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1、 LTE 室分室分多系统多系统合路干扰合路干扰处理处理指导意见指导意见 目前联通 1800MHz FDD-LTE 室分建设方案大多数为合路至原室分系统，开通 后出现了 WCDMA 底噪明显抬升的干扰问题，严重影响了现网用户，LTE 室分开通 进度受到影响，现将关于 LTE 室分多系统合路干扰处理指导意见下发如下： 1 干扰问题现象干扰问题现象 LTE 室分合路至多系统室分之前，WCDMA 室分底噪维持在正常值，LTE 室分 激活之后，WCDMA 室分 RTWP 有一定程度抬升 3-5dB，LTE 模拟下行加载 100%后， WCDMA 室分 RTWP 有 15-20dB 明显抬升。如下图所示：
2、 LTE 室分多系统合路干扰示意图 1（W 三载波） LTE 室分多系统合路干扰示意图 1（W 单载波） 2 干扰站点比例干扰站点比例 前期专项研究工作主要在广州开展，以广州为例，FDD 规模 560 站（包括可 研一期 450 站，可研二期 110 站） ，合路站点共 374，占比 66.8%。存在 W 上行干 扰问题站点 31 个，占已开通方案为合路型的室分站点的 60%左右。 （已开通合路 型站点总数为 55 个） 类型 分类 站点数量 占比 单通道 （合路） 含 CDMA 站点 归属联通 50 8.93% 归属电信 53 9.46% 含光直干放站点 93 16.61% BBU+RRU
3、站点 178 31.79% 双通道 （新建） 小型站点（综合方案、营业厅） 106 18.93% 大型站点（如会展中心、机场、白云国际会议中心、 中信广场） 80 14.29% 室分干扰站点清单. xls 待广分提供合路后存在问题的站点比例及干扰值。器件及规模以此 60%的比 例（数据待更新）进行规模估算，广州约有 220 个存在合路干扰（规模 560，合 路 374） ，广东约有 600 个存在合路干扰（规模 1498，合路约 1000） 。 3 干扰干扰问题原因问题原因 3.1 互调干扰互调干扰分析分析 无源互调是射频信号路径中两个或多个射频信号， 因各种无源器件 (例如天 线、电缆或连接
4、器) 的非线性特性非线性特性引起的混频干扰信号，在大功率、多信道系统 中，铁磁材料、异种金属焊接点、金属氧化物接点、和松散的射频连接器都会产 生信号的混频，其最终结果就是 PIM(Passive Intermodulation)干扰信号。 互调产物的大小取决于器件器件的互调抑制度互调抑制度， 互调抑制度越差， 互调产物越大； 互调抑制度越好， 互调产物越小。 互调产物的大小还和输入信号的功率输入信号的功率密切相关， 在相同的互调抑制度情况下，输入功率越大，互调产物越大。 一般取三阶互调来衡量互调水平，三阶互调越高则五阶互调也高。五阶互调 一般比三阶互调低 10-15dB。 （一）Case 1（
5、D/W/L 合路当前频段划分）: DCS1800: 1830-1850/1735-1755 MHz；LTE1800: 1850-1870/1755-1775 MHz； UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz 互调产物的频率分析结果： （1）3 阶互调产物不会干扰 GL1800 和 UMTS2100 的上行； （2）5 阶互调产物会干扰部分阶互调产物会干扰部分 G1800 上行频率（上行频率（1750-1755） ，部分） ，部分 U2100 上行频率（上行频率（1940-1950） ，整个） ，整个 LTE1800 的上行频率；的上行频率； （3）7 阶互调产物会干
6、扰阶互调产物会干扰 GL1800 和和 UMTS2100 整个的上行频率。整个的上行频率。 WCDMA/FDD/DCS 合路的五阶互调干扰落入 WCDMA 上行频段，如果这个互调分如果这个互调分 量电平过高，将会影响量电平过高，将会影响 DCSDCS 和和 WCDMAWCDMA 的上行接收，形成干扰。的上行接收，形成干扰。 （二）Case 2（D/W/L 合路后续规划频段划分）: DCS 1800: 1830-1840/1735-1745 MHz；LTE1800: 1840-1860/1745-1765 MHz UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz 互调产物频率的
7、分析结果： （1）3 阶互调产物不会干扰 GL1800 和 UMTS2100 的上行； （2）5 阶互调产物不会干扰 GL1800 和 UMTS2100 的上行； （3）7 阶互调产物会干扰部分阶互调产物会干扰部分 G1800 上行频率（上行频率（1740-1745） ，部分） ，部分 U2100 上行频率（上行频率（1940-1950） ，整个） ，整个 LTE1800 的上行频率。的上行频率。 Case1 当前频段划分互调示意图 Case 后续可能频段划分互调示意图 （三）Case 3（G900/W2100/L1800 合路）: A： FDD-LTE1850-1870（现有频段）二阶互调落
8、入 900 上行 B： FDD-LTE1840-1860（后续规划频段）二阶互调不落入 900 上行 G900 和 L1800 二阶互调影响 G900 上行，GSM 与 DCSLTE 的四阶互调产物落 在 DCS 与 LTE 的上行频段。影响较大无法通过更换器件规避，若必须保证 2G 覆 盖，建议 GSM900 更换为 DCS1800。 （四）Case 4（与电信 CDMA 多系统合路建议）: 不建议与 CDMA 合路：CDMA（875880MHz）二次谐波二次谐波产物产物（17501760MHz）影响影响 LTELTE 和和 DCSDCS 上行，上行，无法通过更换器件规避，无法通过更换器件规
9、避，且部分站点电信部署合路且部分站点电信部署合路 LTELTE，导致，导致 我方无法再合路我方无法再合路。 除双方沟通除双方沟通进行较好频率规划且前级采用高品质器件的基础上可以共建共进行较好频率规划且前级采用高品质器件的基础上可以共建共 享享，实际组网中不建议实际组网中不建议再合路再合路 FDDFDD- -LTELTE。 可合路可合路 情况情况 合路时频率规合路时频率规 划划 无源互调干扰情况无源互调干扰情况 高品质器件使用要求高品质器件使用要求 中国联通DC S/WCDMA/1. 8GFDDLTE 和中国电信 CDMA800/2. 1G FDDLTE 合路 CDMA使用频率：上 行83083
10、5MHz， 下 行875880MHz； DCS使用频率： 上行 17451750MHz,下 行18401845MHz； 1.8GFDDLTE： 上行1 7601785MHz，下 行18551880MHz。 1.CDMA二次谐波（17501 760MHz） ， 不落在其他系统 的上行。 2.CDMA、DCS和1.8GFDDLTE 形成的三阶互调（84091 5MHz），也不会落在CDMA 上行。 3.DCS和1.8GFDDLTE的五阶 互调（17601960MHz）会 干扰1.8GFDDLTE上行。 二阶和三阶互调干扰通过频率规划规避后，还剩下五阶 及以上互调干扰，普通无源器件组成的分布系统五阶
11、互 调抑制度为-125dBc243dBm， 即-82dBm243dBm， 分 布系统中输入功率每降低1dB五阶互调量降低5dB（还要 算上馈线损耗），为保证五阶发射互调小于-105dBm，基 站功率降低5dB前都要使用高品质器件，即基站功率38d Bm前都要使用高品质器件。 按照无源器件容量分析， 当中国联通和中国电信合路 时，WCDMA平均功率大于30dBm时都要使用高品质器件， 因此只要满足容量肯定能满足互调的高品质使用要求。 中国联通WC DMA/1.8GFD DLTE 和中国电信 CDMA800/2. 1G FDDLTE 合路 1.8GFDDLTE：上 行176017 85MHz， 下
12、行1855 1880MHz。 1.CDMA二次谐波（17401 760MHz），不落在1.8GFDD LTE上行。 2.CDMA和1.8GFDDLTE形成 的五阶互调（820930MHz ）会落在CDMA上行。 二阶和三阶互调干扰通过频率规划规避后，还剩下五 阶及以上互调干扰，普通无源器件五阶互调抑制度为 -125dBc243dBm，即-82dBm243dBm，由于是LTE 系统干扰CDMA系统，因此互调量还需减去10Lg（20/1 .23）=12dB，即-87-12=-94dBm。互调分布系统中 输入通过衰减器衰减功率每降低1dB五阶互调量降低5 dB（还要算上衰减损耗），为保证五阶发射互调
13、小于- 105dBm（LTE系统），注入无源器件的功率降低3dB前 都要使用高品质器件， 基站功率40dBm前都要使用高品 质器件，合路后前两级无源使用高品质器件即可。 按照无源器件容量分析，当中国联通和中国电信 合路时，WCDMA平均功率大于30dBm时都要使用高品质器 件，因此只要满足容量肯定能满足互调的高品质使用要 求。 各系统互调产物计算公式见附件 2。 3.2 互调干扰互调干扰的影响因素的影响因素 （一）无源器件的质量： 前期集采无源器件互调抑制度仅为 120dbc，且已有旧系统经过多年运行使 用，器件老化锈蚀严重，相关影响干扰和不达标，近近 RRURRU 端输入信号功率大的无端输入
14、信号功率大的无 源器件互调源器件互调对系统的底噪提升对系统的底噪提升影响较大影响较大，需更换为，需更换为三阶互调抑制度指标三阶互调抑制度指标不低于不低于 - -140dBc140dBc243dBm 高性能器件高性能器件。 DCS1800、WCDMA2100、FDD-LTE1800 合路天馈系统无源互调指标需求为 143dBc2*43dBm，取 3dB 余量，则为 146dBc2*43dBm。计算公式见附件 2。 （二）施工工艺（含跳线，馈线的接头制作）的质量： 室分施工工艺质量存在不足，馈线、跳线接头质量差或接头制作问题，都会 引起互调干扰指标的抬升。在更换器件仍无法满足上行干扰抑制要求的情况
15、下， 建议更换馈线接头为高性能 DIN 头。 方案 图例 材质要求 对指标影响 成可靠 本 性 DIN 外导体：黄 铜 互调、插损指标好，互调能达 到-150 到-160dBc 高 高 内导体：锡青铜 N 外导体：锌合金 互调、插损较好，互调能达到 -140dBc，主要用于对功率容 量要求不高的场景 中 中 内导体：黄 铜 内芯+ 外导体 外导体：锌合金 互调难以保证，易造成泄漏 低 低 内导体：黄 铜 （三）天馈系统外的互调干扰，由天线附近金属物体（如生锈的铁制品等）的强 非线性特性引起。在系统排查过程中需注意。 3.3 功率容量影响功率容量影响 安装于基站信源前端的器件由于承受较高的功率通
16、过， 往往由于器件的工艺、 结构、耦合节点电阻的耐功率、触点距离、接地隔离电阻等问题影响器件的电气 性能指标和承受功率能力， 同时还会因为器件的 “趋肤效应” 而导致局部微打火， 出现电压飞弧打火现象，产生宽带噪声，对通信系统形成严重的上行低噪干扰产生宽带噪声，对通信系统形成严重的上行低噪干扰。 目前中国联通对于无源器件功率容量的集采标准要求是 200W（平均），按 照 WCDMA 等制式对功率的要求，可以满足 WCDMA 系统多载波的平均功率要求。但 问题是 WCDMA 系统峰均比很高，往往超过 10，而集采器件没有峰值功率的指标而集采器件没有峰值功率的指标 要求，在多要求，在多载波和大载波和大话务量的冲击下，很容易带来宽带杂散干扰话务量的冲击下，很容易带来宽带杂散干扰。 使用 1.8G FDD-LTE 后，由于 1.8G FDD-LTE 下行频段距离 WCDMA 上行频段较 近，且且 LTELTE 峰均比较大峰均比较大，因此产生的飞弧打火很容易干扰 WCDMA 上行。为较大概 率
