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1,微影照像用材料,2,Electronic Materials,電子材料,2,圖2.1 (a)正光阻，和(b)負光阻成像的比較,3,4,5,6,圖2.2 光阻覆蓋製程,7,圖2.3 (a)正光阻，(b)負光阻的特性比較,8,（續）圖2.3 (a)正光阻，(b)負光阻的特性比較,9,10,11,圖2.4 電漿預處理,12,圖2.5 影像反轉製程和(a)以深紫外光照像，(b)曝光後，(c)矽離子植入，(d)氧離子植入，(e)最後是光罩中透明的部份被保留了。,13,圖2.6 駐波現象,14,圖2.7 (a)繞射現象和(b)降低繞射的比較,15,圖2.8 一個光罩的例子,16,17,圖2.9 光罩護膜,18,19,20,圖2.10 接觸式曝光系統,21,圖2.11 步進照像系統,22,圖2.12 在晶圓上步進曝光,23,圖2.13 霧狀晶圓的對準原理,24,圖2.14 (a)傳統光罩，和(b)相移光罩的成像的解析度比像,25,圖2.15 數值孔徑的表示方法,26,圖2.16 焦距深度的表示方法,27,圖2.17 解析力的表示方法,28,圖2.18 各種紫外光和可見光光譜,29,圖2.19 x光微影技術用的光罩,30,31,
