《微电子工艺报告.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微电子工艺报告.doc（7页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、黑龙江科技学院综合实践报告实践项目名称：TCAD工艺流程仿真所属课程名称：微电子工艺实 践 日 期：2011-11-22至 2011-12-1班 级：电技08-3班学 号：15号姓 名：胡静巍成 绩：电气与信息工程学院实践室【实践目的及要求】实践目的：1、 学会使用TCAD软件。2、 用TCAD软件完成NMOS管的工艺设计。3、 了解tanner软件的使用方法。实践要求：1、 熟悉和掌握SILVACO TCAD、TANNER软件。2、 并能用TCAD软件进行半导体工艺流程仿真，如氧化、离子注入、扩散、刻蚀、淀积、光刻等3、 撰写实践报告。【实践内容】一、 tanner部分利用tanner软件中
2、的ledit设计版图本实验中设计了NMOS的版图，为下一步部分工艺仿真提供了参考依据。在版图中我们定义了多晶硅栅的宽长比，通过设计规则绘制版图。利用剖面观察器可以看到对应的各个区域。二、 silvaco部分1、 定义网格由于在软件上硅片被认为是无限大，所以在仿真之前需要定义各个工艺的工作区域的范围，其程序如下所示从程序中可以看到，Y=0um到Y=0.5um地表面层定义了最密的网格，这个区域在后面将会形成PMOS管的表面有源区2、栅氧接下来，我们将要在硅片的表面生长一层栅氧化层，这个工艺条件为1000度下干氧氧化30分钟，环境为3%的HCL，一个大气压提取氧化层参数，氧化厚度为101.14埃3、
3、离子注入由于现代半导体技术使用了浅结工艺、高剂量注入、倾斜注入以及其他很多先进方法，因此对离子注入工艺进行充分的模拟是非常重要的。如下图所示注入硼原子，浓度为110e14，图形显示如下：程序如下：4、刻蚀多晶硅首先我们采用等形淀积生长多晶硅，厚度为2500埃，然后在x=0.35处开始刻蚀。输出结果如图所示：仿真图形如下：5、金属化淀积铝生成铝电极，并把多余的铝刻蚀掉。6、退火工艺我们设定的时间为5分钟，退火温度为900度。7、提取参数包括结深、N+源漏方块电阻、边墙下LDD区的方块电阻、长沟阈值电压输出结果如下所示：8、PMOS的结构图经镜像后得到完整的POMS结构。仿真图如下：【小结】4、 通过这4天得学习，让我学会了如何使用TCAD软件，如何用TCAD软件完成NMOS管的工艺设计，并且了解了tanner软件的使用方法。这几天让我收获颇多，感谢老师的教导,谢谢老师！【指导教师评语】 成 绩：日 期：
