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1、Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed b
2、and 允带Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum（Aluminium） 铝Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的Anode 阳极 Arsenic （AS） 砷Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程
3、Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation 雪崩激发Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度 Base 基极Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应Base tr
4、ansit time 基区渡越时间 Base transport efficiency 基区输运系数Base-width modulation 基区宽度调制 Basis vector 基矢Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor （BJT ）双极晶体管Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立
5、方Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合 Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿 Break over 转折Brillouin 布里渊 Brillouin z
6、one 布里渊区Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合Burn - in 老化 Burn out 烧毁Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区Can 外壳 Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位Carry-in bit
7、 进位输入 Carry-out bit 进位输出Cascade 级联 Case 管壳Cathode 阴极 Center 中心Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒 Charge n
8、eutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/ 转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish （CMP） 化学机械抛光 Chip 芯片Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器Clock flip
9、-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/ 集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/ 漏/源连接Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio （CMRR） 共模抑制比Compat
10、ibility 兼容性 Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design （CAD ）/test（CAT）/manufacture （CAM
11、） 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导Conduction band （edge） 导带（底） Conduction level/state 导带态Conductor 导体 Conductivity 电导率Configuration 组态 Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion 恒定源扩散Contact 接触 Contamina
12、tion 治污Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的Converter 转换器 Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合Covalent 共阶的 Crossover 跨交Critical 临界的 Crossunder 穿交Crucible 坩埚 Crystal defect/face/orientation/lat
13、tice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度 Curvature 曲率Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz 法直拉晶体 J）Dangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流Dead time 空载时间 Debye l
14、ength 德拜长度De.broglie 德布洛意 Decderate 减速Decibel （ dB） 分贝 Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度Degradation 退化 Degree Celsius（centigrade） /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟 Density 密度Density of states
15、态密度 Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽 MOSDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则Die 芯片（复数 dice） Diode 二极管Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离Diffe
16、rence-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/ 炉Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁Discharge 放电 Discrete component 分立元件Dissipation 耗散
