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基础电子技术,逸夫楼607 13845105454 ,本节内容,场效应晶体管 特性、规律总结 双极型和场效应晶体管的比较 场效应管放大电路 共源组态基本放大电路 偏置、放大电路 性能指标计算,总结1：根据符号识别管子,（1）PN结 箭头总是表示PN结，由P指向N PN结总是反偏截止状态，栅极无电流 （2）沟道 DS间的连线表示沟道 沟道为虚线：Ugs=0时沟道不存在，只有增强电压才能感应出电荷形成沟道增强型 沟道为实线：Ugs=0时沟道存在，外加电压可形成电流结型、耗尽型。,总结2：P沟道 VS N沟道,N沟道 Ugs越大，导电沟道越宽，iD越大 uDS0，iD实际流向为DS,总结3：工作区域判断,（1）两端均开启（或均未夹断）：可变电阻区 DS间等效为电阻Rds Rds大小取决于Ugs iD=UDs/Rds （2）一端开启（导通），一端夹断：恒流区 DS间等效为受控电流源 iD=gm* ug 放大状态应工作区域 （3）两端未开启（或均夹断）：截止区 iD=0,P沟道 转移特性曲线和漏极输出特性曲线与N沟道型场效应管以纵轴左右对称，即上述结论为： Ugs越小，导电沟道越宽，iD越大 uDSD,另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称,BJT VS FET,场效应管放大电路,共源组态基本放大电路,自给偏置,分压偏置及共源组态基本放大电路,
