电子技术基础 检测题习题解析(附带答案详解)

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1、1一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分）1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。3、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的扩散 运动而

2、不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。第 1 章 检测题 （共100 分，120 分钟）4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散， N 型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN 结 形成。5、检测二极管极性时，

3、需用万用表欧姆挡的 R1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位2置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化不通 。6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。8、MOS 管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题 1 分，共 10 分）1、P

4、 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性。 （错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 R10K 档位。（错）4、PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM 时，该管必被击穿。 （错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以

5、互换使用。 （错）三、选择题：（每小题 2 分，共 20 分）1、单极型半导体器件是（ C ） 。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。32、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ） 。A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于 1K，说明该二极管（ C ） 。A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。A、多子

6、扩散； B、少子扩散； C、少子漂移；D、多子漂移。6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V， VB2.8V，V C4.4V ，说明此三极管处在（ A ） 。A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ） 。A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ） 。A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流 ICM； B、集射极间反向击穿电压 U（BR）CEO ；C、集电极最大允许耗散

7、功率 PCM； D、管子的电流放大倍数 。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）4A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。四、简述题：（每小题 4 分，共 28 分）1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说 N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了 N 型半导体或 P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈

8、电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V 、管脚3V 、管脚 3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚和管脚电压相差 0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是集电极。3、图 1-29 所示电路中，已知E=5V， V，二极管为理想元tusin10i件（即认为正向导通时电阻 R=0，反向阻断时电阻 R=） ，试画出 u0 的波形。答：分析：根据电路可知，当 uiE 时，二极管导通u0=ui，当 uiE 时，二极管截止时，u

9、 0=E。所以 u0 的波形图如下图所示：图 1-29u/V t0uiu010554、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。5、图 1-30 所示电路中，硅稳压管 DZ1 的稳定电压为8V，D Z2 的稳定电压为 6V，正向压降均为 0.7V，求各电路的输出电压 U0。答：（a）图：两稳压管串联，总稳压

10、值为 14V，所以 U0=14V；（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V；（c ）图：两稳压管反向串联，U 0=8.7V；（d）图：两稳压管反向并联，可认为 DZ1 截止不通，则 U0=0.7V。6、半导体二极管由一个 PN 结构成，三极管则由两个 PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这

11、样的“三极管”是不会有电流放大作用的。67、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。五、计算分析题：（共 17 分）1、图 1-31 所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。 （8 分）（1）U CE=3V，I B=60A，I C=？ （2）I C=4mA，U CE=4V，I CB=？ （3）U CE=3V，I B 由 4060A 时， =？ 解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。（1）观察图 6-2

12、5，对应 IB=60A、U CE=3V 处，集图 1-30 IC (mA)UCE (V)54321100A80A60A40A20AIB0图 1-310 1 2 3 4 5 6 7 8ABC7电极电流 IC 约为 3.5mA；（2）观察图 6-25，对应 IC=4mA、U CE=4V 处，I B 约小于 80A 和大于 70A ；（3）对应 IB=20A、U CE=3V 处，I C1mA，所以 1000/2050。2、已知 NPN 型三极管的输入输出特性曲线如图1-32 所示，当（1）U BE=0.7V，U CE=6V，I C=？（2）I B=50A，U CE=5V，I C=？ （3）U CE=

13、6V，U BE 从 0.7V 变到 0.75V 时，求 IB 和IC 的变化量，此时的 （9 分）？解：（1）由（a）曲线查得 UBE=0.7V 时，对应IB=30A ，由(b) 曲线查得 IC3.6mA；（2）由（b）曲线可查得此时 IC5mA；（3）由输入特性曲线可知，U BE 从 0.7V 变到 0.75V的过程中，I B30 A，由输出特性曲线可知，IC 2.4mA，所以 2400/30 80。第 2 章 检测题 （共 100 分，120 分钟）一、填空题：（每空 0.5 分，共 21 分）1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路

14、。图 1-32IC (mA)UCE (V)108642100A80A60A40A20AIB00 1 2 3 4 5 6 7 8（b）输出特性曲线（a ）输入特性曲线IB (A)12080604020UBE (V)0 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 82、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反

15、馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。4、射极输出器具有 电压增益 恒小于 1、接近于 1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。若采用分压式偏置电路，通过 反馈环节 调节 合适的基极电位 ，可达到改善输出波形的目的。6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻 越大 越好，因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻 越小 越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。7、反馈电阻 RE 的数值通常为 几十至几千欧 ，它不但能够对直流信号产生 负反馈 作用，同样可对交流信号产生 负反馈 作用，从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱，一般在 RE 的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容 CE 。8、放大电路有两种工作状态，当 ui0 时电路的状态称为 静 态，有交流信号 ui 输入时，放大电路的工作状态称为 动 态。在 动 态情况下，晶体管各极电压、电流均包含 直流 分量和 交流 分量。放大器的输入电阻越 大 ，