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N沟道和P沟道MOS FET开关电路在电路中常见到使用MOS FET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。图1如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是Li电池充放电电路，当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电，即+5V电源断开后Q1的G极为低电平，S极和D极导通，为系统供电。图中D2和D3的一方面是降压的作用，使5V降为4V（D2为锗管压降为0.2V，D3硅管压降为0.7V）。图2图2 工作原理同图1，也使用了内置续流二极管的P沟道COMS FET。图3图3使用了内置续流二极管的N沟道的COMS FET。此电路是应用于开关时序的，当3.3V_SB为低电平时Q18、Q19不导通，5V时钟数据转3.3V时钟数据不导通；当3.3V_SB为高电平时5V时钟数据转3.3V时钟数据。
