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1、双双 P P P P 沟道增强型沟道增强型 MOSMOSMOSMOS 管管-D4953-D4953-D4953-D4953 概述与特点概述与特点概述与特点概述与特点 概述：D4953 内部包括两个独立的、P 沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻，适合用 LED 显 示屏,LED 显示器驱动,也可用来做负载开关或者 PWM 开关。 主要特性主要特性主要特性主要特性 专业设计，RDS(ON)极小； 耐用性和可靠性极强； 封装形式：SOP8。 应用领域应用领域应用领域应用领域 LED 显示屏，LED 显示器等； 负载开关或者 PWM 开关 封装图封装图 电气参数电气参数电气参数电气参数 25极
2、限参数和热特性 参数符号范围单位 漏源电压VDS-30V 栅源电压VGS25V 连续漏极电压ID-4.9A 脉冲漏极电压IDM-30A 最大耗散功率PD 2.5（TA=25）W 1.0（TA=100）W 工作及存储温度TJ, TSTG-55 to 150 结环热阻RQJA59/W 一般电气特性： 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 静态参数 漏极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=-250uA-30V D4953 漏极导 通电阻 RDS(ON)VGS=-5V,ID=-4.0A85100m 开启电压VGS(TH)VDS=VGS, ID=-250uA-1.0-1.5-2.0V 零栅压漏极电 流 IDSSVDS=-2.0V, VGS=0V-1uA 漏极短路时截 止栅电流 IGSSVGS=10V,VDS=0V80nA 动态参数 栅极总电荷QG VDS=-15V,ID=-4.6A VGS=-10V 24 nC栅源极电荷QGS5 栅漏极电荷QGD2 导通延迟时间td(on) VDD=-1.5V,RL=7.5 ID=-2A,VGS=-10V 16 nS 导通上升时间tf18 关断延迟时间td(off)RGEN=622nS 关断下降时间tf15 典型应用电路典型应用电路典型应用电路典型应用电路 封装形式封装形式封装形式封装形式
