构（Ge(S1/2)4 h和Ge(Se1/2)4 ）的拉曼位移变化，可以发现在Ge含量22at.%左右位移发生一个较大的变化，说明结构发生了响应的改变。C图是是GeSe,玻
2、璃的不可逆焓变化和比热比热变化随着Ge含量变化的曲线，可以看到在Ge含量22at.%左右，这两个值都最低，可以说明这个时候的玻璃能量最低，也就是状态最稳定。d图的具体含义还不是很清楚。,Reference 2,作者在本文所用的方法与他们四年前在PRL上的文章所用方法大致一样，但是增加了更多的样品，特别是在那个阈值附近。以上两个分别是玻璃转变温度和不可逆焓随Ge含量变化的曲线。,作者又给出了拉曼光谱，不过这次采用了更低一点能量密度，把拉曼激发光可能产生的影响降到最低。,随后作者又给出了Ge-Se四面体的共角（CS）和共边（ES）结构拉曼位移随着Ge含量变化的曲线。,作者把本文的共角结构拉曼位移变
3、化和上文的共角结构拉曼位移变化作了比较，可以看到通过更多样品数量能更好的反应在阈值点的结构变化趋势。,以上两篇文献所述内容主要是关于Ge-Se玻璃的rigidity transition研究。我可以通过类似方法结合一些力学和光学等性能上的研究，来探讨Ge-Te系列薄膜的rigidity transition 。,下面是我这周所做得一些实验和测试所得到的数据。按照顺序分别是5个新薄膜的EDS能谱，R-T测试和拉曼光谱。,EDS results of Ge-Te_7-26W amorphous film, which are fabricated by co-sputtering using Ge
4、 and Te targets.,Spectrum: 采集 Element Series unn. C norm. C Atom. C Error (1 Sigma) wt.% wt.% at.% wt.% - Tellurium L-series 77.80 85.46 76.98 2.32 Germanium L-series 13.24 14.54 23.02 0.79 - Total: 91.03 100.00 100.00,EDS results of new Ge-Te_7-26W amorphous film, which are fabricated by co-sputter
5、ing using Ge and Te targets.,Spectrum: 采集 Element Series unn. C norm. C Atom. C Error (1 Sigma) wt.% wt.% at.% wt.% - Germanium L-series 9.90 10.44 17.01 0.60 Tellurium L-series 84.89 89.56 82.99 2.53 - Total: 94.79 100.00 100.00,Spectrum: 采集 Element Series unn. C norm. C Atom. C Error (1 Sigma) wt.
6、% wt.% at.% wt.% - Germanium L-series 13.07 13.91 22.11 0.78 Tellurium L-series 80.90 86.09 77.89 2.41 - Total: 93.97 100.00 100.00,EDS results of new Ge-Te_8-30W amorphous film, which are fabricated by co-sputtering using Ge and Te targets.,Spectrum: 采集 Element Series unn. C norm. C Atom. C Error (
7、1 Sigma) wt.% wt.% at.% wt.% - Germanium L-series 15.03 16.11 25.23 0.89 Tellurium L-series 78.25 83.89 74.77 2.34 - Total: 93.28 100.00 100.00,EDS results of new Ge-Te_9-30W amorphous film, which are fabricated by co-sputtering using Ge and Te targets.,Spectrum: 采集 Element Series unn. C norm. C Ato
8、m. C Error (1 Sigma) wt.% wt.% at.% wt.% - Germanium L-series 15.46 16.69 26.04 0.91 Tellurium L-series 77.16 83.31 73.96 2.30 - Total: 92.62 100.00 100.00,EDS results of new Ge-Te_10-32W amorphous film, which are fabricated by co-sputtering using Ge and Te targets.,这是先前测得的Ge-Te薄膜的R-T曲线。可以看到随着Ge含量的增
9、加结晶温度是先上升后稳定到250oC，最后又下降，这与文献报道的一致。,Sheet resistance vs. temperature (R-T) curves of some Ge-Te films.,R-T curves of some Ge-Te films.,这是我在上周新镀的五片Ge-Te薄膜所测的R-T曲线。可以看到这些薄膜的结晶温度约在190-230oC 之间变动。,R-T curves of Ge-Te films.,这是把所有Ge-Te薄膜的R-T曲线都放在一个图里。可以看到整个趋势变化是正确的，除了个别薄膜如Ge17Te83的结晶温度偏高一点，Ge55Te45和Ge60T
10、e40的结晶温度相比于文献报道的要高出好多(文献报道的Ge50Te50的结晶温度大约在190oC）。,Raman spectrum of some Ge-Te films.,这是前期做的Ge-Te薄膜的拉曼图谱。这个结果与文献报道的结果与分析一致。,Raman spectrum of some Ge-Te films.,这是这周做的Ge-Te薄膜的拉曼图谱。与上图比较后明显发现这些曲线不仅不平滑而且两个主要峰位的强度不一样，更不用说能清楚的看出我们想要的位于141cm-1左右的小峰了。这应该是由于所用两次拉曼的激光波长不一样造成的激发谱不一样。,这周总结与下周计划,一、这周制备了新的5片Ge-Te薄膜 ，其中三片是Ge含量在22-28at.%之间的（23，25，26）。,二、这周拉曼光谱的数据由于激光波长选择错误，得出的数据于不能用，所以下周需要重行测。,四、Flash-DSC测试需要加快速度。,三、要进行新样品的纳米压痕实验。,谢谢！,
