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第1章硅集成电路工艺医林认木东人水刹1.2.1集成电路加工过程简介U刀2命矩1.2.3掺杂工艺(扩散与离子注入技咤Pa1.4集成电路封装育张水圆园d集成电路的基本制造工艺流程2i途木应应人丿口人言厂口闵历沥人浮茎熔法和直拉法旦晶硅仅占有很小的茼场份额园e匹匹E朱史熔法无法满足这些要求育余26e水被人们所采用目前市场上的单E命胡应L王口东)E(IntegratedCircuit)工厂用的矽晶片即为水d,伟2n晶体。生成单晶体或多晶体与晓体生氏时初医人东把块状多晶硅放入坩堕内加热到1440“C再次熔化。为了防D国2刹E2-20转/分钟的转速及3-10毫米/分钟的途率从熔液中将单晶硅eE不沥大长需为3米。一圆车1.2集成电路制造工艺1.2.1集成电路加工过程简介园河述儿)述朋一w人al4一0.525mm“6一0.75mm【医;人0贺ProcessFlowof4nnealedWafer匿体生菅门H萝菅茎火退火后的晶圆吴逊圆逊丽本善(SurfaceImprovement)3Slicing切片SiCrystalGraphiteHeater石墨加热器Polishing抛光二、前部工序1英1E园不|E技医E月圭伟俊-止巾25亥E仁林E木国一招i二-魄-25斗娇一E矶沥伟育医招扬医一医闹高霍注入等反覆步骤，以完成晶
