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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划磁场测量与描绘实验报告用霍尔元件测磁场前言：霍耳效应是德国物理学家霍耳于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。利用半导体材料制成的霍耳元件，特别是测量元件，广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。由于霍耳元件的面积可以做得很小，所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。此外，还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。近年
2、来霍耳效应得到了重要发展，冯克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应，它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍耳器件，会有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对今后的工作将大有益处。教学目的：1.了解霍尔效应产生的机理，掌握测试霍尔器件的工作特性。2.掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。3.学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。教学重难点：1.霍尔效应2.霍尔片载流子类型判定。实验原理如右图所示，把一长方形半导体薄片放入磁场中，其平面与磁场垂直，薄片的四个侧面分别引出两对电极，径电极M、N通以直流电流IH，则在P
3、、S极所在侧面产生电势差，这一现象称为霍尔效应。这电势差叫做霍尔电势差，这样的小薄片就是霍尔片。假设霍尔片是由n型半导体材料制成的，其载流子为电子，在电极M、N上通过的电流由M极进入，N极出来，则片中载流子的运动方向与电流IS的方向相反为v,运动的载流子在磁场B中要受到洛仑兹力fB的作用，fB=evB，电子在fB的作用下，在由NM运动的过程中，同时要向S极所在的侧面偏转，结果使下侧面积聚电子而带负电，相应的上侧面积带正电，在上下两侧面之间就形成电势差VH，即霍尔电势差。薄片中电子在受到fB作用的同时，要受到霍尔电压产生的霍尔电场EH的作用。fH的方向与fB的方向正好相反，EH=VH/b,b是上
4、下侧面之间的距离即薄片的宽度，当fH+fB=0时，电子受力为零达到稳定状态，则有eEH+(evB)=0EH=-vB因v垂直B，故EH=vB霍尔电压为VH=bEH=bvB。设薄片中电子浓度为n，则IS=nedbv,v=IS/nedb。VH=ISB/ned=KHISB式中比例系数KH=1/ned，称为霍尔元件的灵敏度。将VH=KHISB改写得B=VH/KHIS如果我们知道了霍尔电流IH，霍尔电压VH的大小和霍尔元件的灵敏度KH，我们就可以算出磁感应强度B。实际测量时所测得的电压不只是VH，还包括其他因素带来的附加电压。根据其产生的原因及特点，测量时可用改变IS和B的方向的方法，抵消某些因素的影响。
5、例如测量时首先任取某一方向的IS和B为正，当改变它们的方向时为负，保持IS、B的数值不变，取、四种条件进行测量，测量结果分别为：V1=VH+V0+VE+VN+VRLV2=-VH-V0-VE+VN+VRLV3=-VH+V0-VE-VN-VRLV4=VH-V0+VE-VN-VRL从上述结果中消去V0，VN和VRL，得到VH=-VE一般地VE比VH小得多，在误差范围内可以忽略不计。实验仪器TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪。1.实验仪介绍如图所示，探杆固定在二维调节支架上。其中Y方向调节支架通过旋钮Y调节探杆中心轴线与螺线管内孔轴线位置，应使之重合。X方向调节支架通过旋钮X1,X2来调节探杆的轴向位
6、置,其位置可通过标尺读出。2.测试仪1.“Is输出”：霍尔器件工作电流源，输出电流010mA，通过“Is调节”旋钮调节。2.“IM输出”：螺线管励磁电流源，输出电流01A，通过“IM调节”旋钮调节。上述俩组恒流源读数可通过“测量选择”按键共用一只数字电流表“IS(mA).IM(A)“显14示，按键测IM，放键测IS。3.直流数字电压表“(mV)”，供测量霍尔电压用。实验步骤1.按图接好电路，K1、K2、K3都断开，注意Is和Im不可接反,将Is和Im调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输入电流趋于最小状态。2.转动霍尔器件探杆支架的旋钮X1或X2，慢慢将霍尔器件移到螺线管的中心位置(X1=14cm,
7、X2=0)(注：以相距螺线管两端口等远的中心位置为坐标原点，则探头离中心的距离为X=14-X1-X2)K3,调节Im=并在测试过程终保持不变,弹出“测量选择”按钮，依次按表1调节Is,测出相应的V1,V2,V3,V4,绘制VH-Is曲线。3.调节Is=并在测试过程终保持不变,按下“测量选择”按钮，依次按表2调节Im测出相应的V1,V2,V3,V4,绘制VH-Im曲线(注：改变Im时要快，每测好一组数据断开闸刀开关K3后再记录数据,避免螺线管发热)。4.调节Is=，Im=，X1=0,X2=0依次按表3调节X1,X2测出相应的V1,V2,V3,V4,记录KH和n,绘制B-X曲线,验证螺线管端口的磁
8、感应强度为中心位置的1/2(注：调节探头位置时应将闸刀开关K1，K3断开).5.将将Is和Im调到最小，断开三个闸刀开关，关闭电源拆线收拾仪器。实验数据记录与处理示例1.表1Im=2.表2Is=霍尔电压与霍尔电流的关系曲线霍尔电压与励磁电流的关系曲线从图上可以清楚看到霍尔电压与霍尔电流，励磁电流之间成线性关系。实验题目：1.实验目的：1、研究载流圆线圈轴线上各点的磁感应强度，把测量的磁感应强度与理论计算值比较，加深对毕奥-萨伐尔定律的理解;2、在固定电流下，分别测量单个线圈在轴线上产生的磁感应强度B和B(b)，与亥姆霍兹线圈产生的磁场B(a+b）进行比较，3、测量亥姆霍兹线圈在间距d=R2、d
9、=R和d=2R,，轴线上的磁场的分布，并进行比较，进一步证明磁场的叠加原理；4、描绘载流圆线圈及亥姆霍兹线圈的磁场分布。2.实验仪器：(1)圆线圈和亥姆霍兹线圈实验平台，台面上有等距离间隔的网格线；(2)高灵敏度三位半数字式毫特斯拉计、三位半数字式电流表及直流稳流电源组合仪一台；(3)传感器探头是由2只配对的95A型集成霍尔传感器(传感器面积4mmx3mmx2mm)与探头盒(与台面接触面积为20mmx20mm)组成。3.实验原理：轴线外的磁场分布计算公式较为复杂，这里简略。(2)亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的
10、半径R。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，所以在生产和科研中有较大的使用价值，也常用于弱磁场的计量标准。设：z为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任意一点的磁感应强度为：-?22?1RR?B=0NIR2?R2+z?+?R2+-z?2?2?2?而在亥姆霍兹线圈上中心O处的磁感应强度B0为=B080NI53/2R4.数据记录2、对载流圆线圈通过电流I=120mA时轴线上各点磁感应强度的测量。验证毕奥一萨伐尔定律1-70=410H/m),计算两者的相对偏差，分析实验结果相对偏差=实验值理论值理论值；写出实验(转载于:写论文网:磁场测量与描绘实验报告)结论。实验结论：对实验结果进行分析后发现，测量出圆线圈轴线的磁场与用毕奥一萨伐尔定律公式计算出磁场的理论值很接近，从表中看出测量的相对偏差基本在1%附近，所以说明毕奥一萨伐尔定律成立。3、分别测量组成亥姆霍兹线圈的两个线圈单独通电时轴线的磁场，再测量组成亥姆霍兹线圈的两个线圈同时通电时叠加的磁场，验证磁场的叠加原理。通过亥姆霍兹线圈的电流为：I=120mA表2目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。
