一.双阱工艺 * n阱的形成,1. 外延生长,2. 氧化生长,3.第一层掩膜（光刻1）“n阱注入”,4. n阱注入 磷注入,5. 退火,* p 阱的形成 1. 第二层掩膜(光刻2) “p阱注入”,2. p阱注入 硼注入,3. 退火,二.浅槽隔离工艺 * 槽刻蚀 1．长隔离氧化层,2. 氮化硅淀积 Si3N4,3.第三层掩膜(光刻3) “浅槽隔离”,4. STI槽刻蚀 在外延层上选择刻蚀开隔离区,去光刻胶,* STI氧化物填充 1. 沟槽衬垫氧化硅,2. 沟槽CVD氧化物填充,隔离槽CVD氧化硅,* STI 氧化层抛光 — 氮化物去除 1. 沟槽氧化物抛光(CMP),2. 氮化物去除,三．多晶硅栅结构工艺 1．栅氧化层的生长,2．多晶硅淀积,3．第四层掩膜(光刻4) “多晶硅栅”,4．多晶硅栅刻蚀,四．轻掺杂漏注入工艺 * n- 轻掺杂漏注入 1．第五层掩膜(光刻5) “n-LDD注入”,2．n- LDD注入 砷注入,* p- 轻掺杂漏注入 1．第六层掩膜(光刻6) “p-轻掺杂注入”,2．p- LDD注入 BF2注入,五．侧墙的形成 1．淀积二氧化硅,2．二氧化硅反刻 用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻,六．源/漏注入工艺 * n+ 源/漏注入 1．第七层掩膜(光刻7) “n+源/漏注入”,2．n+源漏注入 砷注入,* p+ 源/漏注入 1．第八层掩膜(光刻8) “p+源/漏注入”,2．p+源/漏注入 硼注入,3．退火,七．接触(孔)的形成 * 钛金属接触的制作 1．钛的淀积 钛淀积,2．退火 钛硅化物接触形成,3．钛刻蚀,八．局部互连(LI)工艺 * LI氧化硅介质的形成 1．氮化硅化学气相淀积 氮化硅CVD,2．掺杂氧化物的化学气相淀积,3. 氧化层抛光（CMP）,4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连”,局部互连刻蚀,* LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺),2. 氮化钛(TiN)淀积,3. 钨淀积(CVD工艺),4. 磨抛钨(CMP工艺),九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD）,2．氧化物磨抛（CMP）,3．第十层掩膜(光刻10) “ILD-1”,第一层层间介质刻蚀,* 钨塞1的制作 1. 金属淀积钛阻挡层（PVD） 2. 淀积氮化钛（CVD） 3．淀积钨（CVD）,4. 磨抛钨（CMP）,十．第一层金属（金属1）互连的形成 * 金属1互连的制作 1．金属钛阻挡层淀积（PVD）,2．淀积铝铜合金（PVD）,3．淀积氮化钛（PVD）,4．第十一层掩膜(光刻11) “金属1互连”,金属刻蚀,十一. 通孔2和钨塞2的形成 * 通孔2的制作 1. ILD-2间隙填充 2．ILD-2氧化物淀积,3．ILD-2氧化物平坦化（CMP） 4．第十二层掩膜(光刻12) ILD-2刻蚀,* 钨塞2的制作 1．金属淀积钛阻挡层（PVD）,2．淀积氮化钛（CVD）,3．淀积钨（CVD） 4．磨抛钨（CMP）,,十二. 第二层金属（金属2）互连的形成 * 金属2互连的制作 1． 淀积、刻蚀金属2 2． 填充第三层层间介质间隙 3． 淀积、平坦化ILD-3氧化物 4. 刻蚀通孔3，淀积钛/氮化钛，淀积钨，平坦化,,十三. 制作第三层金属（金属3）直到 制作压点和合金,。