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1、闵伟朱蜊4.1单极型晶体管4.2场效应管基本放大电路4.3应口心路介绍筒介场效应管属于另一种半导体器件,尤为突出的是:场效应管具有高达107一1015的输入电阻,几乎不取用信号源提供的电流,因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。根据络构的不间,场效应管可分江多柳型两大类,它们都只有一种载流子(多参与导电,故又称为单极型三极管。其q口型和绝缅数载流子)应用更为广泛。P绝缘柳型挂E巳符P126诅道下+1梁|厂一8诊一门DaaUosodcs一s些口一-Uesco技R坤|g|U+-Uesun0砺“05坤4.1单极型晶体管(FET)绝缘柳型场效应管的结构是金
2、属一氟化物一半导体,简称为MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种,每一种又可分为增强型与耗尽型两种型式。本节将以N沟道为例,说明绝缘栋型场效应管的结构和工作原理。4.1.1场效应售的结构和外愤FssH盱康耕尿层F埚确秉庭门IEJ列面国国4-100)N沥道基强埚符号(1)工作原理)导电沟道的形成当tas足够大时,由于静电场作用,管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道(称为沟道),极间等效电阻较小。Xcs越大,导电沟道宽度越宽,等效电阻越小。产生导电沟道所需的最小柳源电压我们称为开启电压Uexu。改变柳源电压,就可以改变导电沟道的宽度。上述这种在时没有导电沟道,因而必须在时才形成导电沟道的场效
3、应管称为增强型场效应管。N型(感生沟道PJ6sicsu时导电沟道形成图4-22)漏源间电压好柘源电压us对漏极电流i的影响当esUaww时,若在漪-源之间加上正向电压时,则将产生一定的漏极电流。此时,wos的变化会对导电沟道产生影响。即当“ns较小时,s的增大使ib线性增大,沟道沅源-溥方向逐渐变窄,如图43a)所示。一旦Wns增大到使xosxas一Uas时,沟道在漏极一侧出现夹断点,称为预夹断,如果wbs继续增大,夹断区随之延长，妮图(b)所示。_.2)漏源间电压好栅源电压tos对漪极电流ib的影响在toscs一Uasw时,对应于每一个Xas就有一个确定的i加。此时,可将加视为电压Gs控制的电流源。而且wos的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漪极电流的阻力。武时,元虑乎不因wos的增大士e|而变化,管子迹|入余流区,几1乎仅决定于2Ucs一FRe【E工作原理
