无机材料物理化学 1 绪论

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1、,无机材料物理化学,主讲： 专业基础教研室 朱振峰 教授 zhuzfsust-,陕西科技大学材料科学与工程学院 MATERIAL SCIENCE &ENGINEERING COLLEGE,课件制作：朱振峰 秦本正 胡秀兰,绪论,INTRODUCTION,硅物化,工艺,指导,补充完善,理论角度,制造角度,奠定工艺基础 提供理论依据 专业理论训练,奠定工业基础 工程实际训练,（一）、问题的引出：,研究制造无机材料产品 （如 玻璃、陶瓷、新材料）,目 标,000,（二）、无机材料工艺的回顾：,扩散、相变、固相反应、烧结等,原料,产品,热过程,晶体（缺陷）,熔体,玻璃,条件,相图,热力学,动力学,晶体

2、结构与晶体中的缺陷,熔体,内容,（三）硅物化内容的引出：,固体表面与界面,相平衡,扩散,固相反应,相变,烧结,玻璃体,（四）、无机材料物理化学的科学内涵 材料科学与工程的基础,无机非金属材料科学与工程 是一门研究无机非金属材料 合成与制备、 组成与结构、 性能、 使用效能 四者之间的关系与规律的科学。,科学方面 偏重于研究材料的合成与制备、组成与结构、性能与使用效能各组员本身及其相互间关系的规律；,材料科学与工程的,工程研究中还应包括 材料制备与表征所需的仪器、设备的设计与制造。 在材料科学与工程的发展中，科学与工程彼此 密切结合，构成一个学科整体。,工程方面 着重与研究如何利用这些规律性的研

3、究成果 以新的或更有效的方式开发并生产出材料， 提高材料的使用效能，以满足社会的需要。,1. 合成与制备 合成指促使原子、分子结合而构成材料的化学与物理过程。合成的研究既包括有关寻找新合成方法的科学问题，也包括以适当的数量和形态合成材料的技术问题；既包括新材料的合成，也应包括已有材料的新合成方法（如溶胶-凝胶法）及其新形态（如纤维、薄膜）的合成。,制备研究如何控制原子与分子使之构成有用的材料。这一点是与合成相同的，但制备还包括在更为宏观的尺度上或以更大的规模控制材料的结构，使之具备所需的性能和适用效能， 即包括材料的加工、处理、装配和制造。 简而言之，合成与制备就是将原子、分子聚合起来并最终转

4、变为有用产品的一系列连续过程。,把合成制备简单的与工艺等同起来而忽略其基础研究的科学内涵，是不恰当的！ 在合成与制备中工程性的研究固然重要，基础研究也不应忽视。对材料合成与制备的动力学过程的研究可以揭示过程的本质，为改进制备方法建立新的制备技术提供科学基础。 以晶体材料为例在晶体生产中如果不了解原料合成与生产各阶段发生的物理化学过程、热量与质量的传输、固液界面的变化和缺陷的生成以及环境参数对这些过程的影响，就不可能建立并掌握生长参数优化的制备方法，生长出具有所需组成、完整性、均匀性和物理性的晶体材料。,以陶瓷材料为例 陶瓷材料的最严重的问题是可靠性差，原因是制备过程落后以致材料的微结构和特性缺

5、少均匀性和重复性。研究结果已表明，若粉料在材料制备中发生团聚，则材料难免出现分布不均匀的气孔从而导致性能不均一。 为提高材料的可靠性，必须对制备过程中的每阶段所发生的化学、物理变化认真加以研究并做出必要的表征。 陶瓷材料中颗粒间界的强度远远低于颗粒或晶粒本身的强度。 为了提高材料强度，对颗粒间晶界结构、本质和在制备中的变化过程以及这些过程如何受制备条件的影响，进行基础性的研究，是极其重要的。,2. 组成与结构 组成 指构成材料物质的原子、分子及其分布；除主要组成以外，杂质及对无机非金属材料结构与性能有重要影响的微量添加物亦不能忽略。 结构则指组成原子、分子在不同层次上彼此结合的形式、状态和空间

6、分布，包括原子与电子结构、分子结构、晶体结构、相结构、晶粒结构、表面与晶界结构、缺陷结构等；在尺度上则包括纳米以下、纳米、微米、毫米及更宏观的结构层次。,了解材料的组成与结构及它们同合成与制备之间、性能与使用效能之间的内在联系，一直是无机非金属材料科学与工程 的基本研究内容。,（五）、无机材料物理化学的研究方法： 1、无机材料物理化学的性质： 研究无机材料科学与工程涉及的各种物质聚集状态的结构和结构变化，以及结构对性能的决定作用。,无机材料科学基础 陆佩文主编 武汉工业大学出版社 硅酸盐物理化学 陆佩文主编 东南大学出版社 硅酸盐物理化学丁子上等主编 中国建筑工业出版社 无机材料物理化学叶瑞伦

7、主编 天津大学 怎样看硅酸盐相图沈鹤年 玻璃物理化学导论P.贝尔塔等著 中国建筑工业出版社 陶瓷导论W.D.Kingery中国建筑工业出社,（四）、参考教材：,第一章 晶体结构缺陷,第三节 晶体的结构缺陷,总述 1、缺陷产生的原因热震动 杂质 2、 缺陷定义实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离或不完美性， 把两种结构发生偏离的区域叫缺陷。 3、研究缺陷的意义导电、半导体、发色（色心）、发光、扩散、烧结、固相反应。（材料科学的基础） 4、 缺陷分类点缺陷、线缺陷、面缺陷,第一节 点缺陷 一、类型 A 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类,空 位,填 隙 原 子,杂 质 原 子,正常结点位置

8、没有被质点占据，称为空位。,质点进入间隙位置成为填隙原子。,杂质原子进入晶格（结晶过程中混入或加入，一般不大于1，）。,进入,间隙位置间隙杂质原子 正常结点取代（置换）杂质原子。,固溶体,B 根据产生缺陷的原因分,热 缺 陷,杂 质 缺 陷,非化学计量结构缺陷（电荷缺陷）,1、热缺陷：当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶格内原子热运动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。 （1） Frankel缺陷 特点 空位和间隙成对产生 ；晶体密度不变。,例 : 纤锌矿结构ZnO晶体，Zn2+ 可以离开原位进入间隙， 此间隙为结构中的另一半“四孔”和“八孔”位置。 从能量角度分析：,下,Frank

9、el缺陷的产生,上,（2） Schttky缺陷,正常袼点的原子由于热运动跃迁到晶体表面，在晶体内正常格点留下空位。,Schttky缺陷形成的能量小Frankel 缺陷形成的能量因此对于大多数晶体来说，Schttky 缺陷是主要的。,特点,形成,从形成缺陷的能量来分析,热缺陷浓度表示 ：,对于离子晶体，为保持电中性，正离子空位和负离子空位成对产生，晶体体积增大,下,Schottky缺陷的产生,上,2 杂质缺陷 概念杂质原子进入晶体而产生的缺陷。原子进入晶体的数量一般小于0.1%。 种类间隙杂质 置换杂质 特点杂质缺陷的浓度与温度无关， 只决定于溶解度。 存在的原因本身存在 有目的加入(改善晶体的

10、某种性能),3 非化学计量结构缺陷（电荷缺陷） 存在于非化学计量化合物中的结构缺陷，化合物化学组成与周围环境气氛有关；不同种类的离子或原子数之比不能用简单整数表示。如： ;,非化学计量缺陷,电荷缺陷,价带产生空穴 导带存在电子,附加 电场,周期排列不变 周期势场畸变 产生电荷缺陷,二、缺陷化学反应表示法,用一个主要符号表明缺陷的种类 用一个下标表示缺陷位置 用一个上标表示缺陷的有效电荷 如“ . ”表示有效正电荷; “ / ”表示有效负电荷; “”表示有效零电荷。 用MX离子晶体为例（ M2 ；X2 ）： （1）空位： VM 表示M原子占有的位置，在M原子移走后出现的空位； VX 表示X原子占

11、有的位置，在X原子移走后出现的空位。,1. 常用缺陷表示方法：,把离子化合物看作完全由离子构成（这里不考虑化学键性质），则在 NaCl晶体中，如果取走一个Na+ 晶格中多了一个e, 因此VNa 必然和这个e/相联系，形成带电的空位,写作,同样，如果取出一个Cl ,即相当于取走一个Cl原子加一个e，那么氯空位上就留下一个电子空穴(h. )即,（2） 填隙原子：用下标“i”表示 Mi 表示M原子进入间隙位置； Xi 表示X原子进入间隙位置。 （3）错放位置（错位原子）： MX 表示M原子占据了应是X原子正常所处的平衡位置，不表示 占据了负离子位置上的正离子。 XM 类似。 （4）溶质原子（杂质原子

12、）： LM 表示溶质L占据了M的位置。如：CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。 （5）自由电子及电子空穴：,有些情况下，价电子并不一定属于某个特定位置的原子，在光、电、热的作用下可以在晶体中运动，原固定位置称次自由电子（符号e/ ）。同样可以出现缺少电子，而出现电子空穴（符号h. ),它也不属于某个特定的原子位置。,（6）带电缺陷 不同价离子之间取代如Ca2+取代Na+Ca Na Ca2+取代Zr4+Ca”Zr,(7) 缔合中心 在晶体中除了单个缺陷外，有可能出现邻近两个缺陷互相缔合，把发生 缔合的缺陷用小括号表示，也称复合缺陷。 在离子晶体中带相反电荷的点缺陷之间，存在一种有利于缔合的库

13、仑引力。 如：在NaCl晶体中，,2 书写点缺陷反应式的规则 （1）位置关系： 对于计量化合物（如NaCl、Al2O3），在缺陷反应式中作为溶剂的晶体所提供的位置比例应保持不变，但每类位置总数可以改变。 例：,对于非化学计量化合物，当存在气氛不同时，原子之间的比 例是改变的。 例：TiO2 由 1 : 2 变成 1 : 2x (TiO2x ),K : Cl = 2 : 2,(2) 位置增殖 形成Schttky缺陷时增加了位置数目。 能引起位置增殖的缺陷：空位(VM)、错位(VX)、置换杂质原子( MX 、XM)、表面位置(XM)等。 不发生位置增殖的缺陷：e/ , h. , Mi , Xi ,

14、 Li等。 当表面原子迁移到内部与空位复合时，则减少了位置数目（MM 、XX）。 (3)质量平衡 参加反应的原子数在方程两边应相等。 (4)电中性 缺陷反应两边总的有效电荷必须相等。 (5)表面位置 当一个M原子从晶体内部迁移到表面时，用符号MS表示。S 表示表面位置。在缺陷化学反应中表面位置一般不特别表示。,（1）缺陷符号 缺陷的有效电荷是相对于基质晶体的结点位置而言的， 用“.”、“/”、“”表示正、负（有效电荷）及电中性。,K的空位，对原来结点位置而言，少了一个正电荷， 所以空位带一个有效负电荷。,杂质Ca2+取代Zr4+位置，与原来的Zr4+比，少2个正电荷， 即带2个负有效电荷。,杂

15、质离子Ca2+取代Na+位置,比原来Na+高+1价电荷, 因此与这个位置上应有的+1电价比,缺陷带1个有效正电荷。,杂质离子K+与占据的位置上的原Na+同价，所以不带电荷。,Na+ 在NaCl晶体正常位置上（应是Na+ 占据的点阵位置， 不带 有效电荷，也不存在缺陷。,小结,表示 Cl-的空位，对原结点位置而言，少了一个负电荷，所以 空位带一个有效正电荷。 计算公式： 有效电荷现处类别的既有电荷完整晶体在同样位置上的电荷 （ 2） 每种缺陷都可以看作是一种物质，离子空位与点阵空位 (h。)也是物质，不是什么都没有。空位是一个零粒子。,3 写缺陷反应举例 （1） CaCl2溶解在KCl中,表示KCl作为溶剂。 以上三种写法均符合缺陷反应规则。 实际上（11）比较合理。,（2） MgO溶解到Al2O3晶格中,（15较不合理。因为Mg2+进入间隙位置不易发生。,练习 写出下列缺陷反应式： (1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (2) SrO固溶在Li2O晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (3) Al2O3固溶在MgO晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (4) YF3固溶在CaF2晶体中(产生正离子空位，生成置换型SS) (5) CaO固溶在ZrO2晶体中(产生负离子空位，生成置换型SS),三、 热缺陷