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1、2003 年第一期固体物理第一部分（共 6 题，选作 4 题，每题 15 分，共计 60 分；如多做，按前 4 题计分）1. 从成键的角度阐述 - 族和 - 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。2. 请导出一维双原子链的色散关系，并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。3. 从声子的概念出发，推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足 T3 关系。4. 设电子在一维弱周期势场 V(x)中运动，其中 V(x)= V(x+a)，按微扰论求出 k=/a 处的能隙。5. 假设有一个理想的单层石墨片，其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支，分别是=c1k，=
2、c2k，=c3k（其中 c1，c2 和 c3(/a)是同一量级的量，a 是晶格常数） 。1）试从 Debye 模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系，并作图定性表示其函数行为；2）已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子，试定性讨论电子在 k 空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。6. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度，写出共晶和包晶反应式。第二部分（共 9 题，选做 5 题，每题 8 分，总计 40 分；如多做，按前 5 题计分）1. 从导电载流子的起源来看，有几种半导体？2. 举出 3 种元激发，并加以简单说明。3. 固
3、体中存在哪几种抗磁性？铁磁性和反铁磁性是怎样形成的？铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点？4. 简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点，用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度？5. 利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足 T 线性关系。6. 超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为 0Hc2(T)，这里 Hc 是超导体的临界磁场，说明在无磁场时的超导相变是二级相变，而有磁场时的相变为一级相变。7. 什么是霍耳效应？何时会出现量子霍耳效应？8. 假设一体心立方化合物的点阵常数为 a，写出前 5 条衍射线的晶面间距 d 值。9. 简述晶体中的各种
4、缺陷。2003 年博士入学考试专业基础试卷 1. 请解释下列名词（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子2. 试推导体心格子的消光规律3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度4. 简述相图在晶体生长中的应用5. 简述影响多晶 X 射线衍射强度的因素6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能7.某立方晶系化合物，晶胞参数=4.00A，晶胞中顶点位置为 Ti4+所占，体心位置为 Sr2+所占，所有棱心位置为 O2-所占。（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3 分)（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3 分)
5、（3）计算该晶体前三条衍射线的 d 值（5 分）（4）指出 Ti4+和 Sr2+的配位数（4 分）（5）计算 Ti-O 和 Sr-O 键长（5 分）2002 年第二期博士入学考试专业基础试卷 （每题 20 分，任选 5 题，也可全做）1. 请解释下列名词（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子2. 试推导一种底心格子的消光规律3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法4. 简述相图在晶体生长中的应用5. 请简述晶体中的主要缺陷6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能7.某立方晶系化合物，晶胞参数=4.00A，晶胞中顶点位置为 Ti4+所占，体心位置为 Sr2+所
6、占，所有棱心位置为 O2-所占。（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3 分)（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3 分)（3）计算该晶体前三条衍射线的 d 值（5 分）（4）指出 Ti4+和 Sr2+的配位数（4 分）（5）计算 Ti-O 和 Sr-O 键长（5 分）2001 年第二期招收博士研究生入学考试试题 第一部分：（共 6 题，选做 4 题，每题 15 分，总计 60 分。这部分只能选做 4 题，如超出规定范围，阅卷时按前 4 题计分。）1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）.2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别
7、？3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。4.对于一个二维正方格子，晶格常数为， 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区；画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； 画出其态密度随能量变化的示意图。5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数） 。第二部分：（共 8 题，选做 5 题，每题 8 分，总计 40 分。这部分只能选做 5 题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。）1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种） 。2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为，请画出能带 E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？8. 简述超导体的两个主要特征。
