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1、 第 12 期 35 钟建薇等：多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法 700下保温 4 h 的热处理步骤，效果较好。 然后确定 p(O2)在 10 8 Pa 对不同的烧结温度进行 了对比实验，结果如表 3。 表 3 在 10 8 P(O2)下的 MLCC 性能参数 Tab.3 MLCC s Function in 10 8p(O2) ?/ C/nF tg /10 4 Ri /O （300,25V） Vb / V 瓷体外观 1 275 94 406 109 210 颜色稍浅 1 300 101 250 1010 450 黄褐色 1 320 134 207 1010 600 黄褐色 1 340
2、容量低 黄褐色 可见，烧结温度控制在 1 320比较好。而在 1 275时烧温过低，导致容量较低、损耗较大；在 1 340时烧温过高，导致容量过低、电性能很差。至 此，得到的烧结曲线如图 7 所示。 2.2.3 烧端 烧端是将端头材料进行烧结致密化，形成有一定 强度的、与内电极有良好连接的外电极。 由于端头材料是 Ni，在空气中烧端温度超过 300左右， 将趋于明显氧化， 而且目前端头材料烧端 温度一般都要在 800以上，因此烧端与烧结一样， 要求一定的 p（ O2）以防止端头材料 Ni 被氧化。但烧 端与烧结有几个方面是不同的。首先，烧端初期有排 除端头黏结剂的过程。 其次， 端头材料是除了
3、金属 Ni、 玻璃氧化物添加剂， 这些氧化物对 Ni 的抗氧化烧结会 产生一定影响。在考虑以上这些方面问题时，仍须考 虑已烧结的瓷体在烧端时可能被轻度还原的问题。 由于一般的端头材料的烧结温度是 880920， 15 min，烧结气氛是用 N2/H2/CO2，所以选在 900下 对不同的气氛条件进行了实验，考虑到烧端初期的排 胶过程，还同时进行了烧端时间的对比实验，通过参 考贵金属电极 MLCC 的烧端工艺， 笔者设计的烧端曲 线如图 8 所示。 得到如表 4 结果： 表 4 在 1 320, 2 h, 10 8 Pa p（O2）下烧成的 MLCC 性能参数 （芯片:0805B104） Tab
4、.4 MLCC s perfoumances in 1 320, 2 h, 10 8 Pa p （O2） (P/N:0805B104) 烧端 曲线 P(O2) / Pa C /nF tgd/10 4 Ri/O (250,25 V) 端头 情况 瓷体 颜色 （a） 10 8 容量低 510 109 一般 黄褐色 （b） 10 8 109.3 207 1010 致密 黄褐色 （c） 10 10 容量低 480 107 一般 变深 （d） 10 10 98 442 4 108 致密 变深 可见，p(O2)控制在 10 8 Pa 较好，且升温速率以 慢为好。 3 结论 根据 Ti4+/Ti3+、Ni/
5、NiO 氧化还原的机理确定工艺 参数，通过处理好电极材料选取、气氛控制和温度控 制等参数和关系， 对以 Ni 为内外电极的多层片式瓷介 电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证，并通 过了容量、损耗、绝缘电阻和耐压的测试。目前，未 封端头的产品已经大批量产，证明内电极的处理工艺 同时得到了生产验证， 封端电镀产品还未能正式投产， 估计在材料和工艺的配合上还须进一步调整到符合大 批量生产的要求。 参考文献： 1 Paumanok Publications Inc. Global Capacitor MarketsZ. 2003 2008. 2 Lee W S, Yang J, Yang T, e
6、t al. Ultra High- Q NPO MLCC with Ag inner electrode for telecommunication application, passive componentD. R&D Technology Center, Yageo Corporation Nantze Branch, 2004. 3 Paumanok Publications Inc. Base Metal Electrode Multilayered Ceramic Chip CapacitorsZ. 1997. 4 Paumanok Publications Inc. Capaci
7、tor Electrode Grade Nickel Powder. World Markets, Technologies & OpportunitiesZ. 1997. 5 沈鸿才, 戴富贵, 龙超蜀, 等. 国外电子陶瓷元器件及材料的发展和预 测D. 1994. 6 王文生. 多层陶瓷电容器 Ni 内电极研究进展J. 电子元件与材料, 1994,13(2): 7 11. 7 Sakable Y, Takegi T, Wakino K. 贱金属多层陶瓷电容器的介质材料A. 电子陶瓷技术C. 成都：成都电讯工程学院，1992. （编辑：傅成君） 0 200 400 600 800 1000
8、1200 1400 1600 1800 2000 1400 1200 1000 800 600 400 200 / t /min 图 7 烧结曲线 Fig.7 Curve of Sintering N2/H2/CO2 p(O2)=10 8 Pa (a) (b) N2/H2/CO2 p(O2)=10 10 Pa (c) (D) 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 / 900 900 t /h t /h 图 8 烧端试验曲线 Fig.8 Curve of firing test for terminals / 我国无源元器件市场需求及预测 无源元器件 2004 年 2005 年 2006 年 电容器 1 000 亿只 1 100 亿只 1 210 亿只 电阻器 1 970 亿只 2 360 亿只 电感器 73.1 亿只 84 亿只 96.7 亿只
