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1、1,模电作业题答案,电子科学与工程学院,2,+,6V,D,R 100,图1.3,(1) 流过二极管的直流电流,1.3,(2) 二极管的直流电阻,二极管的交流电阻,3,+,10V,D,RL 100,图1.4,1.4,E,4,+,10V,D,RL 100,图1.4,1.4,E,(4)将电源电压反接时，流过负载电阻的电流,5,(5)增加E，其他参数不变，,+,10V,D,RL 100,图1.4,1.4,E,故二极管的交流电阻下降,6,1.6,(a)设V1、V2截止，则,V2正偏电压高，优先导通。再设V1截止，则,假设不成立；,假设成立。,7,1.6,(b)设V1、V2截止，则,V1导通。再设V2截止
2、，则,假设不成立；,假设成立。,8,1.6,(c)设V1、V2截止，则,V1优先导通。再设V2截止，则,假设不成立；,假设不成立。,9,1.7,(a)设V截止，则,即,当,时，V导通，则,此时,10,1.7,11,1.7,(b)设V截止，则,即,当,时，V导通，则,此时,12,1.7,13,1.9,u1、u2中至少有一个为3V，则uo 3-0.7 2.3V。 u1、u2均为0时， uo -0.7V。,14,1.9,15,1.10,当ui5V时，Vz击穿，uo5V。 当ui-0.7V时，Vz正向导通，uo-0.7V。 当-0.7Vui5V时，Vz截止，uoui。,16,1.11(1),17,1.
3、11(2),1.11(3),19,NPN,PNP,2.1,0.7V,8V,0V,(a),-0.7V,-8V,0V,(b),4V,1V,3.7V,(c),4V,4.3V,9V,(d),题图2.1,20,2.1,0.7V,8V,0V,(a),-0.7V,-8V,0V,(b),4V,1V,3.7V,(c),4V,4.3V,9V,(d),题图2.1,NPN,PNP,先确定基极，再确定发射极，最后确定集电极,根据发射结电压确定材料,21,2.1,0.7V,8V,0V,(a),-0.7V,-8V,0V,(b),4V,1V,3.7V,(c),4V,4.3V,9V,(d),题图2.1,硅NPN,硅PNP,锗P
4、NP,锗NPN,题图（a）,题图（b）,题图（c）,题图（d）,22,2.3,(b) e结反偏，c结反偏，截止状态,(c) e结正偏，c结正偏，饱和状态,(d) e结开路，晶体管损坏,(a) e结正偏，c结反偏，放大状态,23,2.6,24,2.7,12V,-2V,(a),1k,20k,C1,(a),设管子截止，则有,故假设成立,管子处于截止状态,25,2.7,T,RB 470k,RC 2k,RE 1k,(b),15V,(b),设管子截止，,因,故发射结导通，假设管子处于放大状态,故假设成立，管子处于放大状态。,26,2.7,T,RB 100k,RC 2k,RE 1k,(c),15V,(c),
5、设管子截止，,故发射结导通，假设管子处于放大状态,因,故假设不成立，管子处于饱和状态。,27,2.9,28,(2) 当RB1开路时，IBQ=0，管子截止，UC=0,当RB2开路时，设管子处于放大状态，则有,2.9,故管子处于饱和状态,故，管子处于饱和状态,或,C结正偏,29,2.9,(3)当RB2开路时，设管子处于放大状态,解得,假设成立，故,30,2.18,C1,RB 500k,RC 2k,C2,T,uo,CE,RE 1k,ui,UCC,31,2,4,6,8,10,12,2,1,3,4,5,6,10A,20 A,30 A,40 A,50 A,60 A,uCE/V,iCE/mA,0,2.18,
6、32,2.18,(1)输出特性理想化，,(2)先求工作点,直流负载线,取两点,可得直流负载线如图2.18（b）中线，工作点Q,交流负载线的斜率为,可得图2.18（b）中线（交流负载线）,33,2.18,(3)此时直流负载线不变，仍如图2.14(b)中线，而交流负载,如图2.18(b)中线。,线的斜率为,34,2.18,(4)为得最大,工作点应选在交流负载线中点。,是此交流负载线之中点，即,点,此时，,调节,使,则,解得,将图2.18(b)中线平移使之与直流负载线线的交点,35,2.20,(1) 要求动态范围最大，应满足,即,解得,故,36,(2)由直流负载线可知,2.20,37,2.23,RS
7、,C,RC,V,RL,+,+,Uo,Us,+,Ui,UCC,RB,+,38,2.23,(1) 计算工作点和,解得,39,2.23,(2)计算源电压放大倍数,40,2.23,(3)计算输入电阻和输出电阻,41,2.27,RS,C,V,RL,Us,+,Ui,IB,Ri,Ro,RE,UCC,Uo,42,2.27,43,2.27,44,2.27,45,2.30,46,2.30,47,2.34,V1,V2,RB,RC,RE,Ri,Ro,RL,+,Ui,Uo,UCC,+,48,+,Ui,RB,V1,V2,RE,Ri,Ri1,Ri2,Ro,RC,RL,+,Uo,2.34,49,3.1,uGS/V,iD/mA
8、,1,2,3,1,2,UDS=10V,(a),uGS/V,iD/mA,1,2,3,1,2,UDS=10V,(b),3,4,uDS/V,iD/mA,2,4,6,5,10,15,20,4.5V,4V,3.5V,3V,2.5V,UGS=2V,(c),-2,-1,-3,-2,-1,-3,图 (a)：N沟耗尽MOSFET，,N沟FET,P沟FET,NJFET,NEMOSFET,NDMOSFET,可正可负,图 (b)：P沟结型FET，,图 (c)：N沟增强MOSFET，,无意义,50,3.3,图 (a)中，N沟增强型MOSFET，因为,所以工作在恒流区与可变电阻区,的交界处（预夹断状态）,或者,(a),(
9、b),(c),(d),D 3V,D 5V,D -5V,D 9V,5V,G,S 2V,S 0V,S 0V,S 0V,G -3V,51,3.3,图 (b)中，N沟耗尽型MOSFET，因为,所以工作在可变电阻区,或者,(a),(b),(c),(d),D 3V,D 5V,D -5V,D 9V,5V,G,S 2V,S 0V,S 0V,S 0V,G -3V,52,3.3,图 (c)中，P沟增强型MOSFET，因为,所以工作在恒流区,或者,(a),(b),(c),(d),D 3V,D 5V,D -5V,D 9V,5V,G,S 2V,S 0V,S 0V,S 0V,G -3V,53,3.3,(a),(b),(c
10、),(d),D 3V,D 5V,D -5V,D 9V,5V,G,S 2V,S 0V,S 0V,S 0V,G -3V,图 (d)中，N沟结型FET，因为,所以工作在截止区,54,3.5,RD 1k,T,USS(-10V),(a),UDD(+10V),T,C2,C1,+,Ui,+,Uo,(b),UDD(+12V),R2 1M,R1 1.5M,RD 30K,RS 6K,RG 1M,RD 1K,RS 4K,(a),55,3.5,RD 1k,T,USS(-10V),(a),UDD(+10V),T,C2,C1,+,Ui,+,Uo,(b),UDD(+12V),R2 1M,R1 1.5M,RD 30K,RS
11、6K,RG 1M,RD 1K,RS 4K,(b),56,3.12,R1,R2,R3,R4,R5,R6,C1,C2,C3,ui,uo,Ucc,57,4.1,(1) 中频增益为40dB，即100倍，fH=106Hz, fL=10Hz,时，其中f=104Hz的频率在中频段，而f=2106Hz的频率在,(2)当,高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。,58,4.1,时，其中f=5Hz的频率在低频段，而f=2104Hz的频率在,(3)当,中频段，可见输出信号要产生失真，即低频失真。,59,4.3,-45,-90, /Mrad/s,0,20,40,4,40,400,0.4,60,4.4,AuI=40
12、dB，fH=2MHz，fL=100Hz，Uopp=10V,（1）ui(t)=0.1sin(2104t)(V) （2）ui (t)=10sin(23106t)(mV) （3）ui (t)=10sin(2400t)+ 10sin(2106t) (mV) （4）ui (t)=10sin(210t)+ 10sin(25104t) (mV) （5）ui (t)=10sin(2103t)+ 10sin(2107t) (mV),（1）输入信号为单一频率正弦波，所以不存在频率失真问题。但由于输入信号幅度较大(为0.1V)，经100倍的放大后峰峰值为0.1210020V，已大大超过输出不失真动态范围(UOPP=
13、10V)，故输出信号将产生严重的非线性失真(波形出现限幅状态)。,61,4.4,AuI=40dB，fH=2MHz，fL=100Hz，Uopp=10V,（1）ui(t)=0.1sin(2104t)(V) （2）ui (t)=10sin(23106t)(mV) （3）ui (t)=10sin(2400t)+ 10sin(2106t) (mV) （4）ui (t)=10sin(210t)+ 10sin(25104t) (mV) （5）ui (t)=10sin(2103t)+ 10sin(2107t) (mV),（2）输入信号为单一频率正弦波，虽然处于高频区，但也不存在频率失真问题。又因为信号幅度较小，为10m V,经放大后峰峰值小于1002102V，故也不出现非线性失真。,62,4.4,AuI=40dB，fH=2MHz，fL=100Hz，Uopp=10V,（1）ui(t)=0.1sin(2104t)(V) （2）ui (t)=10sin(23106t)(mV) （3）ui (t)=10sin(2400t)+ 10sin(2106t) (mV) （4）ui (t)
