肆章场效接面电晶体

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,金氧半場效電晶體(MOS)的類型(續),增強型的金氧半場效電晶體(Enhancement MOS)也有四隻腳,理論上D與S也是可以互換的,通常SB(基體極)與S短路在一起,以減少基體效應,減少截止電壓漂移。平常的時候,通道並不存在,以nMOS為例,直到G加的正電壓的絕對值比VT的絕對值大才能把通道導通而呈現短路狀態,這種情形與剛剛介紹的空乏型的金氧半場效電晶體完全不同, 透過閘極方向來的正電場把基極的電子吸引到氧化層下面的channel,所以通道是n type,當G(閘極)不接電壓時(VGS=0),由於閘極氧化層內並沒有正電場吸引基極的電子,因此呈現開路,在後面會再談到利用nMOS與pMOS串聯接組合成所謂的CMOS。,

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