《半导体的特性》ppt课件

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1、模拟电子技术基础,主讲:片锦香 联系电话: 13804023242 Email: 答疑时间: 每周四5,6节 信息学院,教材 模拟电子技术基础简明教程第三版 杨素行主编,高等教育出版社 先修课 电路分析: 电压源、电流源、受控源、基尔霍夫定律,叠加定理 、戴维南定理、诺顿定理等,教材及主要先修课,1.出勤5%+作业5% 2.期中考试30%(前五章) 4.实验20%(不及格取消正常考试资格) 5. 期末40%(以5,6,7章为主),考核方式,学时安排,共72学时:(56+16实验),电子元器件 二极管 三极管 电子电路及其应用 放大电路 滤波电路 电源,引言,第1次课内容,下页,总目录,内容:

2、 1.1半导体的特性 1.2半导体二极管 重点: 半导体的特性,导通条件 PN结导电原理 二极管伏安特性 作业:P34:1-4、1-7、1-8,1.1 半导体的特性,共价键Covalent bond,半导体定义: 将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。,在硅(或锗)的晶体中,原子在空间排列成规则的晶格,故半导体器件又称为晶体管,下页,首页,上页,第一章 半导体器件,2. 本征半导体(intrinsic semiconductors),在本征半导体中,由于晶体中共价键的结合力很强, 在热力学温度零度(即T = 0K,)时, 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚, 晶体中不存在能够

3、导电的载流子, 半导体不能导电,如同绝缘体一样。,下页,上页,首页,本征半导体中的载流子,如果温度升高(热激发)或光照射(光激发),少数价电子因获得能量将挣脱共价键束缚成为自由电子。在原来的共价键位置留下一个空位,称之为空穴。,下页,上页,首页,自由电子和空穴运动方向相反,都是载流子,这种运动杂乱无章。而金属导电只有自由电子参与,在本征半导体中,在外界能量激发下,两种载流子总是成对出现称为 电子 空穴对,两种载流子浓度相等,浓度低,称本征激发,在一定温度下电子 - 空穴对的产生和复合达到动态平衡。,下页,上页,首页,1. N型(或电子型)半导体 (N-type semiconductor),二

4、、 杂质半导体,5价原子(磷)与周围四个硅原子组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引,在室温下可成为自由电子。,在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素,,下页,上页,定义:在本征半导体中掺入某种特定的杂质(3价和5价),自由电子,首页,失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动, 并带有正电荷,称为正离子。,下页,上页,首页,自由电子数=空穴数+正离子数 因此对外呈现电中性,空位,2. P型半导体(P-type semiconductor),下页,上页,首页,硅原子外层电子由于热运动填补此空位时, 杂质原子成为负离子,硅原子的 共价键中产生一个空穴。,在这种杂质半导体中,空穴的浓度远高于自由电子的浓度。,空穴,在室温下仍有电子-空穴对的产生和复合。,多数 载流子,P型半导体主要依靠空穴导电,所以又称为空穴型半导体。,下页,上页,3价的杂质原子产生多余的空穴,起着接受电子的作用,所以称为受主原子。,少数 载流子,首页,自由电子数=空穴数+正离子数 因此对外呈现电中性,在杂质半导体中: 1.杂质半导体利用多子导电; 2.多子浓度取决于掺入杂质的浓度; 3.少子的浓度主要取决于温度(本征激发);,总结,上页,首页,

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