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1、模拟电子技术基础自测题与习题参考答案刘波粒 刘彩霞 主编高等教育出版社Higher Education Press目录目录第 1 章 半导体二极管及其基本电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1第 2 章 双极型晶体管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6第 3 章 场效应管及其基本放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18第 4 章 多级放大电路与频率响应. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2、. . . . .26第 5 章 放大电路中的反馈 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40第 6 章 功率放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50第 7 章 集成运算放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 模拟电子技术基础 3.60第 8 章 集成运算放大电路的基本应用 . . . . . . . . . . . . .
3、. . . . . .73 第 9 章 信号发生电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .91第 10 章 直流电源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .102模拟电子技术基础 1第 1 章 半导体二极管及其基本电路自测题1.1 填空题1在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度则与_有很大关系。2半导体中的漂移电流是在 作用下形成的，扩散电流是在 作用下形成的。3当温度升高时
4、，二极管的正向压降将_，反向电流将_。4面接触型二极管由于它的 PN 结结电容 ，适用于_等低频电路中。5二极管最主要的特性是_，它有两个主要参数，一个是反映正向特性的_，另一个是反映反向特性的_。6在常温下，硅二极管的开启电压约为_V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_V；锗二极管的开启电压约为 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V。7硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 状态。8两只硅稳压管的稳压值分别为 ， 。把它们串联相接可得Z16VUZ29到_、_、_和_的稳压值。把它们并联可得到_和_稳压值。9光照强度加强，PN 结呈现的电阻会变 。答案：1杂质浓度，温度。2电场，浓度
5、差。3减小，增大。4大，整流。5单向导电性，最大整流电流 ，最大反向工作电压FIURM。6 0.5， 0.7，0.1，0.2。7反向击穿。815V，9.7V，6.7V，1.4V，6V ，0.7V 。9小。1.2 选择题1在本征半导体中加入适量的_元素可以形成 N 型半导体，加入_元素可以形成 P 型半导体。A二价；B三价； C四价； D五价。 2PN 结外加正向电压时，扩散电流_漂移电流，耗尽层_；当 PN 结2 第 1 章 自测题与习题参考答案外加反向电压时，扩散电流_漂移电流，耗尽层_。A大于； B小于； C等于； D变宽； E变窄； F不变。3关于 PN 结正偏说法正确的是_。AP 端加
6、正电压， N 端加负电压； BN 端加正电压， P 端加负电压；CP 端、 N 端都加正向电压； DP 端、N 端都加反向电压。4用万用表的 挡和 挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，10R1k两次测量结果是_。A 挡的测量值比 挡测量值大； B 挡的测量值比 挡测量值小； C相同。5理想二极管的正向电阻为 。A零； B无穷大； C 约几千欧； D约几十欧 6二极管的最大反向工作电压是 100V，它的击穿电压约为_。A50V； B100V； C150V； D200V。7在常温下测得流过某二极管的电流为 10mA，此时二极管的动态电阻为_。A ； B ； C ； D条件不足，无法计算。2.6k1
7、.3k2.68稳压管电路如题 1.2.8 图所示。两稳压管的稳压值 均为 6.3V，正向导通ZU电压 ，其输出电压为_。D0.7VUA6.3V； B0.7V； C7V； D14V。9稳压管稳压电路如题 1.2.9 图所示，其中 ， ，且具有理Z16VUZ27想的特性。由此可知输出电压 为_。OA6V； B7V； C1V； D0V。答案：1D、B 。2A、E、B、D。 3A 。4B。5A 。6D。7C 。8C。9C。1.3 判断题模拟电子技术基础 31在 N 型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为 P 型半导体。 （ ）2因为 P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （ ） 3漂移电流是
8、少数载流子在内电场作用下形成的。 （ ）4由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以当把 PN 结两端短路时就有电流通过。 （ ）5PN 结方程可以描述 PN 结的正、反向特性，也可以描述其反向击穿特性。（ ）6二极管的反向饱和电流与外加反向饱和电压有关，但与温度无关。 （ ） 7型号为 2CW14 的稳压管稳压值是在 67.5V 之间，说明该稳压管的稳压值是在 67.5V 之间可变。 （ ） 8二极管的动态电阻 随静态工作点电流的增大而减小。 （ ）dr9发光二极管要正向偏置，光电二极管要反向偏置。 （ ）答案：1、3、8、9 对； 2、4、5、6、7 错。习题1.1 电路如题 1.1 图所示
9、。设电路中的二极管为硅管，输入信号 ， ，电i10sn(mV)utD10容器 C 对交流信号的容抗可以忽略不计，试计算输出电压 。o解：由直流通路得 ，则有 D310.7=82A5ITd26mV4.8UrI再由微变等效电路（图略）可得输出电压交流分量3o i14./50.6sin(mV)2uut1.2 设题 1.2 图所示电路中的二极管性能均为理想，试求电路中的电压 。ABU4 第 1 章 自测题与习题参考答案解：（a） ，D 截止， 。3VUAB12VU（b） ， ，D 2 优先导通，D 1 截止， 。D1025AB15VU1.3 在题1.3图所示的电路中。已知输入电压，若二极管的正向压降为
10、0.7V ，i6sn()ut试绘出 的变化规律。o解：当 时，D 1 导通， D2 截止，i.7V；o1.u当 时，D 2 导通，D 1 截止， ；i.o1.7Vu当 时，D 1、 D2 均截止， 。i.ui故 为上削顶下削底，且幅值为 的波形（图略） 。 o .1.4 在题1.4图所示的硅二极管电路中。已知，输入电压 。试用折线1kRi6sn(V)ut模型（ ， ）分析 的变化th0.5UD20rou规律。解：在等效电路中，两二极管可由图 1.4.2 (c)来表示。当 时，D 1、 D2 均截止， i0.5V.uoiu当 时，D 1 导通，D 2 截止， ，其最大值为iDitht()rURo
11、mimtht 30()6.501.42V1rUUR同理，当 时， 。图略。i0.5Vuo.42V模拟电子技术基础 51.5 在锗二极管构成的题1.5图所示电路中，已知 ， ，10VE215， 126kR， ， 。试判断二374850kR极管是导通还是截止。解：，6A2515V0RUE， ，4B3872BC150VRUE由 得 ，则 ，CCBC3UAC32U表明 D 反偏而截止。1.6 在题1.6图所示的电路中。已知稳压二极管，限流电阻 ，输入电压Z8VU3kR，试画出 的波形。i12sn()utou解：当 时， 起稳压作用， ；iZDo8Vu当 时， 截止， ；i0.78Vi当 时， 导通，
12、。图略。iuo0.71.7 在图1.5.2（b）所示的稳压管电路中， ，限流电阻 ，I3U1.5kR稳压管的稳压值为12V， ， 。试求：（1）当 Zmax2AIZmin4I L2时的电流 、 和 ；（2） 当负载 时的电流 ；（3） 当输入电压LIRLRZI由原来的30V 升高到33V，且负载 时，电流 、 和 。IU50LRZI解：（1）因为 ，稳压管起稳压作用，LI Z317.4V2.UU， ， ，OZ2VOL16mAIRIOR3012mA.5。R16II（2）当负载开路时， 。IZZ1.I6 第 1 章 自测题与习题参考答案（3） ，稳压管不起稳压作用，故LI Z0.538.25VRUU，Z0I。IRL16.mA.50
