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1、NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,第一章 气体的绝缘特性与介质的电气强度,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,1.1 气体放电的基本物理过程 1.2 气体介质的电气强度 1.3 固体绝缘表面的气体沿面放电 习题与思考题,本章内容,返回,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,1.1 气体放电的基本物理过程,高压电气设备中的绝缘介质有气体、液体、固体以及其它复合介质。由于气体绝缘介质不存在老化的问题，在击穿后也有完全的绝缘自恢复特性，再加上其成本非常廉价，因此气体成为了在实际应用中最常见的绝缘介质。 气体击穿
2、过程的理论研究虽然还不完善，但是相对于其他几种绝缘材料来说最为完整。因此，高电压绝缘的论述一般都由气体绝缘开始。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,本节内容：,1.1.1 带电质点的产生 1.1.2 带电质点的消失 1.1.3 电子崩与汤逊理论 1.1.4 巴申定律与适用范围 1.1.5 不均匀电场中的气体放电,返回,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,1.1.1 带电质点的产生,气体放电是对气体中流通电流的各种形式统称。,由于空气中存在来自空间的辐射，气体会发生微弱的电离而产生少量的带电质点。,正常状态下气体的电导很小，空气还是性
3、能优良的绝缘体； 在出现大量带电质点的情况下，气体才会丧失绝缘性能。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,1、气体中电子与正离子的产生,电离是指电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和正离子的过程。电离可一次完成，也可以是先激励再电离的分级电离方式。,电离方式可分为 ：,热电离 光电离 碰撞电离 分级电离,电子在电场中的运动轨迹,视频链接,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（1）热电离,常温下，气体分子发生热电离的概率极小。,气体中发生电离的分子数与总分子数的比值m称为该气体的电离度。 下图为不同温度下空气和 气体的热电离程度。,图1-
4、1 不同温度下空气和气体的热电离程度,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（2）光电离,当满足以下条件时，产生光电离,(1-2),NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（3）碰撞电离,电子或离子在电场作用下加速所获得的动能（ ）与质点电荷量(e)、电场强度（ ）以及碰撞前的行程( )有关即,(1-3),NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,式中： ：电子的电荷量； ：外电场强度； ：电子移动的距离,(1-4),高速运动的质点与中性的原子或分子碰撞时，如原子或分子获得的能量等于或大于其电离能，则会发生电离。,因
5、此，电离条件为,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,为使碰撞能导致电离，质点在碰撞前必须经过的距离为：,式中 为气体的电离电位，在数值上与以eV为单位的 相等,的大小取决于场强E，增大气体中的场强将使 值减少。可见提高外加电压将使碰撞电离的概率和强度增大。,(1-4),NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（4）分级电离,当逸出功电离能时，阴极表面电离可在下列情况下发生：,正离子撞击阴极表面 光电子发射 强场发射 热电子发射,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,2、电极表面的电子逸出,逸出功使电子从金属表面
6、逸出需要的能量。,不同金属的逸出功不同，如表1-2所示：,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,电子从电极表面逸出所需的能量可通过下述途径获得 ：,（1）正离子撞击阴极 （2）光电子发射 （3）强场发射 （4）热电子发射,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,3、气体中负离子的形成,附着：电子与气体分子碰撞时，不但有可能引起碰撞电离而产生出正离子和新电子，也可能发生电子附着过程而形成负离子。,负离子的形成并未使气体中带电粒子的数目改变，但却能使自由电子数减少，因而对气体放电的发展起抑制作用。,NANCHANG INSTITUTE OF T
7、ECHNOLOGY,电子亲合能：使基态的气体原子获得一个电子形成负离子时所放出的能量，其值越大则越易形成负离子。 电子亲合能未考虑原子在分子中的成键作用，为了说明原子在分子中吸引电子的能力，在化学中引入电负性概念。,电负性：一个无量纲的数，其值越大表明原子在分子中吸引电子的能力越大 。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,表l-3列出了卤族元素的电子亲合能与电负性数值,返回,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,1.1.2 带电质点的消失,带电质点的消失可能有以下几种情况： 带电质点受电场力的作用流入电极 ； 带电质点因扩散而逸出气体放
8、电空间； 带电质点的复合。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,复合：当气体中带异号电荷的粒子相遇时，有可能发生电荷的传递与中和，这种现象称为复合。 复合可能发生在电子和正离子之间，称为电子复合，其结果是产生一个中性分子； 复合也可能发生在正离子和负离子之间，称为离子复合，其结果是产生两个中性分子。,带电质点的复合,返回,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,1.1.3 电子崩与汤逊理论,气体放电现象与规律因气体的种类、气压和间隙中电场的均匀度而异。,但气体放电都有从电子碰撞电离开始发展到电子崩的阶段。,NANCHANG INSTITU
9、TE OF TECHNOLOGY,（1）非自持放电和自持放电的不同特点,宇宙射线和放射性物质的射线会使气体发生微弱的电离而产生少量带电质点；另一方面、负带电质点又在不断复合，使气体空间存在一定浓度的带电质点。因此，在气隙的电极间施加电压时，可检测到微小的电流。,1、放电的电子崩阶段,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,由图1-3可见， （1）在I-U曲线的OA段： 气隙电流随外施电压的提高而增大，这是因为带电质点向电极运动的速度加快导致复合率减小。当电压接近 时，电流趋于饱和，因为此时由外电离因素产生的带电质点全部进入电极，所以电流值仅取决于外电离因素的强弱而与电
10、压无关,图13 气体间隙中电流与外施电压的关系,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（2）在I-U曲线的AB点： 电压升高至 时，电流又开始增大，这是由于电子碰撞电离引起的，因为此时电子在电场作用下已积累起足以引起碰撞电离的动能。电压继续升高至 时，电流急剧上升，说明放电过程又进入了一个新的阶段。此时气隙转入良好的导电状态，即气体发生了击穿。,图13 气体间隙中电流与外施电压的关系,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（3）在I-U曲线的BC段： 虽然电流增长很快，但电流值仍很小，一般在微安级，且此时气体中的电流仍要靠外电离因素来维持
11、，一旦去除外电离因素，气隙电流将消失。,图13 气体间隙中电流与外施电压的关系,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,因此，外施电压小于 时的放电是非自持放电。电压达到 后，电流剧增，且此时间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素了。外施电压达到 后的放电称为自持放电， 称为放电的起始电压。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（2）电子崩的形成,外界电离因子在阴极附近产生了一个初始电子，如果空间电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞电离，产生一个新的电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产
12、生更多电子。,图14 电子崩的示意图,视频链接,电子崩的演示,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩。,为了分析碰撞电离和电子崩引起的电流，引入： 电子碰撞电离系数 。,表示一个电子沿电场方向运动1cm的行程所完成的碰撞电离次数平均值。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,如图1-5为平板电极气隙，板内电场均匀，设外界电离因子每秒钟使阴极表面发射出来的初始电子数为n0。,图15 计算间隙中电子数增长的示意图,由于碰撞电离和电子崩的结果，在它们到达x处
13、时，电子数已增加为n，这n个电子在dx的距离中又会产生dn个新电子。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,根据碰撞电离系数 的定义，可得：,分离变量并积分之，可得：,(1-7),(1-8),对于均匀电场来说，气隙中各点的电场强度相同， 值不随x而变化，所以上式可写成：,(1-9),NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,抵达阳极的电子数应为：,(1-10),将式(1-8)的等号两侧乘以电子的电荷 ，即得电流关系式：,途中新增加的电子数或正离子数应为：,(1-11),式(1-12)中，,(1-12),NANCHANG INSTITUTE O
14、F TECHNOLOGY,式(1-12) 表明：虽然电子崩电流按指数规律随极间距离d而增大，但这时放电还不能自持，因为一旦除去外界电离因子(令 )，即 变为零。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（3）影响碰撞电离系数的因素,(1-13),若电子的平均自由行程为 ，则在1cm长度内一个电子的平均碰撞次数为 。,设在x处有n个电子沿电力线方向运动，行经dx距离时还剩下dn个电子未发生过碰撞，则在到这一距离中发生碰撞的电子数应为,由上式积分得：,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,由第一节公式，实际自由行程长度等于或大于xi的 概率为
15、，所以也就是碰撞电离的概率。 根据碰撞电离系数 的定义，即可得出：,(1-14),由第一节公式 内容可知，电子的平均自由长度 与气温 成正比、与气压 成反比，即：,(1-15),NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,当气温 不变时，式(1-14)即可改写为：,由上式不难看出： 电场强度E增大时， 急剧增大; 很大或很小时， 都比较小。,(1-16),NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,所以，在高气压和高真空下，气隙不易发生放电现象，具有较高的电气强度。,高气压时， 很小，单位长度上的碰撞次数很多，但能引起电离的概率很小； 低气压和真空时
16、， 很大，总的碰撞次数少，所以 也比较小。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,2、汤逊理论,前述已知，只有电子崩过程是不会发生自持放电的。要达到自持放电的条件，必须在气隙内初始电子崩消失前产生新的电子（二次电子）来取代外电离因素产生的初始电子。,实验现象表明，二次电子的产生机制与气压和气隙长度的乘积（ ）有关。 值较小时自持放电的条件可用汤逊理论来说明； 值较大时则要用流注理论来解释。,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,（1） 过程与自持放电条件,NANCHANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY,设外界光电离因素在阴极表面产生了一个自由电子，此电子到达阳极表面时由于 过程，电子总数增至 个。因在对 系数进行讨论时已假设每次电离撞出一个正离子，故电极空间共有（ 1）个正离子。由系数 的定义，此（ 1）个正离子在到达阴极表面时可撞出 （
