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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划直接带隙材料PANIEg(Ev)(CB-VB)(-)半导体Eg(eV)(CB-VB)-Ag2O(-)AlTiO3(-)BaTiO3(-)Bi2O3(-)CdO(-)CdFe2O4(-)Ce2O3(-)CoO(-)CoTiO3(-)Cr2O3(-)CuO(-)Cu2O(-)CuTiO3(-)FeO(-)Fe2O3(-)Fe3O4(-)FeOOH(-)FeTiO3(-)Ga2O3(-)HgO(-)Hg2Nb2O7(-)Hg2Ta2O7(-)In2O3(-)KNbO3(-)KTaO3(-)
2、La2O3(-)LaTi2O74eV(-)LiNbO3(-)LiTaO34eV(-)MgTiO3(-)MnO(-)MnO2(-)MnTiO3(-)Nb2O5(-)Nd2O3(-)NiO(-3)NiTiO3(-)PbO(-)PbFe12O19(-)PdO1eV(-)Sb2O33eV(-)Sm2O3(-)SnO(-)SnO2(0-)SrTiO3(-)Ta2O54eV(-)Tb2O3(-)TiO2(-)Tl2O3(-)V2O5(-3)WO3(-)Yb2O3(-)YFeO3(-)ZnO(-)ZnTiO3(-)ZrO25eV(-)Ag2S(0-)AgAsS2(-)AgSbS2(-)As2S3(-)CdS
3、(-)Ce2S3(-)CoS0eV(-)CoS20eV(-)CoAsS(-)CuS0eV(-)Cu2S(-)CuS20eV(-)Cu3AsS4(-)CuFeS2(-)Cu5FeS41eV(-)CuInS2(-)CuIn5S8(-)Dy2S3(-)FeS(-)FeS2(-)Fe3S40eV(-)FeAsS(-)Gd2S3(-)HfS2(-)HgS2eV(-)HgSb4S8(-)In2S32eV(-)MnS3eV(-)MnS2(-)MoS2(-)Nd2S3(-)NiS(-)NiS2(-)OsS22eV(-)PbS(-)Pb10Ag3Sb11S28(-)Pb2As2S5(-)PbCuSbS3(-)P
4、b5Sn3Sb2S14(-)Pr2S3(-)PtS2(-)Rh2S3(-)RuS2(-)Sb2S3(-)Sm2S3(-)SnS(-)SnS2(-)Tb2S3(-)TiS2(-)TlAsS2(-)WS2(-)ZnS(-)ZnS2(-)Zn3In2S6(-)ZrS2(-)在外调制方式中采调制器，可避免对光源直接调制产生线性啁啾的限制。调制器一般用电光效应或声光效应使折射率改变，或用磁光效应使光的透过率变化实现光调制。调制器包括幅度调制器、相位调制器和偏振调制器。集成光电子是指将各种光电子器件、光波导器件与电路集成在同一半导体基片上构成的光电集成器件。集成光电子器件包括两种类型:混合式集成光电子器件
5、和单片式集成光电子器件。在光纤通信系统中最具代表性的集成光电子器件是混合集成的收发两用机、单片集成的双向收发两用机和其它应用的单片集成的光电子器件。原子中最外层的电子称为价电子,与价电子能级相对应的能带称为价带。价带以上能量最低的允许带称为导带。导带底的能级表示为Ec，价带顶的能级表示为Ev，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。费米能级，与物质特性有关，不一定是一个为粒子占据的实际能级，只是一个表明粒子占据能级状况的标志。当能级E时，说明这种能级被粒子占据的几率大于50%；当能级EEf，f(E)时，说明这种能级被粒子占据的几率小于50%。也就是说，低于费米能级的能级被粒子占据的几率大，高于费
6、米能级的能级被粒子占据的几率小。在电场和载流子浓度梯度的作用下，载流子会发生两种基本运动:漂移和扩散。热平衡状态下，导电电子的平均热能可由能量均分定理得到。每个自由度的能量为1/2kT。在载流子输运过程中，迁移率是一个重要参量，它描述了外加电场对电子运动的影响。对价带的空穴，可写出类似的表达式：p=p反向扩散电流与新加电压无关。反向电压增加时，电流是饱和的，通常称为反向饱和电流。(2)反向扩散电流正比于该区的少子浓度，由于少子浓度很小，所以反向饱和电流是很小的。(2)表面产生电流在p-n结加反向电压时，破坏了热平衡条件，这时通过体内复合中心的载流子产生率大于复合率，形成了载流子的净产生率，于是
7、势垒区内体内复合中心的产生电流对反向电流有贡献。同样道理,位于表面处的势垒区内复合中心的产生电流对反向电流也有贡献。因为表面处的复合中心数量往往大于体内的复合中心数量,所以表面的产生电流常常比体内的产生电流更大。(3)表面漏电流制造一个p-n结，需要经过多道工序，不小心就会在表面上沾上一些水汽或金属离子，引起离子导电，直接从n区的电极沿着半导体表面流到p区电极。特别是无保护的p-n结，表面沾污比较严重。这种表面漏电流往往成为反向电流的主要部分。异质结可分为单异质结和双异质结。根据能带结构的能量与波矢量关系(如下图所示)，半导体材料可以分为光电性质完全不同的两类，即直接带隙材料和间接带隙材料。在
8、直接带隙材料中，导带中的最低能量状态与价带中的最高能量状态具有相同的波矢量，即位于动量空间中的同一点上。在间接带隙材料中，导带中的最低能量状态与价带中的最高能量状态处在不同的波矢量位置上，即具有不同的动量LED调制特性的一个重要参量是调制带宽为了实现高调制速率的快速关闭，采用如图所示的低阻抗驱动器，它可提供快速的分级电压源、充电空间电荷电容和扩散电容LED组件由LED芯片、LED驱动电路组成。对于高级LED组件，为了保证LED稳定可靠工作，还配置温控系统。因此，LED组件的性能指标除LED的性能指标外，还包括热电致冷器特性等。与发光二极管的调制不同的是，由于存在阈值电流，在实际的调制电路中，为
9、提高响应速度及不失真，需要进行直流偏置处理。在高速调制情况下，半导体激光器会出现许多复杂动态性质，如出现电光延迟、张弛振荡、自脉动和码型效应等现象。实现基横模工作的半导体激光器的关键是控制有源层厚度和激光器的条宽。最常用的基横模工作的半导体激光器结构有隐埋异质结(BH)、平面隐埋异质结、双沟平面隐埋异质结和脊形波导等结构平面隐埋和非平面隐埋的有源区就是采用不同的制作方法，前者是在平面衬底上的外延层经腐蚀后形成有源区台面，再用二次外延形成隐埋的有源区；而后者是首先在衬底上刻蚀出沟或台面，然后用外延生长方法在其上生长并经腐蚀形成有源区台面后，再用二次外延生长形成非平面的隐埋有源区。VCSEL是英文
10、VerticalCavitySurfaceEmittingLaser首字母的缩写，形象地说，VCSEL是一种电流和发射光束方向都与芯片表面垂直的激光器阵列波导光栅(AWG)，也称作相位阵列(PhasedArray)，是WDM通信系统中的关键器件，除了可作为波分复用/解复用器外,它还是光互连器件的关键组成部分,已经成为WDM系统中不可缺少的核心器件光网络的关键器件光交叉器件、可调谐器件、宽带光纤放大器、新型高速光信号处理器件电光调制器主要利用对电光效应的分析和描述有两种方法：电磁理论方法、几何图形折射率椭球体(又称光率体)的方法声光效应光调制器特点：消光比高、驱动功率较低、带宽窄。电吸收调制器是
11、一种器件，其I层由构成。当调制电压使P-I-N反向偏置时，入射光完全被I层吸收，相当于输出“0”码；反之，当偏置电压为零时，势垒消失，入射光不被I层吸收而让其通过，相当于输出“1”码，从而实现对入射光的调制。连接器、耦合器等大多数无源器件的输入和输出端是可以互换的，称之为互易器件光通信系统也需要非互易器件，如隔离器和光环形器。光隔离器是一种只允许单向传输光的器件。某些光器件特别是激光器和光放大器，对于从诸如连接器、接头、调制器或滤波器反射回来的光非常敏感。因此通常要在靠近这种器件的输出端放置隔离器，以消除反射光的影响，使系统工作稳定。对隔离器的要求是隔离度大、插入损耗小，饱和磁场低和价格便宜。
12、EDFA只能工作在C波段光纤拉曼放大器可用于全波光纤工作窗口DRA工作原理增益介质：系统传输光纤。工作原理：基于非线性光学效应。APD工作原理光生的电子-空穴对经过高电场区时被加速。从而获得足够的能量，它们在高速运动中与P区晶格上的原子碰撞，使晶格中的原子电离，从而产生新的电子-空穴对。这种通过碰撞电离产生的电子-空穴对，称为二次电子-空穴对。新产生的二次电子和空穴在高电场区里运动时又被加速，又可能碰撞别的原子，这样多次碰撞电离的结果，使载流子迅速增加，反向电流迅速加大，形成雪崩倍增效应。阶梯超晶格多量子阱(MQW)APD主要由电子引起碰撞电离面入射光电探测器a)在面入射光电探测器中，光从正面或背面入射到探测器的光吸收层中，产生电子空穴对，并激发价带电子跃迁到导带，产生光电流。b)在面入射光电探测器中，光行进方向与载流子的渡越方向平行，如一般的PIN探测器。c)PIN的响应速度受到PN结RC数值、I吸收层厚度和载流子渡越时间等的限制。最高光响应速率小于接收机热噪声和光纤色散使灵敏度下降。光纤色散导致的灵敏度下降与比特速率B和光纤长度L有关，并随BL乘积增
