模拟电子技术复习题

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1、模拟电子模拟题一、 判断题；判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。各章的自测题和习题的判断题。如：（1） 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地” 。 （ ）（2） 电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ）（3） 使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ）（4） 只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （）（5） 引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （ ）（6） 负反馈越深，电路的性能越稳定。 （ ）（7） 零点漂移就是静态工作点的漂移。（8） 放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （ ）（9） 镜像电流源电路中两只晶体管的

2、特性应完全相同。 （ ）（10） 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）（11） 利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。 （ ）（12） 半导体中的空穴带正电。 （ ）（13） P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ）（14） 实现运算电路不一定非引入负反馈。 （ ）（15） 凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （）（16） 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ）（17） 未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （18） 集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ）（19） 只要引入正反馈，电

3、路就会产生正弦波振荡。 （ ）（20） 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ）（21） 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体；（ ）（22） 因为 N 型半导体的多子为自由电子，所以它带负电；（ ）（23） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将不变；（ ）（24） 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）（25） 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（26） 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大；（ ）（27） 单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强；（ ）（28） 放大电路引入

4、深度负反馈，则 XiX f；（ ）（29） 集成运放的输入级选用差动放大电路的主要原因是提高输入电阻；（ ）（30） 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地” 。 （ ）（31） 电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ）（32） 使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ）（33） 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）（34） 利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。 （ ）（35） 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （36） 未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ）（37） 集成运

5、放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ）（38） 放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。 （ ）（39） 电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。 （ ）（40） 现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两极放大电路，其电压放大倍数为 10000。 （ ）（41） 集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。 （ ）（42） 振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。 （ ）（43） 只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ）二、 选择题；选择正确答案填入空内。各章自测题和习题的选择题和填空题。如：1. 工作在放大区的某三极管

6、，如果当 IB从 12uA 增大到 22uA 是，IC从 2mA 变为 3mA，那么它的 约为（） 。A83 B.91 C 1002. 一个平衡 PN 结，用导线将 P 区和 N 区连起来，而导线中（ ） 。A、有微弱电流 B、无电流 C、有瞬间微弱电流3. 晶体管在大电流工作时，随 Ic 的增加 值将（ ） 。A、增加 B、下降 C、不变4. 三极管的反向电流 ICBO是由（ ）组成的。A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子5. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压值 Uz 才有导通电流，否则处于（ ）状态。A、正偏 B、

7、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止6. 放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（） 。、强、弱、一般7. 射极跟随器具有（）特点。、电流放大倍数高、电压放大倍数高、电压放大倍数近似于且小于输入电阻高，输出电阻低8. 引入并联负反馈，可使放大器的（） 。、输出电压稳定、反馈环内输入电阻增加、反馈环内输入电阻减小9. 直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（） 。、好、差、相同10. 工作在线性区的运算放大器应置于（）状态。、深度反馈 、开环 、闭环11. 产生正弦波自激震荡的稳定条件是（） 。A、引入正反馈 B、|AF|1 C、AF=112. 分析运放的两个依据是（ ） 、 （

8、 ） 。A.U-U + B.I-I +0 C.U 0=Ui D.Au=113. 二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。A.击穿电压； B.死区； C.饱和。 14. 如果在 NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( ). A.放大状态； B.截止状态； C.饱和状态； D.不能确定。15. 从结构上来看，正弦振荡电路是一个( )。A.有输入信号的负反馈放大器； B.没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器； C.没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。 16. 对于放大电路，所谓开环是指（ ） 。A.无信号源 B.无反馈通路 C.无电源

9、D.无负载17. 对频率稳定度要求较高的振荡器，要采用：( )。A.LC 振荡电路； B. RC 振荡电路； C.RL 振荡电路； D.石英晶体振荡电路。18. 两级放大电路，A u1=-40，A u2=-50，若输入电压 U1=5mv，则输出电压 Uo 为( )A.-200mv； B.-250mV； C. 10V； D.100V。19. 测某电路中三极管各极电位分别是 0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是（ ） ，该管是（ ） 。A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、 C、E) D(PNP) E(NPN)20. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V

10、、2.7V，则三个电极分别是（ ） ，该管是（ ）型。A.（B、C、E） B.（ C、B、E） C.（E、C 、B） D.（NPN） E.（PNP）21. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ） （ ） （ ） 。A.元件老化 B.晶体管参数受温度影响 C.放大倍数不够稳定 D.电源电压不稳定22. 当温度升高时，二极管的正向电压( )，反向饱和电流( )。A.增大； B.减小； C.不变； D.无法判定。23. 并联负反馈使放大电路输入电阻( ).A.增加； B.不变； C.减小； D.确定。24. 差分放大电路是为了（ ）而设置的。A.稳定 Au B.放大信号 C.抑制零点漂移25.

11、在（A） 、 （B） 、 （C）三种电路中输入电阻最大的电路是( )；既能放大电流，又能放大电压的电路是( )。（A）共基放大电路 （B）共集放大电路 （C）共射放大电路26. 当 PNP 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为 uC（）uB（）u E。（A） （B） （C） = （D）27. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ） 。（A） 大 （B） 小 （C） 相等28. ( )放大电路常称为射极跟随器。A.共集 B.共射 C.共基29. 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入( )；为了展宽频带，应在放大电路中引入( )。（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈 （D）交流负反

12、馈30. 在桥式（文氏桥）RC 正弦波振荡电路中，( )。（A） A=-1800， F=+1800 （B） A=+1800， F=+1800 （C） A=00， F=0031. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率32. 集成运放的互补输出级采用( )。（A）共基接法 （B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法33. 两个 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为( )。（A） （B）2 （C）2 （D）1+34. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ） 。A. 共射放大电路 B.共集放大电路 C.

13、共基放大电路35. 共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低36. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（） ，则说明引入的反馈为负反馈。A.输入电阻增大 B.输出量增大 C.净输入量增大 D.净输入量减小37. 振荡器的输出信号最初是由（ ）而来的。A 基本放大器 B 选频网络 C 干扰或噪声信号38. 为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。A、电压 B、电流 C、串联39. 对功率放大器的主要要求有（ ） （ ） （ ） 。A Uo高 B P o大 C 效率高 D R i大 E 波形不失真三、 名词解

14、释。1. 半导体；指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料本征半导体：无杂质的、有稳定结构的2. P 型半导体和 N 型半导体；N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷） ，使之取代晶格中硅原子的位置形成 N 型半导体。P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼） ，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 P 型半导体。3. PN 结；将 P 型半导体与 N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成 PN 结。4. 晶体三极管；有两种带有不同极性的电荷的载流子参与导电。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN 结，两个 PN 结把整块半导体分成三部分，中间部分是

15、基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有 PNP 和 NPN两种。5. 晶体管三个工作区域分别指什么；6. MosFET；金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管7. 晶体管单管放大电路的三种基本接法；共射放大电路、共集放大电路、共基放大电路8. 典型的静态工作点稳定电路；静态工作点；在放大电路中，当有信号输入时，交流量与直流量共存。将输入信号为零、即直流电源单独作用的时候晶体管的基极电流 I9. b、集电极电流 Ic（或 Ie ）、管压降 Ube 和 c-e 间电压 Uce 称之为静态工作点 Q，常将 Q 点记作 IBQ、ICQ（或 IEQ）、UBEQ、UCEQ1