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1、个4场效应管放大电路气学司指导概述4.1结型场效应管4.3金屠.氧化物-华寻体场效应管4.4场效应管放大电路t0山山y心4.3全属-氧化物-止导体场效应管夺JBET的直流输入电阻虽然可达105-10902,但这个电阻从本质上讲是PN结的反向电阻,由于反向电流的孙在,限制了输入电阻的提高。M0SFET的栅极处于不导电的状忘,所以输入电阻很高,可以达到1015Q。MOS汤效应茵分类增强型MOS场效应萧“耗尽型MOS场效应管Z怀咖N沟道增强型的MOS管气兴P沟道增强型的MOS管“N沟送耗尽型的MOS管P沟道耗尽型的MOS管-怡鸣3口死Ja25f|源极S-|绝缘栅杨电极一金属*绝缘层一氧化物基体一半导
2、体“因此称之为MOS管由于栅极与源极、漪极之问均无电接触,故称绝缘栅极。篓头方向田P(移庶)日篱旨庐N(r勾道二)一吊二、N沟道增强型M0S场效应管工作原理_增强型M0S萧孔,当Fes=0V时,漏源之间相当两个背靠背的PN结,无论Vs高之间加什么电压都不会在D、S间形成电流ip,即inx0.当Vcs较小时,蛮然在P型衬Vos底表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。当Vcs=Vr时,在P型衬底表面成一层电子层形成N型导电沥EeesMOSBET星切|用枝顶目尸伟个N的大小;来改变半导体表吊Rh怡人面感生电荷的多尔,从而一-接制源松电流的大小.-FF颜d李增强型M0S萧另一方面,溥源电压Mis对滢杜
3、电流/的控制作用当fs厂,且固定为栋一值时,来分析漏源电压s的不同变化对导电沟道和漏极电流厂的影响。/Ds=/DG十Gs=一Vap十Vas/【】=/【蝈_ls当历为0或较小时,目当际仪,坂时e基本蚣匀降落在沟道中,沟道呈斜线分布。在Vos作用下形成I-月一增强型M05萧一男一方面,满源电压1对满极电流丿的控制作用vG=【;s渡yD$当Vos增加到使Vep=V7时,这相当于Js增加使溥极处沟道缩减到刚刚开启的情况,称为预夹断。此时的漪极电流巾基本饱和。当Vos增加到Ten人)口吊耗尽型M0S场效应管夺一、沥道耗尸袱M0S场效应管结构耗尽型M0S替二、N沟道耗尽型M0S场效应管工作原理丨当VGs=0时,Vos加正向电压,产生漏极电流in,此时的漪极电流称为漪极饱和电流,用Ioss表示。当Ycs万0时,将使i进一步增加。当Vcs一0时,随着Ves的减小漏极电流逐渐层小,盯至ip=0,切应;io-0的as柿为夹斧电压,用律号|f门voscy)432】。P表示。ipmA)N沟道耗尽型M0S管可工作在Ysss0或V5s20N沟道增强型M0S管只能工作在Ves0Z口吊
