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1、20142015 学年度第一学期光伏 专业 硅材料检测期末模拟试题卷三题 1 一般 X 射线大致具有的性质感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强，X 射线的折射率近似等于 1，衍射作用。2 氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布 。3 自然界存在的水(江水，河水，湖水)称为天然水 。4 目前国内外导电类型测量有两种温差电动势法，整流效应法。5 电阻率是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。6 四探针法测试，C 的大小取决于四探针的排列方式和针距。7 非平衡载流子的寿命 ，就是反映复合强弱的参数。8 目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，
2、一般可分为两大类，瞬态法(直接法)，稳态法( 间接法)。9 快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时光照影响比较大。10 半导体晶体缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。11 电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点，腐蚀面为镜面，这是漩涡花纹和电阻率条纹最重要的区别。12 金相显微镜光学系统，照明系统，机械系统几部分构成。13 硅单晶的导电类型是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为 P 型和 N 型两大类。14 导电类型测量的具体方法冷热探笔法，三探针法，四探针法，15 在晶体学上，选取与宏观晶体有同样对称性
3、的平行六面体来作为晶胞，它构成体的最小单位。16 晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指数最低的晶面总是具有最大的晶面间距。17 当任何一种高速运动的带电粒子与一块金属物质相撞时，都会产生 X 射线。18 目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法红外吸收法。19 光电导衰退法是目前应用最广的方法，它有高频光电导和直流光电导之分。20 测出的就是点接触外表面的导电类型。要求表面无反型层，无氧化层，清洁无油污。21 硅半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。22 半导体材料的电阻率与载流子的浓度，以及载流子迁移率有关。一题 用冷热探笔法测量 半导体时，冷端带正电，热端带负电。 （
4、A ）P型 .N型 .PN型 .以上皆不是是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。（D）点缺陷 线缺陷面缺陷 微缺陷3.光图定向法结果直观，操作，误差 。 （A）简单较大 复杂较大简单较小 复杂较小4.悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间左右。 （D）5.失效表明离子交换树脂可供交换的大为减少。 （C）和6.下列哪一项不是天然水的三大杂质？（B）悬浮物质 挥发物质胶体物质 溶解物质7.射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。 （B）8.直拉单晶中氧含量头部和尾部相比 。 （A ）A.较高 B.相
5、同 C.较低 D.无法判断9.硅单质是_A_。 A半导体 B导体 C绝缘体 D以上都不是 10.只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是( C )。A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷11.下列是晶体的是_B_。 A玻璃 B硅 C松香 D塑料 12.晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是( A )。 A固相生长 B液相生长 C气相生长 13.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在( D )以上。 A90% B92% C95% D97% 14.对于铸造多晶硅氧浓度越_，钝化效果越_，少数载流子寿命增加越_. () A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多 15.在工业生产中广泛
6、用的是_C_。A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗 16.下列说法错误的是(A)。 A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦 C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值17.将单晶划分为平P型和N型两大类，P型单晶多数载流子是，N型单晶多数载流子是。A空穴 电子 B 电子 电子 C电子 空穴 D 空穴 空穴 答案A18.光导电衰退法是用来测量寿命的，目前应用最广范的方法有C和。A高频光电导 低频光电导 B直流光电导 分流光电导C高频光电导 直流
7、光电导 D低频光电导 分流光电导 答案C19.在电化学腐蚀中，没有外加电源则称为，有外加电源则称为。A 电化学腐蚀 电化学侵蚀 B 电解腐蚀 电化学腐蚀 C 电化学腐蚀 电解腐蚀 D电解腐蚀 电化学腐蚀 答案C20.在位错密度测试时我国国家标准中规定我位错密度在104个/cm2以下者，采用的视场面积。在104个/cm2以上者采用的视场面积。A 1mm2 0.4mm2 B 0.4mm2 1mm2 C 0.2mm2 0.4mm2 D 1mm2 0.2mm2 答案D21.近年来，一半以上的太阳能电池使用的是用铸造法制造的基片。A单晶硅 B多晶硅 C CIGS D CIS 答案C22目前单晶硅太阳电池
8、的实验室最高转换效率为。A 10.5% B 24.7% C 15% D 20% 答案B23.硅在300K时的晶格常数a为5.43。请计算出每立方厘米体积中的硅原子数及常温下的硅原子密度。A2.33g/cm3 B 5.33g/cm3 C 4.21g/cm3 D5.21g/cm3 答案A 24太阳能级硅的固态和液态的密度分别。A 5.31g/cm3 5.11g/cm3 B 3.33g/cm3 3.57g/cm3 C 2.33g/cm3 2.53g/cm3 D 1.11g/cm3 1.37g/cm3 答案C25、下列与硼氧复合体缺陷无关的是（ ） 答案：D A、氧 B、硼 C、温度 D、湿度 26、
9、下列属于单晶硅片的一般形状（ ） 答案：A A.方形 B.三角形 C.圆形 D.梯形 27、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转 过高，会导致固液界面的形状（ ） 答案：A A、形状太 凹 B、形状太 凸 C、过于平整 D、无变化 28、固相晶 化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（ ）摄氏度以上 进行常规热处理。 答案：D A.300 B.400 C.500 D.600 29、正常凝固是最宽 熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（ ） 答案：B A、能 B、不能 C、不确定 D、有时可以，有时不可以 30、通过（ ）改变驱动力场，借以控制生长
10、系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。 答案：A A、温度场 B、磁场 C、重力场 D、电场31、影响单晶 内杂质数量及分布的主要因素是：A 原材料中杂质的种类和含量； 杂质的分凝效应； 杂质的蒸发效应； 生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污； 加入杂质量； A. B. C. D. 32、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率_A_。 A.上升 B.下降 C.不变 D.不确定 33、制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是_A_。 A.汽-固 B.液-固 C.固-固 D.汽-液 34、测量硅中氧浓度常用的方法是_D_。 A.带电粒子活化法 B.熔化分析法 C.离子质谱法 D.红外
11、光谱分析法 35、 在设计合理的生长系统时，其驱动力场满足的要求中。晶体-流体界面附近_B_。 A.负相变驱动力，g0 B.负相变驱动力，g0 36、原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距_而迅速地_A_。 A.增加 减小 B.减小 减小 C.增加 增加 D.不确定 37、下列铸造多晶硅的制备方法中，_C_没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。 A.布里曼法 B.热交换法 C.电磁铸锭法 D.浇铸法 38、下列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是_B_。 A.加热 B.化料 C.晶体生长 D.冷却 39、在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是_B_。 A.上部和边缘部分 B
12、.中部和边缘部分 C.上部和底部 D.底部和边缘部分 40、在制备多晶硅薄膜时，要调整工艺参数，使得多晶硅的晶粒_,晶界_B_。 A.尽量大 尽量大 B.尽量大 尽量小 C.尽量小 尽量小 D尽量小 尽量大41.硅元素的原子序数是（B） A.13 B.14 C.15 D.16 42.一下哪一种属于金刚石结构（A） A.Si B.Cu C.Fe D.Al 43.下列不属于工业吸附要求的是（C） A.具有较大的内表面，吸附容量大 B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀 C.不易得，昂贵 D.容易再生 44.下列不属于三氯氢硅性质的是（C） A.无色透明 B.易燃易爆 C.不易挥发和水解 D.有刺激性气味 45.半导体工业所用的硅单晶（C）是用CZ法生长的。 A.70% B.80% C.90% D.60% 46.下列与硼氧复合体缺陷无关的是（D） A.氧 B.硼 C.温度 D.湿度 47.下列属于单晶硅片的一般形状（A） A.方形
